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다이오드 (4456)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
CZRSC55C2V4-G	-	RFQ	8506	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-	표면 표면	0805 (2012 5)			500MW	0805	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	5,000					1.5 v @ 200 ma		50 µa @ 6 v				2.4 v	85 옴
AMMSZ5230A-HF	0.0725	RFQ	5162	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1.91%	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	AMMSZ5230		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-AMMSZ5230A-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		5 µa @ 2 v				4.7 v	19 옴
RS2GWF-HF	0.0863	RFQ	6298	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	RS2G	기준		SOD-123F	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-RS2GWF-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 V @ 2 a	150 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz
CDBFN1200-HF	0.1436	RFQ	3886	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323		Schottky		SOD-323	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-CDBFN1200-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		900 mV @ 1 a		10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	25pf @ 4V, 1MHz
ABAV99-HF	0.0661	RFQ	5386	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ABAV99	기준		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-ABAV99-HFTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 연결 연결 시리즈	75 v	215MA (DC)	1.25 V @ 150 mA	4 ns	2.5 µa @ 75 v	-65 ° C ~ 150 ° C
CDSP400-HF	0.0575	RFQ	4946	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-723	CDSP400	기준		SOD-723	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDSP400-HFTR	귀 99	8541.10.0070	8,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		80 v		1.2 v @ 100 ma	4 ns	100 na @ 80 v	150 ° C	100ma	3pf @ 500mv, 1MHz
S10JC-HF	0.1961	RFQ	7432	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	S10J	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-S10JC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		600 v		1 V @ 10 a		5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	100pf @ 4V, 1MHz
ES3GB-HF	0.1177	RFQ	9674	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	es3g	기준		SMB/DO-214AA	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-ES3GB-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.25 V @ 3 a	35 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	45pf @ 4V, 1MHz
RS3MC-HF	0.1426	RFQ	1360	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	RS3M	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-RS3MC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.3 v @ 3 a	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	40pf @ 4V, 1MHz
CZRB5346B-HF	0.8100	RFQ	13	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB5346		5 w	SMB (DO-214AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		7.5 µa @ 6.9 v				9.1 v	2 옴
Czrl55c6v8-g	-	RFQ	6461	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5.88%	175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80 최소값	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRL55C6V8-GTR	귀 99	8541.10.0050	2,500					1.5 v @ 200 ma		100 na @ 3 v				6.8 v	8 옴
CZRQR16VB-HF	-	RFQ	5212	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	CZRQR16		125 MW	0402/SOD-923F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 12 v				16 v	36 옴
CFRMT106-HF	-	RFQ	2865	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123H		기준		SOD-123H	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.3 v @ 1 a	500 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
ACZRW4689-G	0.3400	RFQ	427	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123F	ACZRW4689		350 MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		10 µa @ 3 v				5.1 v	50 옴
CZRB3010-G	-	RFQ	8963	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB3010		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.5 v @ 200 ma		50 µa @ 7.6 v				10 v	3.5 옴
czru11vb-hf	0.0680	RFQ	4083	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	czru11		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 8.4 v				11 v	18 옴
ABZT52C3V9-HF	0.0690	RFQ	5549	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.13%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	ABZT52		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-ABZT52C3V9-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 1 v				3.9 v	90 옴
Czrer52c20	0.0810	RFQ	3940	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)	czrer52		150 MW	0503 (1308 메트릭)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 15 v				20 v	50 옴
ACDST-70-G	0.0503	RFQ	8862	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ACDST-70	기준		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 음극 음극 공통	70 v	200ma	1.25 V @ 150 mA	6 ns	2.5 µa @ 70 v	150 ° C (°)
CZRW4698-G	-	RFQ	7725	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드				641-CZRW4698-GTR	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		50 na @ 8.4 v				11 v
CZRFR20VB-HF	-	RFQ	9681	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR20		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 15 v				20 v	48 옴
CZRB5359B-HF	0.6200	RFQ	41	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB5359		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 18.2 v				24 v	3.5 옴
CZRU52C3V3-HF	0.3300	RFQ	9	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	CZRU52C3V3		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		25 µa @ 1 v				3.3 v	95 옴
CDBER42-HF	-	RFQ	1544	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	0503 (1308 메트릭)	CDBER42	Schottky		0503/SOD-723F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		1 v @ 200 ma	5 ns	500 na @ 25 v	125 ° C (°)	200ma	10pf @ 1v, 1MHz
RS1K-HF	0.0621	RFQ	9390	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	RS1K	기준		DO-214AC (SMA)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-RS1K-HFTR	귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.3 v @ 1 a	500 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
1N5241B-G	-	RFQ	7319	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-1n5241B-GTB	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.1 v @ 200 ma		2 µa @ 8.4 v				11 v	22 옴
CDBW140-HF	0.0556	RFQ	7895	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123	CDBW140	Schottky		SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDBW140-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		600 mV @ 1 a		1 µa @ 40 v	-	1A	120pf @ 4V, 1MHz
US2MB-HF	0.1035	RFQ	6858	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	US2M	기준		SMB/DO-214AA	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-US2MB-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.65 V @ 2 a	75 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	20pf @ 4V, 1MHz
CDBQR40-HF	0.3900	RFQ	257	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로			표면 표면	0402 (1005 메트릭)	CDBQR40	Schottky		0402/SOD-923F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	5,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		600 mv @ 200 ma		1 µa @ 10 v	125 ° C (°)	200ma	-
CZRW4700-G	-	RFQ	4833	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드				641-CZRW4700-GTR	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		50 na @ 9.8 v				13 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (4456)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²