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다이오드 (4456)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
CZRA4735-G	0.1550	RFQ	1043	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	CZRA4735		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 3 v						6.2 v	2 옴
AS5MBF-HF	0.5800	RFQ	3	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-221AA, SMB 플랫 리드		기준		SMBF	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-AS5MBF-HFTR	귀 99	8541.10.0080	4,000	짐		1000 v		1.15 V @ 5 a		10 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
Czrur52c27	0.0667	RFQ	3009	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음			150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 20 v						27 v	80 옴
MMBZ5230A-HF	0.0556	RFQ	6568	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1.91%	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5230		350 MW	SOT-23-3	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-MMBZ5230A-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 100 ma		5 µa @ 2 v						4.7 v	19 옴
CZRB3051-HF	-	RFQ	5953	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB			3 w	SMB/DO-214AA	다운로드				641-CZRB3051-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 38.8 v						51 v	45 옴
CZRW4695-G	-	RFQ	2237	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드				641-CZRW4695-GTR	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		1 µa @ 6.6 v						8.7 v
GBPC3501W-G	2.9083	RFQ	4163	comchip 기술	-	쟁반	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, GBPC-W	GBPC3501	기준		GBPC-W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100					1.1 v @ 17.5 a		10 µa @ 100 v		35 a		단일 단일	100 v
AMMSZ5237B-HF	0.0725	RFQ	1382	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	AMMSZ5237		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-AMMSZ5237B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 6.5 v						8.2 v	8 옴
Czrur52c2v4	0.0667	RFQ	9202	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음			150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 µa @ 1 v						2.4 v	85 옴
GBJ2506-G	1.1133	RFQ	8013	comchip 기술	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBJ	GBJ2506	기준		GBJ	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	15					1 V @ 12.5 a		10 µa @ 600 v		25 a		단일 단일	600 v
ABZT52B20-HF	0.0690	RFQ	7212	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	ABZT52		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	641-ABZT52B20-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		45 na @ 14 v						20 v	50 옴
GBU402-G	0.8510	RFQ	3895	comchip 기술	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBU	GBU402	기준		GBU	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	20					1 V @ 2 a		10 µa @ 200 v		4 a		단일 단일	200 v
CZRB3012-HF	-	RFQ	6588	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB			3 w	SMB/DO-214AA	다운로드				641-CZRB3012-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 9.1 v						12 v	4.5 옴
CZRF10VB	0.0680	RFQ	4307	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF10		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 8 v						10 v	15 옴
CSFMT102-HF	-	RFQ	6394	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123H		기준		SOD-123H	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		950 MV @ 1 a	35 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
CFRMT107-HF	0.4300	RFQ	98	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123H	CFRMT107	기준		SOD-123H	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.3 v @ 1 a	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
CDSF4148-B03	-	RFQ	3364	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	1005 (2512 25)				1005 (2512 25)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDSF4148-B03TR	귀 99	8541.10.0070	4,000
CZRFR52C13-HF	0.0805	RFQ	6771	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 10 v						13 v	25 옴
CZRF16VB-HF	-	RFQ	5937	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF16		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 12 v						16 v	36 옴
CZRB3007-HF	-	RFQ	2549	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB			3 w	SMB/DO-214AA	다운로드				641-CZRB3007-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.5 v @ 200 ma		5 µa @ 5 v						7.5 v	2 옴
AS5DBF-HF	0.1953	RFQ	7211	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-221AA, SMB 플랫 리드		기준		SMBF	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-AS5DBF-HFTR	귀 99	8541.10.0080	4,000	짐		200 v		1.15 V @ 5 a		10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
MBR20150CGD-HF	0.8213	RFQ	3191	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBR20150	Schottky		To-263 (d²pak)	-		1 (무제한)		641-MBR20150CGD-HFTR			800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	150 v	20A	920 MV @ 10 a		50 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 175 ° C
CDSH3-21-G	-	RFQ	2778	comchip 기술	-	대부분	쓸모없는			표면 표면	SOT-523	CDSH3-21	기준		SOT-523	-				641-CDSH3-21-G	쓸모없는		1	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		200 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 200 v	150 ° C	200ma	5pf @ 0V, 1MHz
CDBERT0230R	-	RFQ	7430	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	0503 (1308 메트릭)	CDBERT0230	Schottky		0503 (1308 메트릭)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	5,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		600 mv @ 200 ma		1 µa @ 10 v	125 ° C (°)	200ma	-
CZRW55C43-G	-	RFQ	4071	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 1%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	CZRW55		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 32 v						39 v	100 옴
BZT52B24-HF	0.0418	RFQ	2609	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52		500MW	SOD-123	-		1 (무제한)		641-BZT52B24-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		45 NA @ 16.8 v						24 v	65 옴
Cgrat102L-HF	-	RFQ	3991	comchip 기술	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는									다운로드		1 (무제한)		641-CGRAT102L-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000
CZRFR11VB-HF	-	RFQ	4959	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	Czrfr11		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 8.4 v						11 v	18 옴
ACDBZ2240-HF	-	RFQ	4349	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	2-SMD,, 없음		Schottky		Z2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		500 mV @ 2 a		200 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	115pf @ 4V, 1MHz
Czrnc55c2v2-g	-	RFQ	9794	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음			500MW	1206	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	5,000					1.5 v @ 200 ma		75 µa @ 1 v						2.2 v	85 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (4456)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²