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다이오드 (4456)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
CZRC5346B-G	-	RFQ	8329	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRC5346B-GTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		7.5 µa @ 6.9 v						9.1 v	2 옴
SR5150-HF	0.3200	RFQ	5388	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향	SR5150	Schottky		DO-27	-		1 (무제한)		641-SR5150-HFTB			500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		870 mV @ 5 a		500 µa @ 150 v	-50 ° C ~ 175 ° C	5a	300pf @ 4V, 1MHz
CSPB40M-HF	0.3104	RFQ	5114	comchip 기술	Super Planar ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 리드	CSPB40	기준		4-SPB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1,500					1.15 V @ 4 a		10 µa @ 1000 v		4 a		단일 단일	1kv
CGRM4004-HF	0.3700	RFQ	2	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123T	CGRM4004	기준		SMA/SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500	짐		400 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
ACDBMT1100-HF	0.3900	RFQ	191	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123H	ACDBMT1100	Schottky		SOD-123H	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mv @ 1 a		500 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz
CZRC5381B-HF	-	RFQ	9853	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드				641-CZRC5381B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 98.8 v						130 v	190 옴
CZRFR52C27-HF	0.0805	RFQ	4312	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 20 v						27 v	80 옴
CDBD10150-G	0.7355	RFQ	6146	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	CDBD10150	Schottky		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	150 v	10A (DC)	1 V @ 10 a		500 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C
CZRF36VB-HF	-	RFQ	2157	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF36		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 27 v						36 v	95 옴
CDBFN160-HF	0.3700	RFQ	1	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-90, SOD-323F	CDBFN160	Schottky		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 1 a		500 µa @ 60 v	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz
CDBB240SLR-HF	-	RFQ	1665	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AA, SMB	CDBB240	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		400 mV @ 2 a		500 µa @ 40 v	-50 ° C ~ 150 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz
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CZRF52C7V5-HF	0.0805	RFQ	6868	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 5 v						7.5 v	7 옴
CZRL55C4V3-G	-	RFQ	2204	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6.98%	175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80 최소값	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRL55C4V3-GTR	귀 99	8541.10.0050	2,500					1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 1 v						4.3 v	90 옴
MBR1040CT-HF	-	RFQ	4396	comchip 기술	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBR104	Schottky		TO-220AB	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-MBR1040CT-HF	쓸모없는		50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	40 v	10A	650 mV @ 5 a		100 µa @ 40 v	175 ° C
CZRQR52C3V6-HF	-	RFQ	9091	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	CZRQR52		125 MW	0402	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					900 mV @ 10 ma		15 µa @ 1 v						3.6 v	95 옴
CZRQR36VB-HF	-	RFQ	6408	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	CZRQR36		125 MW	0402/SOD-923F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 27 v						36 v	95 옴
CSFC302-G	0.2005	RFQ	7498	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	CSFC302	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		950 MV @ 3 a	35 ns	5 µa @ 100 v	150 ° C (°)	3A	-
CZRT5240B-G	0.0476	RFQ	6558	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CZRT5240		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 8 v						10 v	17 옴
CZRB3140-HF	-	RFQ	7274	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB			3 w	SMB/DO-214AA	다운로드				641-CZRB3140-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 106.4 v						140 v	475 옴
Czrur52c3v3	0.0667	RFQ	7644	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음			150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		25 µa @ 1 v						3.3 v	95 옴
DF15005S-G	0.2210	RFQ	3223	comchip 기술	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	DF15005	기준		DFS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50					1.1 v @ 1.5 a		5 µa @ 50 v		1.5 a		단일 단일	50 v
CDBFR0240	0.0864	RFQ	3053	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	1005 (2512 25)		Schottky		1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		40 v		550 mV @ 200 mA		10 µa @ 30 v	125 ° C (°)	200ma	9pf @ 10V, 1MHz
CDBV1100-HF	-	RFQ	9957	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SC-76, SOD-323	CDBV1100	Schottky		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		820 MV @ 1 a		50 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	25pf @ 4V, 1MHz
CDBV140-HF	0.0846	RFQ	7871	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	CDBV140	Schottky		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDBV140-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		600 mV @ 1 a		1 ma @ 40 v	-40 ° C ~ 125 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz
RS2MWF-HF	0.0863	RFQ	4318	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	RS2M	기준		SOD-123F	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-RS2MWF-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.3 V @ 2 a	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz
CZRC5368B-HF	-	RFQ	2700	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드				641-CZRC5368B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 35.8 v						47 v	25 옴
BZT52C3V9-HF	0.0476	RFQ	3064	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-BZT52C3V9-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 1 v						3.9 v	90 옴
1N5402-G	0.1085	RFQ	9046	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	1N5402	기준		DO-27 (DO-201AD)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200	짐		200 v		1 V @ 3 a		5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 125 ° C	3A	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (4456)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²