SIC
close

다이오드 (4456)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
KBL404-G Comchip Technology KBL404-G 1.2100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL KBL404 기준 KBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 10 µa @ 400 v 4 a 단일 단일 400 v
GBPC5004W-G Comchip Technology GBPC5004W-G 3.9000
RFQ
 ECAD 4501 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC5004 기준 GBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 400 v 50 a 단일 단일 400 v
GBPC1501-G Comchip Technology GBPC1501-G -
RFQ
 ECAD 5507 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC1501 기준 GBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 100 v 15 a 단일 단일 100 v
DF208-G Comchip Technology DF208-G 0.2080
RFQ
 ECAD 1870 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm) DF208 기준 4-DF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 800 v 2 a 단일 단일 800 v
DF202ST-G Comchip Technology DF202st-G -
RFQ
 ECAD 6925 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DF202 기준 DFS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 200 v 2 a 단일 단일 200 v
GBPC5002W-G Comchip Technology GBPC5002W-g 3.9000
RFQ
 ECAD 5300 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC5002 기준 GBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 200 v 50 a 단일 단일 200 v
KBPC1008-G Comchip Technology KBPC1008-G 6.0791
RFQ
 ECAD 9533 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, KBPC KBPC1008 기준 KBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 800 v 10 a 단일 단일 800 v
CZRUR52C11 Comchip Technology Czrur52c11 0.0667
RFQ
 ECAD 2253 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8.5 v 11 v 20 옴
CDBC3100-HF Comchip Technology CDBC3100-HF 0.5600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC CDBC3100 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 810 mV @ 3 a 500 µa @ 100 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A 250pf @ 4V, 1MHz
KBPC1508W-G Comchip Technology KBPC1508W-G 6.2806
RFQ
 ECAD 8368 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC-W KBPC1508 기준 KBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 7.5 a 10 µa @ 800 v 15 a 단일 단일 800 v
GBJ2510-03-G Comchip Technology GBJ2510-03-G 1.5922
RFQ
 ECAD 7520 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ2510 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1 V @ 12.5 a 10 µa @ 1000 v 25 a 단일 단일 1kv
KBPC2502-G Comchip Technology KBPC2502-G 9.9600
RFQ
 ECAD 510 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, KBPC KBPC2502 기준 KBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 12.5 a 10 µa @ 200 v 25 a 단일 단일 200 v
KBPC2508W-G Comchip Technology KBPC2508W-G 6.4852
RFQ
 ECAD 8878 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC-W KBPC2508 기준 KBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 12.5 a 10 µa @ 800 v 25 a 단일 단일 800 v
KBPC1006-G Comchip Technology KBPC1006-G 9.3300
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, KBPC KBPC1006 기준 KBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 600 v 10 a 단일 단일 600 v
KBPC5001-G Comchip Technology KBPC5001-G 7.2943
RFQ
 ECAD 8523 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, KBPC KBPC5001 기준 KBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 100 v 50 a 단일 단일 100 v
KBPC50005W-G Comchip Technology KBPC50005W-g 7.2943
RFQ
 ECAD 4880 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC-W KBPC50005 기준 KBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 25 a 5 µa @ 50 v 50 a 단일 단일 50 v
GBJ25005-04-G Comchip Technology GBJ25005-04-G 1.5677
RFQ
 ECAD 7739 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ25005 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1 V @ 12.5 a 10 µa @ 50 v 25 a 단일 단일 50 v
GBPC2508W-G Comchip Technology GBPC2508W-G 2.8652
RFQ
 ECAD 2768 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC2508 기준 GBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 1.2 a 10 µa @ 800 v 25 a 단일 단일 800 v
GBJ2506-03-G Comchip Technology GBJ2506-03-G 1.1023
RFQ
 ECAD 2608 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ2506 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1 V @ 12.5 a 10 µa @ 600 v 25 a 단일 단일 600 v
KBPC1008W-G Comchip Technology KBPC1008W-G 6.0791
RFQ
 ECAD 9939 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC-W KBPC1008 기준 KBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 800 v 10 a 단일 단일 800 v
KBPC1502-G Comchip Technology KBPC1502-G 6.2806
RFQ
 ECAD 8961 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, KBPC KBPC1502 기준 KBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 7.5 a 10 µa @ 200 v 15 a 단일 단일 200 v
GBU1502-G Comchip Technology GBU1502-G 1.1040
RFQ
 ECAD 4724 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU1502 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1 V @ 7.5 a 10 µa @ 200 v 15 a 단일 단일 200 v
ACGRTS4005-HF Comchip Technology ACGRTS4005-HF 0.3900
RFQ
 ECAD 3278 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F ACGRTS4005 기준 TS/SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 600 v 1 V @ 1 a 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 6pf @ 4V, 1MHz
GBPC2510W-G Comchip Technology GBPC2510W-G 2.8652
RFQ
 ECAD 6137 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC2510 기준 GBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 12.5 a 10 µa @ 1000 v 25 a 단일 단일 1kv
CZRFR52C2V2 Comchip Technology CZRFR52C2V2 0.0805
RFQ
 ECAD 9516 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 1005 (2512 25) CZRFR52 200 MW 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 µa @ 1 v 2.2 v 100 옴
KBU610-G Comchip Technology KBU610-G -
RFQ
 ECAD 7422 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU 기준 KBU - 641-KBU610-G 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 3 a 10 µa @ 1000 v 6 a 단일 단일 1kv
ES3AC-HF Comchip Technology ES3AC-HF 0.1783
RFQ
 ECAD 4777 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC ES3A 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-ES3AC-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 3 a 35 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1MHz
CZRZ5V6B-HF Comchip Technology CZRZ5V6B-HF 0.3500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5.45% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 0201 (0603 메트릭) CZRZ5V6 100MW 0201 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 2.5 v 5.6 v
CZRER52C7V5 Comchip Technology Czrer52c7v5 0.0810
RFQ
 ECAD 3991 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 0503 (1308 메트릭) czrer52 150 MW 0503 (1308 메트릭) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 5 v 7.5 v 7 옴
CGRA4003-HF Comchip Technology CGRA4003-HF 0.0540
RFQ
 ECAD 9229 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA CGRA4003 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CGRA4003-HFTR 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.1 v @ 3 a 50 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다