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다이오드 (4456)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
KBPC2508W-G Comchip Technology KBPC2508W-G 6.4852
RFQ
 ECAD 8878 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC-W KBPC2508 기준 KBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 12.5 a 10 µa @ 800 v 25 a 단일 단일 800 v
KBPC1006-G Comchip Technology KBPC1006-G 9.3300
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, KBPC KBPC1006 기준 KBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 600 v 10 a 단일 단일 600 v
KBPC5001-G Comchip Technology KBPC5001-G 7.2943
RFQ
 ECAD 8523 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, KBPC KBPC5001 기준 KBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 100 v 50 a 단일 단일 100 v
KBPC50005W-G Comchip Technology KBPC50005W-g 7.2943
RFQ
 ECAD 4880 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC-W KBPC50005 기준 KBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 25 a 5 µa @ 50 v 50 a 단일 단일 50 v
GBJ25005-04-G Comchip Technology GBJ25005-04-G 1.5677
RFQ
 ECAD 7739 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ25005 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1 V @ 12.5 a 10 µa @ 50 v 25 a 단일 단일 50 v
GBPC2508W-G Comchip Technology GBPC2508W-G 2.8652
RFQ
 ECAD 2768 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC2508 기준 GBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 1.2 a 10 µa @ 800 v 25 a 단일 단일 800 v
GBJ2506-03-G Comchip Technology GBJ2506-03-G 1.1023
RFQ
 ECAD 2608 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ2506 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1 V @ 12.5 a 10 µa @ 600 v 25 a 단일 단일 600 v
KBPC1008W-G Comchip Technology KBPC1008W-G 6.0791
RFQ
 ECAD 9939 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC-W KBPC1008 기준 KBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 800 v 10 a 단일 단일 800 v
KBPC1502-G Comchip Technology KBPC1502-G 6.2806
RFQ
 ECAD 8961 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, KBPC KBPC1502 기준 KBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 7.5 a 10 µa @ 200 v 15 a 단일 단일 200 v
GBU1502-G Comchip Technology GBU1502-G 1.1040
RFQ
 ECAD 4724 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU1502 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1 V @ 7.5 a 10 µa @ 200 v 15 a 단일 단일 200 v
ACGRTS4005-HF Comchip Technology ACGRTS4005-HF 0.3900
RFQ
 ECAD 3278 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F ACGRTS4005 기준 TS/SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 600 v 1 V @ 1 a 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 6pf @ 4V, 1MHz
GBPC2510W-G Comchip Technology GBPC2510W-G 2.8652
RFQ
 ECAD 6137 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC2510 기준 GBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 12.5 a 10 µa @ 1000 v 25 a 단일 단일 1kv
CZRFR52C2V2 Comchip Technology CZRFR52C2V2 0.0805
RFQ
 ECAD 9516 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 1005 (2512 25) CZRFR52 200 MW 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 µa @ 1 v 2.2 v 100 옴
KBU610-G Comchip Technology KBU610-G -
RFQ
 ECAD 7422 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU 기준 KBU - 641-KBU610-G 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 3 a 10 µa @ 1000 v 6 a 단일 단일 1kv
ES3AC-HF Comchip Technology ES3AC-HF 0.1783
RFQ
 ECAD 4777 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC ES3A 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-ES3AC-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 3 a 35 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1MHz
CZRZ5V6B-HF Comchip Technology CZRZ5V6B-HF 0.3500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5.45% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 0201 (0603 메트릭) CZRZ5V6 100MW 0201 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 2.5 v 5.6 v
CGRA4003-HF Comchip Technology CGRA4003-HF 0.0540
RFQ
 ECAD 9229 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA CGRA4003 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CGRA4003-HFTR 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.1 v @ 3 a 50 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
AES2EF-HF Comchip Technology AES2EF-HF 0.1084
RFQ
 ECAD 9810 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA aes2ef 기준 smaf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 2 a 35 ns 5 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
MBRF10100CT-HF Comchip Technology MBRF10100CT-HF -
RFQ
 ECAD 5083 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBRF1010 Schottky ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-MBRF10100CT-HF 쓸모없는 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 850 mV @ 5 a 100 @ 100 v 175 ° C
CZRB3140-HF Comchip Technology CZRB3140-HF -
RFQ
 ECAD 7274 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 3 w SMB/DO-214AA 다운로드 641-CZRB3140-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 500 NA @ 106.4 v 140 v 475 옴
CEFN103-HF Comchip Technology CEFN103-HF -
RFQ
 ECAD 2284 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 1206 (3216 메트릭) 기준 1206 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CEFN103-HFTR 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
CZRUR22VB-HF Comchip Technology Czrur22VB-HF 0.0680
RFQ
 ECAD 5997 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 czrur22 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 17 v 22 v 55 옴
CDSURT4148-HF Comchip Technology CDSURT4148-HF -
RFQ
 ECAD 4989 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 2-SMD,, 없음 기준 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CDSURT4148-HFTR 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1 V @ 50 ma 4 ns 2.5 µa @ 75 v 125 ° C 150ma 4pf @ 0V, 1MHz
CDBD20150-G Comchip Technology CDBD20150-G 1.2075
RFQ
 ECAD 7971 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB CDBD20150 Schottky D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 20A (DC) 1 V @ 10 a 500 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
AMMSZ5233B-HF Comchip Technology AMMSZ5233B-HF 0.0725
RFQ
 ECAD 3083 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 AMMSZ5233 500MW SOD-123 - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-AMMSZ5233B-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 3.5 v 6 v 7 옴
CGRMT4005-HF Comchip Technology CGRMT4005-HF 0.0972
RFQ
 ECAD 4567 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H CGRMT4005 기준 SOD-123H 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 600 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
RS3AB-HF Comchip Technology RS3AB-HF 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB RS3A 기준 SMB/DO-214AA 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 3 a 150 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1MHz
ACURB203-HF Comchip Technology ACURB203-HF 0.1515
RFQ
 ECAD 6110 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB acurb203 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 2 a 50 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 20pf @ 4V, 1MHz
CZRT55C24-G Comchip Technology CZRT55C24-G 0.0620
RFQ
 ECAD 8776 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CZRT55 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 16.8 v 24 v 70 옴
ES1DWF-HF Comchip Technology ES1DWF-HF 0.0690
RFQ
 ECAD 4673 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F ES1D 기준 SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-es1dwf-hftr 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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