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다이오드 (4456)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
CSFMT106-HF Comchip Technology CSFMT106-HF 0.4400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H CSFMT106 기준 SOD-123H 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
ES5DB-HF Comchip Technology ES5DB-HF 0.1783
RFQ
 ECAD 3159 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB ES5D 기준 SMB/DO-214AA - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-es5db-hftr 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 5 a 35 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 50pf @ 4V, 1MHz
CSFMT107-HF Comchip Technology CSFMT107-HF -
RFQ
 ECAD 9730 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOD-123H 기준 SOD-123H 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 500 v 1.7 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 500 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
BZT52C5V6-HF Comchip Technology BZT52C5V6-HF 0.0476
RFQ
 ECAD 6903 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-BZT52C5V6-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 2 v 5.6 v 40
US2KWF-HF Comchip Technology US2KWF-HF 0.0828
RFQ
 ECAD 7845 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F US2K 기준 SOD-123F - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-US2KWF-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.68 V @ 2 a 75 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
ABZT52C3V9-HF Comchip Technology ABZT52C3V9-HF 0.0690
RFQ
 ECAD 5549 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.13% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 ABZT52 500MW SOD-123 - rohs 준수 641-ABZT52C3V9-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
CZRT5223B-G Comchip Technology CZRT5223B-G 0.0476
RFQ
 ECAD 1924 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CZRT5223 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 75 µa @ 1 v 2.7 v 30 옴
ES5JB-HF Comchip Technology ES5JB-HF 0.1783
RFQ
 ECAD 1509 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB ES5J 기준 SMB/DO-214AA - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-es5jb-hftr 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 5 a 35 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 50pf @ 4V, 1MHz
CZRNC55C7V5-G Comchip Technology Czrnc55c7v5-g -
RFQ
 ECAD 4232 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 500MW 1206 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 5 v 7.5 v 7 옴
CDBA5817-G Comchip Technology CDBA5817-G -
RFQ
 ECAD 2326 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 450 mV @ 1 a 500 µa @ 20 v -65 ° C ~ 125 ° C 1A -
CDBW0520L-HF Comchip Technology CDBW0520L-HF 0.0900
RFQ
 ECAD 2007 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 CDBW0520 Schottky SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 385 mV @ 500 mA 250 µa @ 20 v 125 ° C (°) 500ma -
CZRU52C12 Comchip Technology CZRU52C12 0.3300
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 CZRU52C12 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 9 v 12 v 20 옴
CZRUR52C2V4-HF Comchip Technology Czrur52c2v4-Hf 0.0667
RFQ
 ECAD 1011 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 Czrur52c2v4 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 µa @ 1 v 2.4 v 85 옴
CZRT5250B-G Comchip Technology CZRT5250B-G 0.0476
RFQ
 ECAD 7091 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CZRT5250 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 15 v 20 v 25 옴
ABZT52B27-HF Comchip Technology ABZT52B27-HF 0.0690
RFQ
 ECAD 5390 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 ABZT52 500MW SOD-123 - rohs 준수 641-ABZT52B27-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 45 NA @ 18.9 v 27 v 80 옴
CZRT55C30-G Comchip Technology CZRT55C30-G 0.0620
RFQ
 ECAD 5719 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CZRT55 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 21 v 30 v 80 옴
CZRFR10VB-HF Comchip Technology CZRFR10VB-HF -
RFQ
 ECAD 6176 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 1005 (2512 25) CZRFR10 200 MW 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 10 v 15 옴
CDSFR4148 Comchip Technology CDSFR4148 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 1005 (2512 25) CDSFR4148 기준 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1 V @ 50 ma 4 ns 2.5 µa @ 75 v 125 ° C (°) 150ma 4pf @ 0V, 1MHz
HER306GT-G Comchip Technology HER306GT-G 0.2463
RFQ
 ECAD 8104 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 HER306 기준 DO-27 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 3 a 75 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
ACZRA4740-HF Comchip Technology ACZRA4740-HF 0.1711
RFQ
 ECAD 7258 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA ACZRA4740 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 7.6 v 10 v 7 옴
CZRB3110-G Comchip Technology CZRB3110-G -
RFQ
 ECAD 9871 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% - 표면 표면 DO-214AA, SMB CZRB3110 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 500 NA @ 83.6 v 110 v 225 옴
CZRFR3V9B-HF Comchip Technology CZRFR3V9B-HF -
RFQ
 ECAD 8474 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 1005 (2512 25) CZRFR3 200 MW 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
MBR2040CGD-HF Comchip Technology MBR2040CGD-HF 0.6755
RFQ
 ECAD 8599 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBR2040 Schottky To-263 (d²pak) - 1 (무제한) 641-MBR2040CGD-HFTR 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 20A 650 mV @ 10 a 50 µa @ 40 v -50 ° C ~ 150 ° C
CDBT-70S-G Comchip Technology CDBT-70S-G 0.0600
RFQ
 ECAD 2949 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CDBT-70 Schottky SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 70 v 70MA (DC) 1 V @ 15 ma 2 ns 100 na @ 50 v 125 ° C (°)
ACZRM5256B-HF Comchip Technology ACZRM5256B-HF 0.0610
RFQ
 ECAD 4531 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123F ACZRM5256 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 23 v 30 v 49 옴
CZRU52C3V6-HF Comchip Technology CZRU52C3V6-HF 0.0621
RFQ
 ECAD 9695 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 CZRU52C3V6 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 15 µa @ 1 v 3.6 v 95 옴
CDBC340LR-HF Comchip Technology CDBC340LR-HF 0.2378
RFQ
 ECAD 1660 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC CDBC340 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 450 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A 250pf @ 4V, 1MHz
CZRQR2V7B-HF Comchip Technology CZRQR2V7B-HF -
RFQ
 ECAD 8617 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 0402 (1006 메트릭) czrqr2 125 MW 0402/SOD-923F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 75 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
CGRKM4007-HF Comchip Technology CGRKM4007-HF 0.4300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123T CGRKM4007 기준 KM/SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 짐 1000 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
1N4148W-HF Comchip Technology 1N4148W-HF 0.1700
RFQ
 ECAD 111 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 1N4148 기준 SOD-123 - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-1N4148W-HFTR 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1.25 V @ 100 ma 4 ns 5 µa @ 75 v 150 ° C 150ma 4pf @ 0V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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