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다이오드 (4456)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
Czrur52c11	0.0667	RFQ	2253	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음			150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 8.5 v						11 v	20 옴
ACZRA4732-HF	0.1711	RFQ	9251	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	ACZRA4732		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 1 v						4.7 v	8 옴
ABAV23C-HF	0.0736	RFQ	9245	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ABAV23	기준		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-ABAV23C-HFTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	250 v	225MA (DC)	1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C
CZRF33VB-HF	-	RFQ	6898	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF33		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 25 v						33 v	88 옴
CZRF52C6V8-HF	0.0805	RFQ	5637	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 3 v						6.8 v	8 옴
CDBD8100-G	-	RFQ	2106	comchip 기술	-	튜브	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		Schottky		To-263 (d²pak)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mV @ 8 a		5 ma @ 100 v	-50 ° C ~ 150 ° C	8a	-
ACZRW5248B-G	0.0556	RFQ	7827	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123F	ACZRW5248		350 MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 14 v						18 v	21 옴
CZRL55C8V2-G	-	RFQ	5435	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6.1%	175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80 최소값	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRL55C8V2-GTR	귀 99	8541.10.0050	2,500					1.5 v @ 200 ma		100 na @ 6.2 v						8.2 v	7 옴
BZT52C3V0-HF	0.0476	RFQ	7409	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-BZT52C3V0-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		10 µa @ 1 v						3 v	95 옴
CZRW4703-G	-	RFQ	9423	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드				641-CZRW4703-GTR	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		50 NA @ 12.1 v						16 v
CZRFR52C13-HF	0.0805	RFQ	6771	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 10 v						13 v	25 옴
Cgrat102L-HF	-	RFQ	3991	comchip 기술	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는									다운로드		1 (무제한)		641-CGRAT102L-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000
S5GC-HF	0.1186	RFQ	2797	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	S5GC	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-S5GC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		400 v		1 V @ 5 a		5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	50pf @ 4V, 1MHz
ES3DC-HF	0.1783	RFQ	4763	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	ES3D	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-ES3DC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1 V @ 3 a	35 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	40pf @ 4V, 1MHz
S5BC-HF	0.1186	RFQ	7289	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	S5BC	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-S5BC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		100 v		1 V @ 5 a		5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	50pf @ 4V, 1MHz
RS5AC-HF	0.1783	RFQ	9469	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	RS5A	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-RS5AC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1.3 V @ 5 a	150 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	50pf @ 4V, 1MHz
ES2GB-HF	0.1035	RFQ	6622	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	ES2G	기준		SMB/DO-214AA	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-ES2GB-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.25 V @ 2 a	35 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	40pf @ 4V, 1MHz
ABZT52B56-HF	0.0690	RFQ	5025	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	ABZT52		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-ABZT52B56-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		45 NA @ 39.2 v						56 v	200 옴
GBJ2510-HF	0.9522	RFQ	4209	comchip 기술	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBJ	GBJ2510	기준		GBJ	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-GBJ2510-HF	귀 99	8541.10.0080	15					1 V @ 12.5 a		5 µa @ 1000 v		3.5 a		단일 단일	1kv
GBJ2506-HF	0.9522	RFQ	5678	comchip 기술	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBJ	GBJ2506	기준		GBJ	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-GBJ2506-HF	귀 99	8541.10.0080	15					1 V @ 12.5 a		5 µa @ 600 v		3.5 a		단일 단일	600 v
GBU2501-HF	1.0898	RFQ	4743	comchip 기술	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBU	GBU2501	기준		GBU	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-GBU2501-HF	귀 99	8541.10.0080	20					1 V @ 12.5 a		5 µa @ 100 v		25 a		단일 단일	100 v
CSPB30K-HF	0.3040	RFQ	5660	comchip 기술	Super Planar ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 리드	CSPB30	기준		4-SPB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1,500					1 V @ 3 a		1 µa @ 800 v		3 a		단일 단일	800 v
SS520B-HF	0.1938	RFQ	4818	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SS520	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		850 mV @ 5 a		300 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	300pf @ 4V, 1MHz
CSPB60K-HF	0.3776	RFQ	7553	comchip 기술	Super Planar ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 리드	CSPB60	기준		4-SPB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1,500					1 V @ 6 a		1 µa @ 800 v		6 a		단일 단일	800 v
CDSQR4448S-HF	-	RFQ	3565	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	0402 (1006 메트릭)		기준		0402C/SOD-923F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDSQR4448S-HFTR	귀 99	8541.10.0070	5,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		100 v		1 v @ 100 ma	4 ns	100 na @ 100 v	-40 ° C ~ 150 ° C	125MA	3pf @ 40V, 1MHz
1N5252B-G	-	RFQ	6690	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-1N5252B-GTB	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.1 v @ 200 ma		100 na @ 18 v						24 v	33 옴
DB103st-G	-	RFQ	4670	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	DB10	기준		DBS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-DB103ST-GTR	귀 99	8541.10.0080	1					1.1 v @ 1 a		10 µa @ 200 v		1 a		단일 단일	200 v
CDBHM240-HF	-	RFQ	7937	comchip 기술	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-269AA, 4- 베스 외		Schottky		MBS	다운로드				641-CDBHM240-HF	쓸모없는		1					550 mV @ 2 a		100 µa @ 40 v		2 a		단일 단일	40 v
CDBHM260-HF	-	RFQ	7619	comchip 기술	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-269AA, 4- 베스 외		Schottky		MBS	다운로드				641-CDBHM260-HF	쓸모없는		1					700 mv @ 2 a		100 µa @ 60 v		2 a		단일 단일	60 v
DB106SP-HF	-	RFQ	8445	comchip 기술	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	4-SMD,, 날개		기준		DBS	다운로드				641-DB106SP-HF	귀 99	8541.10.0080	1					1.1 v @ 1 a		10 µa @ 800 v		1 a		단일 단일	800 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (4456)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²