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다이오드 (4456)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
HER304GA-G	0.2463	RFQ	5826	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향	HER304	기준		DO-27	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	300 v	1 V @ 3 a	50 ns	5 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
CDBF0140R-HF	0.0667	RFQ	8348	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	1005 (2512 25)	CDBF0140	Schottky		1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	40 v	450 mV @ 10 ma		1 µa @ 10 v	125 ° C (°)	100ma	6pf @ 10V, 1MHz
ES3EB-HF	0.1177	RFQ	9160	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	es3e	기준		SMB/DO-214AA	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-ES3EB-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	300 v	1.25 V @ 3 a	35 ns	5 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	45pf @ 4V, 1MHz
S1M-HF	0.2000	RFQ	19	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	S1M	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	짐	1000 v	1.1 v @ 1 a		5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
CGRB204-HF	0.1008	RFQ	7725	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB		기준		SMB/DO-214AA	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CGRB204-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐	400 v	1.1 v @ 2 a		5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	10pf @ 4V, 1MHz
CZRL55C22-G	-	RFQ	2264	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5.68%	175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80 최소값	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRL55C22-GTR	귀 99	8541.10.0050	2,500			1.5 v @ 200 ma		100 na @ 16 v				22 v	55 옴
CDBB3100LR-HF	0.2086	RFQ	1892	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	CDBB3100	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	100 v	750 mV @ 3 a		500 µa @ 100 v	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	250pf @ 4V, 1MHz
S1W-HF	0.0969	RFQ	7871	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	S1W	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	짐	1600 v	1.1 v @ 1 a		5 µa @ 1600 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	-
RS1B-HF	0.0621	RFQ	7009	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	RS1B	기준		DO-214AC (SMA)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-RS1B-HFTR	귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	100 v	1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
CDBUC140LC-HF	0.0828	RFQ	7227	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	0603 (1608 메트릭)	CDBUC140	Schottky		0603C/SOD-523F	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDBUC140LC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	40 v	600 mV @ 1 a		30 µa @ 40 v	125 ° C	1A	-
CZRF8V2B-HF	-	RFQ	1566	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF8V2		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		500 NA @ 6.5 v				8.2 v	7 옴
cura106-HF	0.0969	RFQ	4407	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	cura106	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-Cura106-HFTR	귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	800 v	1.7 V @ 1 a	100 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
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1SS355-HF	0.1900	RFQ	7293	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	1SS355	기준		SOD-323	-		1 (무제한)					3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	90 v	1.2 v @ 100 ma	4 ns	100 na @ 90 v	-65 ° C ~ 150 ° C	150ma	3pf @ 6V, 1MHz
CDBC3150LR-HF	0.2683	RFQ	1559	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	CDBC3150	Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	150 v	820 MV @ 3 a		500 µa @ 150 v	-50 ° C ~ 175 ° C	3A	250pf @ 4V, 1MHz
CZRF52C4V3	0.0805	RFQ	9396	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v				4.3 v	95 옴
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Czrnc55c47-g	-	RFQ	8636	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음			500MW	1206	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	5,000			1.5 v @ 200 ma		100 na @ 35.3 v				47 v	110 옴
CGRBT303-HF	-	RFQ	5165	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	2-SMD,, 없음		기준		2114/do-214AA	다운로드		1 (무제한)		641-CGRBT303-HFTR	귀 99	8541.10.0080	5,000	짐	600 v	1 V @ 3 a		5 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	23pf @ 4V, 1MHz
ACDBC3100-HF	0.2204	RFQ	8885	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC		Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-ACDBC3100-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	100 v	850 mV @ 3 a		200 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	95pf @ 4V, 1MHz
CDBWL0540-HF	0.4000	RFQ	9	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	01005 (0402 메트릭)		Schottky		1005	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0070	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	40 v	800 mV @ 500 mA		30 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	500ma	28pf @ 0V, 1MHz
CZRF52C13	0.0805	RFQ	7213	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 10 v				13 v	25 옴
CZRA4757-G	0.1550	RFQ	2682	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	CZRA4757		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRA4757-GTR	귀 99	8541.10.0050	2,000					5 µa @ 38.8 v				51 v	95 옴
ACZRA4762-HF	0.1711	RFQ	1370	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	ACZRA4762		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000			1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 62.2 v				82 v	200 옴
CDBUR0530-HF	0.0760	RFQ	7907	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	0603 (1608 메트릭)	CDBUR0530	Schottky		0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDBUR0530-HFTR	귀 99	8541.10.0070	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	20 v	470 mV @ 500 mA		100 µa @ 20 v	125 ° C	500ma	100pf @ 0V, 1MHz
CGRC306-HF	0.1488	RFQ	5858	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	CGRC306	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CGRC306-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐	800 v	1.1 v @ 3 a		5 µa @ 800 v	150 ° C	3A	-
6A08-G	0.2312	RFQ	7181	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	R-6, 축,		기준		R-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500	짐	800 v	1 V @ 6 a		10 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 125 ° C	6A	100pf @ 4V, 1MHz
BZT52B2V4-HF	0.0418	RFQ	5213	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52		500MW	SOD-123	-		1 (무제한)		641-BZT52B2V4-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		45 µa @ 1 v				2.4 v	94 옴
CDBHA30100LR-HF	1.9600	RFQ	5	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	CDBHA30100	Schottky		TO-277B	-		1 (무제한)					5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	100 v	770 mV @ 30 a		100 @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	30A	1200pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (4456)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²