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다이오드 (29505)

제품 번호	가격 (USD)	수량	사용 가능한 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 상태	용인	작동 온도	장착 유형	패키지 / 케이스	기본 제품 번호	기술	전원 - 최대	공급 업체 장치 패키지	데이터 시트	ROHS 상태	수분 감도 수준 (MSL)	상태에 도달하십시오	다른 이름	ECCN	HTSUS	표준 패키지	속도	다이오드 구성	전압 -DC 리버스 (VR) (최대)	전류 - 평균 정류 (io) (다이오드 당)	전압 - 전방 (vf) (max) @ if	역 복구 시간 (TRR)	전류 - 리버스 누출 @ vr	작동 온도 - 접합	현재 - 평균 정류 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 - Zener (nom) (VZ)	임피던스 (최대) (ZZT)
RS1KHE3_A/H	0.1022	RFQ	6047	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & 릴 (TR)	활동적인			표면 마운트	DO-214AC, SMA	RS1K	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다		귀 99	8541.10.0080	1,800	빠른 복구 =<500ns,>200MA (IO)		800 v		1.3 v @ 1 a	500 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	7pf @ 4V, 1MHz
SBLB25L20CT-E3/81	-	RFQ	8913	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & 릴 (TR)	쓸모없는			표면 마운트	TO-263-3, D²PAK (2 리드 + 탭), TO-263AB	SBLB25L20	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 복구 =<500ns,>200MA (IO)	1 쌍의 공통 음극	20 v	12.5A	490 MV @ 12.5 a		900 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 150 ° C
EGP10FHM3/73	-	RFQ	8309	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & 박스 (TB)	쓸모없는			구멍을 통해	DO-204AL, DO-41, 축 방향	EGP10	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 복구 =<500ns,>200MA (IO)		300 v		1.25 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 300 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
IRKD91/14A	-	RFQ	3279	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는			섀시 마운트	Add-A-Pak (3)	IRKD91	기준		Add-a-Pak®	다운로드	ROHS 비준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다		귀 99	8541.10.0080	10	표준 복구> 500NS,> 200MA (IO)	1 쌍 시리즈 연결	1400 v	100A			10 ma @ 1400 v
MBR10100CT-E3/4W	1.2900	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TMBS®	튜브	활동적인			구멍을 통해	TO-220-3	MBR1010	Schottky		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 복구 =<500ns,>200MA (IO)	1 쌍의 공통 음극	100 v	5a	850 mV @ 5 a		100 @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C
SB350-E3/73	-	RFQ	6998	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & 박스 (TB)	활동적인			구멍을 통해	Do-201ad, 축 방향	SB350	Schottky		Do-201ad	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 복구 =<500ns,>200MA (IO)		50 v		680 mV @ 3 a		500 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
VS-80CPU02-N3	8.7400	RFQ	21	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	프레드 PT®	튜브	활동적인			구멍을 통해	TO-247-3	80cpu02	기준		TO-247AC	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다	VS-80CPU02-N3GI	귀 99	8541.10.0080	25	빠른 복구 =<500ns,>200MA (IO)	1 쌍의 공통 음극	200 v	40a	1.02 V @ 40 a	33 ns	5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C
BYV29B-400HE3_A/P.	-	RFQ	4629	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	쓸모없는			표면 마운트	TO-263-3, D²PAK (2 리드 + 탭), TO-263AB	BYV29	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 복구 =<500ns,>200MA (IO)		400 v		1.25 V @ 8 a	50 ns	10 µa @ 400 v	-40 ° C ~ 150 ° C	8a	-
GP10-4006E-E3/54	0.1840	RFQ	6159	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & 릴 (TR)	활동적인			구멍을 통해	DO-204AL, DO-41, 축 방향	GP10	기준		DO-204AL (DO-41)	-	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다		귀 99	8541.10.0080	5,500	표준 복구> 500NS,> 200MA (IO)		800 v					-	1A	-
byvf32-100HE3_A/p	1.0725	RFQ	2412	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 통해	TO-220-3 풀 팩, 격리 된 탭	BYVF32	기준		ITO-220AB	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 복구 =<500ns,>200MA (IO)	1 쌍의 공통 음극	100 v	18a	1.15 V @ 20 a	25 ns	10 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C
BZX384C68-G3-18	0.0389	RFQ	4726	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZX384-G	테이프 & 릴 (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 마운트	SC-76, SOD-323	BZX384C68		200 MW	SOD-323	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다		귀 99	8541.10.0050	10,000							50 NA @ 47.6 v				68 v	240 옴
vs-c1oetott-m3	-	RFQ	5132	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는									-			영향을받지 않습니다	112-VS-C1OETOTT-M3	쓸모없는		1
VS-8ETL06SPBF	-	RFQ	9083	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	프레드 PT®	튜브	SIC에서 중단되었습니다			표면 마운트	TO-263-3, D²PAK (2 리드 + 탭), TO-263AB	8ETL06	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 복구 =<500ns,>200MA (IO)		600 v		1.05 V @ 8 a	250 ns	5 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	8a	-
VS-SD1053C18S20L	137.5767	RFQ	6513	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	마지막으로 구매			클램프 켜기	DO-200AB, B-PUK	SD1053	기준		DO-200AB, B-PUK	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다		귀 99	8541.10.0080	3	표준 복구> 500NS,> 200MA (IO)		1800 v		1.9 v @ 1500 a	2 µs	50 ma @ 1800 v		1050a	-
LL101C-13	-	RFQ	9826	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & 릴 (TR)	쓸모없는			표면 마운트	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	LL101	Schottky		SOD-80 최소값	-	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다		귀 99	8541.10.0070	10,000	작은 신호 =<200ma (io), 모든 속도		40 v		390 mV @ 1 ma	1 ns	200 na @ 30 v	125 ° C (최대)	30ma	2.2pf @ 0v, 1MHz
16ctq060	-	RFQ	4188	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			구멍을 통해	TO-220-3	16CTQ	Schottky		TO-220-3	다운로드	ROHS 비준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 복구 =<500ns,>200MA (IO)	1 쌍의 공통 음극	60 v	8a	720 MV @ 8 a		550 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 175 ° C
vs-sd400r16pc	106.5767	RFQ	6275	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			스터드 마운트	DO-205AB, DO-9, 스터드	SD400	기준		DO-205AB (DO-9)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다	VSSD400R16PC	귀 99	8541.10.0080	12	표준 복구> 500NS,> 200MA (IO)		1600 v		1.62 V @ 1500 a			-40 ° C ~ 190 ° C	400A	-
vs-8ews10strrpbf	-	RFQ	9959	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & 릴 (TR)	쓸모없는			표면 마운트	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	8ews10	기준		D-PAK (TO-252AA)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	표준 복구> 500NS,> 200MA (IO)		1000 v		1.1 v @ 8 a		50 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	-
VS-1N3209R	-	RFQ	5696	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 스터드 마운트	Do-203ab, do-5, 스터드	1N3209	표준, 역 극성		do-203ab (Do-5)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다		귀 99	8541.10.0080	100	표준 복구> 500NS,> 200MA (IO)		100 v		1.5 v @ 15 a		10 ma @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C	15a	-
EGF1D-2HE3_B/H	-	RFQ	1855	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, Superectifier®	테이프 & 릴 (TR)	활동적인			표면 마운트	DO-214BA	EGF1D	기준		DO-214BA (GF1)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다	112-EGF1D-2HE3_B/HTR	귀 99	8541.10.0080	1,500	빠른 복구 =<500ns,>200MA (IO)		200 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
VS-81CNQ045ASLPBF	-	RFQ	8735	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는			표면 마운트	D-61-8-SL	81CNQ045	Schottky		D-61-8-SL	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다	VS81CNQ045ASLPBF	귀 99	8541.10.0080	400	빠른 복구 =<500ns,>200MA (IO)	1 쌍의 공통 음극	45 v	40a	600 mV @ 40 a		5 ma @ 40 v	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-20TQ045-M3	1.4100	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인			구멍을 통해	TO-220-2	20TQ045	Schottky		TO-220AC	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 복구 =<500ns,>200MA (IO)		45 v		730 MV @ 40 a		2.7 ma @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C	20A	1400pf @ 5V, 1MHz
BAS40-04-G3-08	0.3900	RFQ	24	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & 릴 (TR)	활동적인			표면 마운트	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAS40	Schottky		SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 신호 =<200ma (io), 모든 속도	1 쌍 시리즈 연결	40 v	200ma	1 v @ 40 ma	5 ns	100 na @ 30 v	125 ° C (최대)
SS23HE3_A/H	0.1878	RFQ	3027	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & 릴 (TR)	활동적인			표면 마운트	DO-214AA, SMB	SS23	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다		귀 99	8541.10.0080	750	빠른 복구 =<500ns,>200MA (IO)		30 v		500 mV @ 2 a		400 µa @ 30 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	-
VS-T70HF120	29.2020	RFQ	1617	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시 마운트	D-55 T- 모듈	T70	기준		D-55	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다		귀 99	8541.10.0080	10	표준 복구> 500NS,> 200MA (IO)		200 v				15 ma @ 200 v		70A	-
V15km60c-m3/h	0.4257	RFQ	4012	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & 릴 (TR)	활동적인			표면 마운트	8-powertdfn		Schottky		Flatpak (5x6)	다운로드	ROHS3 준수		영향을받지 않습니다	112-V15KM60C-M3/HTR	귀 99	8541.10.0080	1,500	빠른 복구 =<500ns,>200MA (IO)	1 쌍의 공통 음극	60 v	5.1A	630 MV @ 7.5 a		900 µa @ 60 v	-40 ° C ~ 175 ° C
MBRB3045CTTRR	-	RFQ	1905	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & 릴 (TR)	쓸모없는			표면 마운트	TO-263-3, D²PAK (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB30	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	ROHS 비준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 복구 =<500ns,>200MA (IO)	1 쌍의 공통 음극	45 v	15a	600 mV @ 20 a		1 ma @ 45 v	-65 ° C ~ 150 ° C
vs-eph3007l-n3	2.9600	RFQ	500	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인			구멍을 통해	TO-247-2	EPH3007	기준		TO-247AD	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다		귀 99	8541.10.0080	25	빠른 복구 =<500ns,>200MA (IO)		650 v		2.1 v @ 30 a	37 ns	30 µa @ 650 v	-55 ° C ~ 175 ° C	30A	-
RGP5100-E3/54	-	RFQ	7645	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & 릴 (TR)	쓸모없는			구멍을 통해	축	RGP51	기준		축	-	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다		귀 99	8541.10.0070	5,500	표준 복구> 500NS,> 200MA (IO)		1000 v					-	500ma	-
US1B-M3/61T	0.0825	RFQ	8458	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & 릴 (TR)	활동적인			표면 마운트	DO-214AC, SMA	US1B	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)	영향을받지 않습니다		귀 99	8541.10.0080	1,800	빠른 복구 =<500ns,>200MA (IO)		100 v		1 V @ 1 a	50 ns	10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²