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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
VS-6TQ045STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6TQ045STRPBF -
RFQ
ECAD 1442 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 6TQ045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 600 mV @ 6 a 800 µa @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C 6A 400pf @ 5V, 1MHz
V3NL63HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v3nl63hm3/i 0.5400
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면, 마운트 측면 2-vdfn v3nl63 Schottky DFN3820A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 580 mV @ 3 a 60 @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C 2.1a 580pf @ 4V, 1MHz
VSS8D2M15HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division vss8d2m15hm3/i 0.4600
RFQ
ECAD 7323 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 S8D2 Schottky Slimsmaw (do-221ad) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 700 mv @ 1 a 150 µa @ 150 v -40 ° C ~ 175 ° C 1.8a 150pf @ 4V, 1MHz
MBRD340TRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division mbrd340trl -
RFQ
ECAD 5476 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MBRD3 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 600 mV @ 3 a 200 µa @ 40 v -40 ° C ~ 150 ° C 3A -
VS-85CNQ015APBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-85CNQ015APBF -
RFQ
ECAD 2199 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-61-8 85CNQ015 Schottky D-61-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 15 v 40a 450 mV @ 80 a 20 ma @ 15 v -55 ° C ~ 125 ° C
GP10B-4002HE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10B-4002HE3/73 -
RFQ
ECAD 6145 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 100 v - 1A -
SML4739AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division sml4739ahe3_a/h 0.5600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4739 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 10 µa @ 7 v 9.1 v 5 옴
SB160-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB160-E3/53 0.5000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SB160 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 650 mV @ 1 a 500 µa @ 60 v -65 ° C ~ 125 ° C 1A -
MMSZ5239C-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5239C-G3-08 0.0483
RFQ
ECAD 9046 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5239 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 3 µa @ 7 v 9.1 v 10 옴
SS2PH9-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2PH9-M3/84A 0.4400
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA SS2PH9 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 800 mV @ 2 a 1 µa @ 90 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 65pf @ 4V, 1MHz
MBRB2550CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB2550CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 6411 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB25 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 15a 750 mV @ 15 a 1 ma @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C
VS-40HFL40S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40HFL40S02 12.3400
RFQ
ECAD 100 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 40HFL40 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.95 V @ 40 a 200 ns 100 µa @ 400 v -40 ° C ~ 125 ° C 40a -
BYM12-200-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM12-200-E3/96 0.4100
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-213ab, melf (유리) BYM12 기준 do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
NSB8KT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division NSB8KT-E3/81 0.6175
RFQ
ECAD 5679 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NSB8 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 800 v 1.1 v @ 8 a 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 55pf @ 4V, 1MHz
VS-80-7820 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80-7820 -
RFQ
ECAD 8954 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 80-7820 - 112-VS-80-7820 1
VS-8EWS10SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ews10spbf -
RFQ
ECAD 6633 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 8ews10 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 75 1000 v 1.1 v @ 8 a 50 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
MBRB20H90CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB20H90CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 4812 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB20 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 10A 770 MV @ 10 a 4.5 µa @ 90 v -65 ° C ~ 175 ° C
VS-MBR2535CT-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBR2535CT-M3 0.7910
RFQ
ECAD 3467 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR2535 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 15a 820 MV @ 30 a 200 µa @ 35 v -65 ° C ~ 150 ° C
SD101BW-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD101BW-HE3-08 0.0534
RFQ
ECAD 7984 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 SD101 Schottky SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 15,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 50 v 950 mV @ 15 mA 1 ns 200 na @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 30ma 2.1pf @ 0v, 1MHz
BZG03C27TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C27TR -
RFQ
ECAD 5777 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG03C 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 7% - 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 20 v 27 v 15 옴
UH6PDHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division uh6pdhm3_a/i -
RFQ
ECAD 5026 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn UH6 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.05 V @ 6 a 25 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 6A 80pf @ 4V, 1MHz
VS-50WQ06FNTRLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-50wq06fntrlhm3 0.9913
RFQ
ECAD 4753 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 50WQ06 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs50wq06fntrlhm3 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 570 mV @ 5 a 3 ma @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C 5.5A 360pf @ 5V, 1MHz
VS-3EMU06-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3emu06-m3/5at 0.4200
RFQ
ECAD 81 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 3MU06 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 3 a 41 ns 3 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
BAS170WS-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS170WS-E3-08 0.4000
RFQ
ECAD 36 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 BAS170 Schottky SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 70 v 1 V @ 15 ma 10 µa @ 70 v -55 ° C ~ 125 ° C 70ma 2pf @ 0V, 1MHz
SL44-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SL44-M3/9AT 0.7900
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC SL44 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 440 mV @ 4 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 4a -
VFT1060C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VFT1060C-M3/4W 0.5399
RFQ
ECAD 6372 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 vft1060 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 5a 700 mv @ 5 a 700 µa @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C
RGP10A-013M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10A-013M3/54 -
RFQ
ECAD 7247 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 RGP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
GP10-4005EHM3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10-4005EHM3/54 -
RFQ
ECAD 2800 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 500 v 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 500 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
ESH1PBHE3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH1PBHE3/85A -
RFQ
ECAD 2314 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-220AA ESH1 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 900 mV @ 1 a 25 ns 1 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 25pf @ 4V, 1MHz
10BQ060TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 10bq060tr -
RFQ
ECAD 2460 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AA, SMB 10BQ060 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 600 mV @ 1 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 62pf @ 5V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고