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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
S5J-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S5J-E3/9AT 0.4500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S5J 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 600 v 1.15 V @ 5 a 2.5 µs 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 40pf @ 4V, 1MHz
VS-150EBU04HF4 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-150EBU04HF4 9.1800
RFQ
ECAD 744 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 튜브 활동적인 섀시 섀시 PowerTab® 150EBU04 기준 PowerTab® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 400 v 1.3 v @ 150 a 50 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C 150a -
BY448TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division by448tr 0.6700
RFQ
ECAD 114 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-57,, 방향 by448 눈사태 SOD-57 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 1500 v 1.6 V @ 3 a 20 µs 3 µa @ 1500 v 140 ° C (°) 2A -
BAL99-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAL99-G3-08 0.0306
RFQ
ECAD 3798 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAL99 기준 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 15,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 70 v 1.25 V @ 150 mA 6 ns 2.5 µa @ 70 v -55 ° C ~ 150 ° C 250ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
NSB8GTHE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division NSB8gthe3_B/i 0.6930
RFQ
ECAD 7989 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NSB8 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 400 v 1.1 v @ 8 a 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 55pf @ 4V, 1MHz
SS26S-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS26S-M3/61T 0.3800
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SS26 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 2 a 400 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A -
FEP30-CP Vishay General Semiconductor - Diodes Division fep30-cp -
RFQ
ECAD 8167 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 fep30 기준 TO-247AD (TO-3P) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 15a 950 MV @ 15 a 35 ns 10 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR2545CT Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR2545CT -
RFQ
ECAD 1671 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR2545 Schottky TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 820 MV @ 30 a 200 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
VS-12TQ040SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12TQ040SPBF -
RFQ
ECAD 6122 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 12TQ040 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs12tq040spbf 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 560 mV @ 15 a 1.75 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a 900pf @ 5V, 1MHz
VS-20ETF10S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20ETF10S-M3 1.5632
RFQ
ECAD 3019 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20etf10 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.31 V @ 20 a 400 ns 100 @ 1000 v -40 ° C ~ 150 ° C 20A -
VS-50WQ06FNTRLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-50wq06fntrlhm3 0.9913
RFQ
ECAD 4753 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 50WQ06 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs50wq06fntrlhm3 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 570 mV @ 5 a 3 ma @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C 5.5A 360pf @ 5V, 1MHz
1N5395-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5395-E3/73 -
RFQ
ECAD 8713 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5395 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 400 v 1.4 V @ 1.5 a 2 µs 5 µa @ 400 v -50 ° C ~ 150 ° C 1.5A 15pf @ 4V, 1MHz
S2AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division s2ahe3_a/h 0.1102
RFQ
ECAD 5320 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S2A 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 50 v 1.15 V @ 1.5 a 2 µs 1 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 16pf @ 4V, 1MHz
SBL1030HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBL1030HE3/45 -
RFQ
ECAD 8498 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 SBL1030 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 600 mV @ 10 a 1 ma @ 30 v -40 ° C ~ 125 ° C 10A -
RS2DHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS2DHE3_A/H 0.1650
RFQ
ECAD 7952 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB RS2D 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 V @ 1.5 a 150 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 20pf @ 4V, 1MHz
BZD27C5V1P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C5V1P-E3-18 0.1341
RFQ
ECAD 2519 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZD27C 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27C5V1 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 1 v 5.1 v 6 옴
SMZJ3798B-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3798B-E3/52 0.1546
RFQ
ECAD 2532 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMZJ3798 1.5 w DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 750 5 µa @ 18.2 v 24 v 19 옴
S1B-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1B-M3/5AT 0.0508
RFQ
ECAD 3781 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA S1B 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 100 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 1 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
S1KHE3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1KHE3/5AT -
RFQ
ECAD 2922 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA S1K 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 800 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
VS-8EWS08STRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ews08strpbf -
RFQ
ECAD 5957 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 8ews08 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs8ews08strpbf 귀 99 8541.10.0080 2,000 800 v 1.1 v @ 8 a 50 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
NSF8MTHE3_B/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division NSF8MTHE3_B/P -
RFQ
ECAD 3464 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 NSF8 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 1000 v 1.1 v @ 8 a 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 55pf @ 4V, 1MHz
VS-T70HF60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-t70hf60 28.2910
RFQ
ECAD 7499 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-55 T- 5 T70 기준 D-55 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 600 v 15 ma @ 600 v 70A -
VX60M100C-M3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division vx60m100c-m3/p 1.8800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 vx60m Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-VX60M100C-M3/p 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 30A 820 MV @ 30 a 320 µa @ 100 v -40 ° C ~ 175 ° C
FESE8DT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fese8dt-e3/45 -
RFQ
ECAD 1967 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 fese8 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 85pf @ 4V, 1MHz
IRKD91/14A Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKD91/14A -
RFQ
ECAD 3279 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 Add-A-Pak (3) IRKD91 기준 Add-a-Pak® 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 1 연결 연결 시리즈 1400 v 100A 10 ma @ 1400 v
V40120CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40120CHM3/4W -
RFQ
ECAD 3745 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TMBS® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 v40120 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 20A 880 mV @ 20 a 500 µa @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C
DZ23C18-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C18-G3-08 0.0483
RFQ
ECAD 1818 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division DZ23-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 1 음극 음극 공통 100 na @ 15 v 18 v 50 옴
SE20PB-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE20PB-M3/84A 0.4800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA SE20 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 100 v 1.05 V @ 2 a 1.2 µs 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.6a 13pf @ 4V, 1MHz
VS-VSKE196/12PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKE196/12PBF 55.1840
RFQ
ECAD 3714 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 int-a-pak (3) VSKE196 기준 int-a-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsvske19612pbf 귀 99 8541.10.0080 15 1200 v 20 ma @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C 195a -
S1AFJ-M3/6B Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1AFJ-M3/6B 0.0858
RFQ
ECAD 7044 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 S1A 기준 DO-221AC (Slimsma) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 600 v 1.1 v @ 1 a 1.47 µs 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7.9pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고