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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SE40PWDCHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Se40pwdchm3/i 0.2500
RFQ
ECAD 9982 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SE40 기준 Slimdpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-se40pwdchm3/itr 귀 99 8541.10.0080 4,500 200 v 1.1 v @ 2 a 1.5 µs 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 14pf @ 4V, 1MHz
TZM5249C-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5249C-GS18 -
RFQ
ECAD 9015 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5249 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 14 v 19 v 23 옴
USB260HM3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division USB260HM3/5BT 0.2495
RFQ
ECAD 1157 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB USB260 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.6 V @ 2 a 30 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 45pf @ 4V, 1MHz
S1AFJ-M3/6B Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1AFJ-M3/6B 0.0858
RFQ
ECAD 7044 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 S1A 기준 DO-221AC (Slimsma) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 600 v 1.1 v @ 1 a 1.47 µs 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7.9pf @ 4V, 1MHz
BAT165-G3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT165-G3/H 0.3900
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-219AC Schottky DO-219AC (microSMF) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 540 mV @ 250 mA 8 µa @ 40 v 150 ° C 500ma 8.4pf @ 10V, 1MHz
BZT55B47-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55B47-GS18 0.0433
RFQ
ECAD 6341 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZT55 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 BZT55B47 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 36 v 47 v 110 옴
43CTQ100-1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 43CTQ100-1 -
RFQ
ECAD 4610 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 43ctq Schottky TO-262-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 810 mV @ 20 a 1 ma @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C
BZG05B5V1-E3-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B5V1-E3-TR3 -
RFQ
ECAD 3538 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG05B 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1.96% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05 1.25 w DO-214AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 1.5 v 5.1 v 10 옴
TLZ3V3-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ3V3-GS08 0.0335
RFQ
ECAD 8798 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TLZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TLZ3V3 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,500 1.5 v @ 200 ma 3.3 v 70 옴
V2PM15LHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v2pm15lhm3/i 0.0903
RFQ
ECAD 3903 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA v2pm15 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-V2PM15LHM3/ITR 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 760 mV @ 1 a 100 µa @ 150 v -40 ° C ~ 175 ° C 1.7a 110pf @ 4V, 1MHz
SMZJ3794AHE3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division smzj3794ahe3/52 -
RFQ
ECAD 6602 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB smzj37 1.5 w DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 750 5 µa @ 12.2 v 16 v 10 옴
VS-21DQ04TB Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-21DQ04TB -
RFQ
ECAD 5463 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 21dq04 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) VS21DQ04TB 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 650 mV @ 4 a 500 µa @ 40 v -40 ° C ~ 150 ° C 2A 130pf @ 5V, 1MHz
MBR2045CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR2045Cthe3/45 -
RFQ
ECAD 4115 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR20 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 10A 650 mV @ 10 a 100 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
GSIB2040N-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GSIB2040N-M3/45 1.8371
RFQ
ECAD 6098 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GSIB-5S GSIB2040 기준 GSIB-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,200 1 V @ 7.5 a 10 µa @ 400 v 20 a 단일 단일 400 v
BZD27C11P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C11P-HE3-08 0.1520
RFQ
ECAD 6277 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZD27C 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.2 v @ 200 ma 4 µa @ 8.2 v 11 v 7 옴
MMBZ5233C-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5233C-G3-18 -
RFQ
ECAD 2007 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5233 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 5 µa @ 3.5 v 6 v 7 옴
BYS11-90HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYS11-90HE3_A/I 0.1193
RFQ
ECAD 8970 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA BYS11 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 750 mv @ 1 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
VS-2EMH01HM3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-2EMH01HM3/5AT 0.4500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 2EMH01 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 2 a 25 ns 2 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A -
GDZ2V0B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ2V0B-E3-18 0.0360
RFQ
ECAD 3350 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division GDZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 4% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 GDZ2V0 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 120 µa @ 500 mV 2 v 100 옴
MMBZ5227C-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5227C-G3-18 -
RFQ
ECAD 2123 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5227 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 15 µa @ 1 v 3.6 v 24 옴
GDZ3V9B-HG3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ3V9B-HG3-18 0.0509
RFQ
ECAD 5339 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, GDZ-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 GDZ3V9 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 5 µa @ 1 v 3.9 v 100 옴
RS1DHE3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS1DHE3/5AT -
RFQ
ECAD 4414 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA Rs1 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
BZX55B43-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55B43-TR 0.0271
RFQ
ECAD 7322 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX55 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55B43 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 33 v 43 v 90 옴
VS-MBRD650CTPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbrd650ctpbf -
RFQ
ECAD 2746 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MBRD6 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 75 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 3A 650 MV @ 3 a 100 µa @ 50 v -40 ° C ~ 150 ° C
VB40100CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB40100CHM3/i -
RFQ
ECAD 4493 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TMBS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB VB40100 Schottky TO-263AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 730 mv @ 20 a 1 ma @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
MSE07PDHM3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division MSE07PDHM3/89A 0.3500
RFQ
ECAD 6796 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 microSMP MSE07 기준 microSMP (do-219ad) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,500 200 v 1.08 V @ 700 ma 780 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 700ma -
VLZ13C-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ13C-GS08 -
RFQ
ECAD 8462 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ13 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 40 µa @ 12.3 v 13.33 v 14 옴
V10PWM10CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10pwm10chm3/i 0.4250
RFQ
ECAD 3909 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Schottky Slimdpak 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-v10pwm10chm3/itr 귀 99 8541.10.0080 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 5a 750 mV @ 5 a 100 @ 100 v -40 ° C ~ 175 ° C
VS-MBR6045WTPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbr6045wtpbf -
RFQ
ECAD 7107 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR60 Schottky TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 30A 620 MV @ 30 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-112CNQ030ASMPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-112CNQ030ASMPBF -
RFQ
ECAD 5552 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 D-61-8-SM 112CNQ030 Schottky D-61-8-SM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs112cnq030asmpbf 귀 99 8541.10.0080 400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 55A 490 mV @ 55 a 3.5 ma @ 30 v 150 ° C (°)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고