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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
155CMQ015 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 155cmq015 -
RFQ
ECAD 5595 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-249AA (수정), D-60 155cmq Schottky D-60 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *155cmq015 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 15 v 75a 440 mV @ 75 a 20 ma @ 15 v -55 ° C ~ 125 ° C
V30K170-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v30k170-m3/i 0.8006
RFQ
ECAD 9280 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn Schottky Flatpak (5x6) 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-V30K170-M3/ITR 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 170 v 1.04 V @ 30 a 150 µa @ 170 v -40 ° C ~ 165 ° C 3.4a 1250pf @ 4V, 1MHz
RGP10D-5020M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10D-5020M3/54 -
RFQ
ECAD 1113 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 RGP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
VS-20CTH03FPPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTH03FPPBF -
RFQ
ECAD 2279 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 20cth03 기준 TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 300 v 10A 1.25 V @ 10 a 35 ns 20 µa @ 300 v -65 ° C ~ 175 ° C
GF1M-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division GF1M-E3/67A 0.6000
RFQ
ECAD 68 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214BA GF1 기준 DO-214BA (GF1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 1000 v 1.2 v @ 1 a 2 µs 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
CS1M-E3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division CS1M-E3/H -
RFQ
ECAD 6399 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA CS1 기준 DO-214AC (SMA) - 귀 99 8541.10.0080 1,800 1000 v 1.12 V @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 6pf @ 4V, 1MHz
VS-SD600R20PC Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-sd600r20pc 172.4250
RFQ
ECAD 5696 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 B-8 SD600 기준 B-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6 2000 v 1.31 V @ 1500 a 35 ma @ 2000 v -40 ° C ~ 190 ° C 600A -
TZM5245B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5245B-GS08 0.2300
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5245 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 11 v 15 v 16 옴
VS-70HFL40S05 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-70HFL40S05 11.6125
RFQ
ECAD 2052 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 70HFL40 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.85 V @ 219.8 a 500 ns 100 µa @ 400 v -40 ° C ~ 125 ° C 70A -
VS-83CNQ100APBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-83CNQ100APBF -
RFQ
ECAD 2918 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 섀시 섀시 D-61-8 83CNQ100 Schottky D-61-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 40a 1 V @ 80 a 1.5 ma @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C
VX60170PW-M3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division vx60170pw-m3/p 3.2623
RFQ
ECAD 9645 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 vx60170pw Schottky TO-247AD 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-vx60170pw-m3/p 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 170 v 30A 840 mV @ 30 a 200 µa @ 170 v -40 ° C ~ 175 ° C
EGP50A-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP50A-E3/54 -
RFQ
ECAD 2842 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 EGP50 기준 GP20 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 5 a 50 ns 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 5a 95pf @ 4V, 1MHz
ZMM5247B-7 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMM5247B-7 -
RFQ
ECAD 6757 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA ZMM52 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 13 v 17 v 19 옴
AS3BGHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division AS3BGHM3_A/H 0.1769
RFQ
ECAD 7065 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB AS3 눈사태 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.05 V @ 3 a 20 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 40pf @ 4V, 1MHz
MBRB10H90HE3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB10H90HE3/81 -
RFQ
ECAD 1595 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB10 Schottky TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 770 MV @ 10 a 4.5 µa @ 90 v -65 ° C ~ 175 ° C 10A -
SE70PGHM3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Se70pghm3/87a -
RFQ
ECAD 7023 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SE70 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 400 v 1.05 V @ 7 a 2.6 µs 20 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 2.9A 76pf @ 4v, 1MHz
TZMB3V6-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMB3V6-GS18 0.0411
RFQ
ECAD 8119 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZM 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZMB3V6 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 2 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
AZ23C20-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C20-HE3-08 0.0436
RFQ
ECAD 5079 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, AZ23 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C20 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 15 v 20 v 50 옴
VFT5202-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VFT5202-M3/4W 0.5755
RFQ
ECAD 4952 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 vft5202 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 880 mV @ 5 a 150 µa @ 200 v -40 ° C ~ 175 ° C 5a -
BZD27C24P-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C24P-M3-18 0.1650
RFQ
ECAD 7312 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZD27-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27C24 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 18 v 24 v 15 옴
MMBZ5259C-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5259C-HE3-18 -
RFQ
ECAD 2822 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5259 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 30 v 39 v 80 옴
ES2A-M3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES2A-M3/52T 0.1379
RFQ
ECAD 9666 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB ES2A 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 900 mV @ 2 a 30 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 18pf @ 4V, 1MHz
VS-12FR100M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12FR100M 8.5474
RFQ
ECAD 1323 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 12FR100 표준, 극성 역 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs12fr100m 귀 99 8541.10.0080 100 1000 v 1.26 V @ 38 a -65 ° C ~ 175 ° C 12a -
BZG05C68TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C68TR -
RFQ
ECAD 6720 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 - -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 51 v 68 v 2000 년 옴
B125C1500G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division B125C1500G-E4/51 0.8200
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4 원, wog B125 기준 wog 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 V @ 1.5 a 10 µa @ 125 v 1.5 a 단일 단일 200 v
VS-12FL40S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12FL40S02 5.1715
RFQ
ECAD 5686 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 12FL40 기준 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.4 V @ 12 a 200 ns 50 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 12a -
HFA25TB60S Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA25TB60S -
RFQ
ECAD 4104 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HFA25 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 25 a 75 ns 20 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 25A -
EGP51G-E3/D Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP51G-E3/D. -
RFQ
ECAD 5161 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 EGP51 기준 Do-201ad 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 5 a 50 ns 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 5a 48pf @ 4V, 1MHz
1N5407-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5407-E3/54 0.4700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 1N5407 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 800 v 1.2 v @ 3 a 5 µa @ 800 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1MHz
180NQ035 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 180NQ035 -
RFQ
ECAD 8820 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-67 하프 7 180NQ035 Schottky D-67 하프 7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *180NQ035 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 600 mV @ 180 a 15 ma @ 35 v 180a 7700pf @ 5V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고