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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SS14-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS14-M3/61T 0.4500
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SS14 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 1 a 200 µa @ 40 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A -
SS3P6L-E3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS3P6L-E3/86A -
RFQ
ECAD 4549 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS3P6 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 600 mV @ 3 a 150 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SL04-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SL04-HM3-08 0.4000
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SL04 Schottky DO-219AB (SMF) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 540 mV @ 1.1 a 10 ns 20 µa @ 40 v 175 ° C (°) 1.1a 65pf @ 4V, 1MHz
NSB8DT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division NSB8DT-E3/45 0.5059
RFQ
ECAD 1524 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NSB8 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 200 v 1.1 v @ 8 a 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 55pf @ 4V, 1MHz
VS-MURB2020CTTRRP Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-murb2020cttrrp -
RFQ
ECAD 8144 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB murb2020 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 10A 850 mV @ 8 a 35 ns 15 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C
VS-85EPF12 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-85EPF12 11.7500
RFQ
ECAD 1086 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 PowerTab ™, Powirtab ™ 85EPF12 기준 Powirtab ™ - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 375 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 1.3 V @ 85 a 190 ns 100 µa @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C 85A -
SMPZ3938B-E3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMPZ3938B-E3/85A -
RFQ
ECAD 7181 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-220AA smpz39 500MW DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 500 NA @ 27.4 v 36 v 38 옴
1N3293 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N3293 -
RFQ
ECAD 1082 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 1N3293 기준 DO-205AA (DO-8) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *1N3293 귀 99 8541.10.0080 10 600 v 1.5 v @ 100 a 17 ma @ 600 v -40 ° C ~ 200 ° C 100A -
VBT4045C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT4045C-M3/4W 1.6536
RFQ
ECAD 4084 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB VBT4045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 20A 580 mV @ 20 a 3 ma @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C
BYW84-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW84-TAP 0.5346
RFQ
ECAD 8064 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-64,, 방향 BYW84 눈사태 SOD-64 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 12,500 600 v 1 V @ 3 a 7.5 µs 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
SBYV27-200-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBYV27-200-E3/54 0.4600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 SBYV27 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.07 V @ 3 a 15 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 15pf @ 4V, 1MHz
VS-10TQ040-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10TQ040-M3 1.1800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 10TQ040 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 670 mV @ 20 a 2 ma @ 40 v -55 ° C ~ 175 ° C 10A 900pf @ 5V, 1MHz
MBRF745-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF745-E3/45 1.1000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 MBRF745 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 840 mV @ 15 a 100 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C 7.5A -
MBR760-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR760-E3/45 0.9300
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 MBR760 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750MV @ 7.5 a 500 µa @ 60 v -65 ° C ~ 175 ° C 7.5A -
V3FM10HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v3fm10hm3/h 0.4400
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab V3FM10 Schottky DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 830 mv @ 3 a 85 µa @ 100 v -40 ° C ~ 175 ° C 3A 240pf @ 4V, 1MHz
BZD27B43P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B43P-HE3-08 0.1238
RFQ
ECAD 8156 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZD27B 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27B43 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 33 v 43 v 45 옴
SS1FH6HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss1fh6hm3/h 0.3700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ss1fh6 Schottky DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 1 a 3 µa @ 60 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 90pf @ 4V, 1MHz
MSE1PGHM3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mse1pghm3/89a 0.3700
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 microSMP MSE1 기준 microSMP (do-219ad) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,500 400 v 1.1 v @ 1 a 780 ns 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 5pf @ 4V, 1MHz
VS-31DQ10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-31DQ10 -
RFQ
ECAD 4645 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 31dq10 Schottky C-16 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 3 a 1 ma @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C 3.3a -
PTV30B-E3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division PTV30B-E3/85A -
RFQ
ECAD 5252 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6% 150 ° C 표면 표면 DO-220AA PTV30 600MW DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 10 µa @ 23 v 32 v 18 옴
40CPQ080 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 40cpq080 -
RFQ
ECAD 3834 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 40cpq Schottky TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 20A 770 MV @ 20 a 1.25 ma @ 80 v -55 ° C ~ 175 ° C
1N4003GPHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4003GPHE3/54 -
RFQ
ECAD 4069 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4003 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 200 v 1.1 v @ 1 a 2 µs 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
VS-VSKC91/08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKC91/08 38.5600
RFQ
ECAD 1568 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 Add-A-Pak (3) vskc91 기준 Add-a-Pak® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSVSKC9108 귀 99 8541.10.0080 10 1 연결 연결 시리즈 800 v 50a 10 ma @ 800 v -40 ° C ~ 150 ° C
VS-85HFLR80S05 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-85HFLR80S05 13.5363
RFQ
ECAD 2148 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 85HFLR80 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.75 V @ 266.9 a 500 ns 100 µa @ 800 v -40 ° C ~ 125 ° C 85A -
NSF8MTHE3_B/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division NSF8MTHE3_B/P -
RFQ
ECAD 3464 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 NSF8 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 1000 v 1.1 v @ 8 a 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 55pf @ 4V, 1MHz
SS1H9HE3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS1H9HE3/5AT -
RFQ
ECAD 9297 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA SS1H9 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 770 mv @ 1 a 1 µa @ 90 v 175 ° C (°) 1A -
MMBZ4689-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4689-E3-18 -
RFQ
ECAD 4901 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4689 350 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 10 µa @ 3 v 5.1 v
MSS1P3LHM3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division MSS1P3LHM3/89A -
RFQ
ECAD 1289 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 microSMP MSS1P3 Schottky microSMP (do-219ad) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 1 a 250 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 65pf @ 4V, 1MHz
1N5398-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5398-E3/73 -
RFQ
ECAD 7602 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5398 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 800 v 1.4 V @ 1.5 a 2 µs 5 µa @ 800 v -50 ° C ~ 150 ° C 1.5A 15pf @ 4V, 1MHz
VS-6EWX06FNTRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6ewx06fntrhm3 1.0025
RFQ
ECAD 8583 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 6ewx06 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs6ewx06fntrhm3 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 3.1 V @ 6 a 21 ns 20 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고