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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
MBRB7H50-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB7H50-E3/45 -
RFQ
ECAD 3686 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB7 Schottky TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 730 MV @ 7.5 a 50 @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 7.5A -
VS-12CWQ10FNTRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12CWQ10FNTRRPBF -
RFQ
ECAD 8805 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 12CWQ10 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 6A 800 mv @ 6 a 1 ma @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
MMSZ5246C-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5246C-HE3_A-18 0.0566
RFQ
ECAD 2467 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 112-MMSZ5246C-HE3_A-18TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 12 v 16 v 17 옴
B330LA-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division B330LA-E3/5AT 0.4400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA B330 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 30 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZT52C8V2-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C8V2-G3-08 0.3100
RFQ
ECAD 5634 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT52-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52C8V2 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 6 v 8.2 v 4.5 옴
VS-305URA200 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-305URA200 -
RFQ
ECAD 1924 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 스터드 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 305URA200 표준, 극성 역 DO-205AB (DO-9) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS305URA200 귀 99 8541.10.0080 12 2000 v 1.46 V @ 942 a -40 ° C ~ 180 ° C 300A -
VS-S1352 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-S1352 -
RFQ
ECAD 1716 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 - 112-VS-S1352 쓸모없는 1
BZX384B3V9-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B3V9-G3-18 0.0445
RFQ
ECAD 3930 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX384-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384B3V9 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
GI250-4-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI250-4-M3/73 -
RFQ
ECAD 1270 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division * 테이프 & t (TB) 쓸모없는 GI250 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000
SL23-7001HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SL23-7001HE3_A/I -
RFQ
ECAD 9088 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AA, SMB SL23 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 1 (무제한) 112-SL23-7001HE3_A/ITR 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 440 mV @ 2 a 400 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
VLZ15C-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ15C-GS18 -
RFQ
ECAD 6729 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ15 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 40 µa @ 13.6 v 14.72 v 16 옴
GBPC3504W-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBPC3504W-E4/51 5.8900
RFQ
ECAD 200 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 상자 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC3504 기준 GBPC-W 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 17.5 a 5 µa @ 400 v 35 a 단일 단일 400 v
MB10H100HE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division MB10H100HE3_B/I 1.6700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MB10H100 Schottky TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 770 MV @ 10 a 4.5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 10A -
TZX11D-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzx11d-tap 0.0287
RFQ
ECAD 4718 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 테이프 & t (TB) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 TZX11 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 8.2 v 11 v 25 옴
VLZ13A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ13A-GS18 -
RFQ
ECAD 6991 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ13 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 40 µa @ 11.5 v 12.43 v 14 옴
AZ23B6V8-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B6V8-E3-18 0.0509
RFQ
ECAD 6752 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division AZ23 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23B6V8 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 3 v 6.8 v 8 옴
10ETS12S Vishay General Semiconductor - Diodes Division 10ETS12S -
RFQ
ECAD 8573 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 10ets12 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *10ETS12S 귀 99 8541.10.0080 1,000 1200 v 1.1 v @ 10 a 50 µa @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C 10A -
FESB8FTHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESB8FThe3_A/I 0.8910
RFQ
ECAD 4153 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FESB8 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.3 V @ 8 a 50 ns 10 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
MBR2045CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR2045Cthe3/45 -
RFQ
ECAD 4115 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR20 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 10A 650 mV @ 10 a 100 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
FESE8DT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fese8dt-e3/45 -
RFQ
ECAD 1967 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 fese8 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 85pf @ 4V, 1MHz
SL23HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SL23HM3_A/H 0.1779
RFQ
ECAD 4906 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SL23 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-SL23HM3_A/HTR 귀 99 8541.10.0080 750 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 440 mV @ 2 a 400 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
AU2PJHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division au2pjhm3_a/i 0.4950
RFQ
ECAD 1930 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn AU2 눈사태 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.9 V @ 2 a 75 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.6a 42pf @ 4V, 1MHz
PLZ27A-G3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ27A-G3/H 0.3200
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division plz 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% 150 ° C 표면 표면 DO-219AC plz27 500MW DO-219AC (microSMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,500 900 mV @ 10 ma 200 na @ 19 v 27 v 45 옴
MMSZ4681-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4681-HE3_A-18 -
RFQ
ECAD 9064 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 112-MMSZ4681-HE3_A-18TR 귀 99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 1 v 2.4 v
VS-3EYH01-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-3YH01-M3/I 0.4100
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 3EYH01 기준 Slimsmaw (do-221ad) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 3 a 30 ns 2 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
MURS120/2 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MURS120/2 -
RFQ
ECAD 8065 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB MURS120 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 875 mv @ 1 a 35 ns 2 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 2A -
TLZ5V6B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ5V6B-GS08 0.2500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TLZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TLZ5V6 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 2 v 5.6 v 13 옴
ES3G-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division es3g-e3/9at 0.6300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC es3g 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.1 v @ 3 a 50 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1MHz
GBPC3502-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBPC3502-E4/51 6.1300
RFQ
ECAD 100 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC3502 기준 GBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 17.5 a 5 µa @ 200 v 35 a 단일 단일 200 v
GI2402HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI2402HE3/45 -
RFQ
ECAD 3182 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 GI2402 기준 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 16A 975 MV @ 8 a 35 ns 50 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고