SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
VS-15EWX06FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-15ewx06fn-m3 1.3100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 대부분 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 15ewx06 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 75 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 3.2 v @ 15 a 22 ns 200 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
EGP10DE-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10DE-M3/73 -
RFQ
ECAD 6296 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 쓸모 쓸모 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 EGP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 1 a 50 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 22pf @ 4V, 1MHz
PTV22B-E3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division PTV22B-E3/84A -
RFQ
ECAD 8107 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 ± 6% 150 ° C 표면 표면 DO-220AA PTV22 600MW DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 10 µa @ 17 v 23.3 v 14 옴
1N4947GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4947GP-E3/54 0.5000
RFQ
ECAD 8230 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4947 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 1 a 250 ns 1 µa @ 800 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
30WQ03FNTR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 30wq03fntr -
RFQ
ECAD 8421 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 30WQ03 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 450 mV @ 3 a 2 ma @ 30 v -40 ° C ~ 150 ° C 3.5a -
VS-6F10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6F10 5.2510
RFQ
ECAD 2429 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 6f10 기준 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 100 v 1.1 v @ 19 a 12 ma @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
VB20100C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB20100C-E3/8W 1.9100
RFQ
ECAD 791 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB VB20100 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 790 mV @ 10 a 800 µa @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
DZ23C16-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C16-HE3_A-08 -
RFQ
ECAD 8648 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, DZ23 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 다운로드 112-DZ23C16-HE3_A-08TR 귀 99 8541.10.0050 1 1 음극 음극 공통 100 na @ 12 v 16 v 13 옴
30HFUR-400 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 30HFUR-400 -
RFQ
ECAD 6206 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모 쓸모 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 30hfur 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *30HFUR-400 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.45 V @ 30 a 80 ns 35 µa @ 400 v -40 ° C ~ 125 ° C 30A -
TZM5251F-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5251F-GS08 -
RFQ
ECAD 6781 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 - 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5251 500MW SOD-80 최소값 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 17 v 22 v 600 옴
VS-31DQ06 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-31DQ06 -
RFQ
ECAD 5012 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모 쓸모 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 31dq06 Schottky C-16 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 620 MV @ 3 a 2 ma @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C 3.3a -
VS-12TQ045PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12TQ045PBF -
RFQ
ECAD 5753 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 12TQ045 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 560 mV @ 15 a 1.75 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a -
VS-SD1053C30S30L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD1053C30S30L 160.0533
RFQ
ECAD 6178 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 클램프 클램프 DO-200AB, B-PUK SD1053 기준 DO-200AB, B-PUK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSSD1053C30S30L 귀 99 8541.10.0080 3 3000 v 2.26 V @ 1500 a 3 µs -40 ° C ~ 150 ° C 920A -
SS1P4LHM3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS1P4LHM3/85A 0.5000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA SS1P4 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 480 mV @ 1 a 150 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 130pf @ 4V, 1MHz
RGP10M-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10M-E3/53 -
RFQ
ECAD 6744 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 RGP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
GDZ4V3B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ4V3B-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 7004 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, GDZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 GDZ4V3 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 5 µa @ 1 v 4.3 v 100 옴
RGP02-16EHE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-16EHE3/53 -
RFQ
ECAD 2960 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모 쓸모 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 RGP02 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1600 v 1.8 v @ 100 ma 300 ns 5 µa @ 1600 v -65 ° C ~ 175 ° C 500ma -
SS3H9-M3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS3H9-M3/57T 0.2373
RFQ
ECAD 7835 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC SS3H9 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 800 mv @ 3 a 20 µa @ 90 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
S2B-001HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division S2B-001HE3_A/I -
RFQ
ECAD 8913 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMBJ) - Rohs3 준수 1 (무제한) 112-S2B-001HE3_A/ITR 귀 99 8541.10.0080 3,200 100 v 1.15 V @ 1.5 a 2 µs 1 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 16pf @ 4V, 1MHz
TZX30C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzx30c c 0.0285
RFQ
ECAD 6450 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 테이프 & t (TB) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 TZX30 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 23 v 30 v 100 옴
SS2PH10HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss2ph10hm3_a/h 0.4800
RFQ
ECAD 89 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA SS2PH10 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 800 mV @ 2 a 1 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 65pf @ 4V, 1MHz
VS-E5TX2106S2LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx2106s2lhm3 2.4900
RFQ
ECAD 850 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® G5 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.31 V @ 20 a 41 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 20A -
VS-20CTQ035HN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTQ035HN3 1.6088
RFQ
ECAD 8529 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 20ctq035 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs20ctq035hn3 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 10A (DC) 570 mV @ 10 a 2 ma @ 35 v 175 ° C (°)
SMAZ5942B-M3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMAZ5942B-M3/61 0.1063
RFQ
ECAD 1774 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA smaz5942 500MW DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 38.8 v 51 v 70 옴
1N5818-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5818-E3/73 0.4200
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5818 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 1 a 1 ma @ 30 v -65 ° C ~ 125 ° C 1A -
GP10YE-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gp10ye-m3/73 -
RFQ
ECAD 3586 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모 쓸모 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1600 v 1.3 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 1600 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 5pf @ 4V, 1MHz
BYM10-1000HE3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM10-1000HE3/96 -
RFQ
ECAD 5927 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-213ab, melf (유리) bym10 기준 do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BYM10-1000HE3_A/H 귀 99 8541.10.0080 1,500 1000 v 1.2 v @ 1 a 10 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
1N5618GPHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5618GPHE3/54 -
RFQ
ECAD 5987 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 1N5618 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 600 v 1.2 v @ 1 a 2 µs 500 NA @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 25pf @ 12v, 1MHz
VS-30CTQ045STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ045STRL-M3 1.7000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 30CTQ045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 620 MV @ 15 a 2 ma @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C
S3M-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S3M-M3/9AT 0.1549
RFQ
ECAD 7929 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S3M 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 1000 v 1.15 V @ 2.5 a 2.5 µs 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고