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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BZG05B6V2-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B6V2-M3-18 0.1980
RFQ
ECAD 9999 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG05B-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.94% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05B6V2 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 3 v 6.2 v 4 옴
SA2D-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SA2D-M3/5AT 0.0717
RFQ
ECAD 1255 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SA2 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 200 v 1.1 v @ 2 a 1.5 µs 3 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 11pf @ 4V, 1MHz
VS-15ETH06-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15ETH06-1-M3 0.5940
RFQ
ECAD 2327 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 15ETH06 기준 TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.2 v @ 15 a 35 ns 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
BAS40-05-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS40-05-E3-18 0.3800
RFQ
ECAD 3836 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 Schottky SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 40 v 200ma 1 v @ 40 ma 5 ns 100 na @ 30 v 125 ° C (°)
BZM55C6V8-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZM55C6V8-TR 0.2800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZM55 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 BZM55C6V8 500MW 마이크로 마이크로 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 3 v 6.8 v 150 옴
FESE16AT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESE16AT-E3/45 -
RFQ
ECAD 8796 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 FESE16 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 975 MV @ 16 a 35 ns 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C
10TQ045 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 10TQ045 -
RFQ
ECAD 9962 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 10TQ045 Schottky TO-220AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 760 mV @ 10 a 6 ma @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C 10A -
MMBZ5227B-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5227B-G3-08 -
RFQ
ECAD 1560 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5227 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 15 µa @ 1 v 3.6 v 24 옴
BYT78-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT78-TAP 1.1500
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-64,, 방향 BYT78 눈사태 SOD-64 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.2 v @ 3 a 250 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
SB140-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB140-E3/54 0.4200
RFQ
ECAD 58 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SB140 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 480 mV @ 1 a 500 µa @ 40 v -65 ° C ~ 125 ° C 1A -
GP10GE-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10GE-E3/73 -
RFQ
ECAD 3614 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 400 v 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
SML4758HE3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4758HE3/5A -
RFQ
ECAD 1199 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4758 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 5 µa @ 42.6 v 56 v 110 옴
SSC53L-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SSC53L-E3/9AT 0.6100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC SSC53 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 450 mV @ 5 a 700 µa @ 30 v -65 ° C ~ 150 ° C 5a -
V3FL45-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v3fl45-m3/h 0.3700
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab v3fl45 Schottky DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 580 mV @ 3 a 750 µa @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C 3A 370pf @ 4V, 1MHz
VS-10CTQ150PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10CTQ150PBF -
RFQ
ECAD 4971 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 10ctq150 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 5a 930 MV @ 5 a 50 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C
VS-6FL80S05 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6FL80S05 5.7283
RFQ
ECAD 1644 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 6FL80 기준 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.4 v @ 6 a 500 ns 50 µa @ 800 v -65 ° C ~ 150 ° C 6A -
GLL4762-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GLL4762-E3/96 0.3053
RFQ
ECAD 8429 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF GLL4762 1 W. Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 5 µa @ 62.2 v 82 v 200 옴
VBT2060C-M3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT2060C-M3/8W 0.8443
RFQ
ECAD 1466 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB vbt2060 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 650 mV @ 10 a 850 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRB2035CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB2035CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 2393 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB20 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 10A 650 mV @ 10 a 100 µa @ 35 v -65 ° C ~ 150 ° C
BZT03D220-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03D220-TAP -
RFQ
ECAD 8530 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT03 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 5.68% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SOD-57,, 방향 BZT03 1.3 w SOD-57 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 160 v 220 v 750 옴
BZX584C2V7-V-G-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX584C2V7-VG-08 -
RFQ
ECAD 7414 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX584C-VG 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX584C 200 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 50 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
SD101CWS-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD101CWS-G3-08 0.0612
RFQ
ECAD 1666 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 SD101 Schottky SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 15,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 900 mv @ 15 ma 1 ns 200 na @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 30ma 2.2pf @ 0v, 1MHz
SE20AFD-M3/6B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE20AFD-M3/6B 0.1058
RFQ
ECAD 3885 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 SE20 기준 DO-221AC (Slimsma) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 200 v 1.1 v @ 2 a 1.2 µs 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.3a 12pf @ 4V, 1MHz
BAS282-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS282-GS18 0.0570
RFQ
ECAD 7464 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-80 변형 BAS282 Schottky SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 50 v 1 V @ 15 ma 200 na @ 200 v 125 ° C (°) 30ma 1.6pf @ 1v, 1MHz
MSQ1PGHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division msq1pghm3/h 1.5600
RFQ
ECAD 4784 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 microSMP MSQ1 기준 microSMP (do-219ad) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,500 400 v 1.2 v @ 1 a 650 ns 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 4pf @ 4V, 1MHz
BZT52B3V3-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B3V3-G3-18 0.0501
RFQ
ECAD 1671 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT52-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52B3V3 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 3.3 v 80 옴
SS14HE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS14HE3_B/I 0.4500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SS14 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 200 µa @ 40 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A -
SS3H10-M3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS3H10-M3/57T 0.2373
RFQ
ECAD 7727 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC SS3H10 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 800 mv @ 3 a 20 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
SBLB25L30CTHE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sblb25l30cthe3_b/i 1.0395
RFQ
ECAD 6838 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SBLB25L30 Schottky TO-263AB 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-SBLB25L30Cthe3_B/ITR 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 12.5A 490 MV @ 12.5 a 900 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
30HFUR-600 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 30HFUR-600 -
RFQ
ECAD 6546 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 30hfur 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *30HFUR-600 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.45 V @ 30 a 80 ns 35 µa @ 600 v -40 ° C ~ 125 ° C 30A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고