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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
VX60M120CHM3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VX60M120CHM3/p 1.2656
RFQ
ECAD 9990 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 vx60m Schottky TO-220AB 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-VX60M120CHM3/p 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 30A 950 MV @ 30 a 550 µa @ 120 v -40 ° C ~ 175 ° C
MSE07PJHM3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division MSE07PJHM3/89A 0.3500
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 microSMP MSE07 기준 microSMP (do-219ad) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,500 600 v 1.08 V @ 700 ma 780 ns 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 700ma 5pf @ 4V, 1MHz
MBRB1645HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1645HE3/45 -
RFQ
ECAD 3562 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB16 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 630 mv @ 16 a 200 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
SSA33LHE3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SSA33LHE3/5AT -
RFQ
ECAD 1163 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA SSA33 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 450 mV @ 3 a 500 µa @ 30 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
121NQ040 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 121NQ040 -
RFQ
ECAD 6949 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-67 하프 7 121NQ040 Schottky D-67 하프 7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *121NQ040 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 650 mV @ 120 a 10 ma @ 40 v 120a 5200pf @ 5V, 1MHz
VLZ3V3B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ3V3B-GS08 -
RFQ
ECAD 1669 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ3V3 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 3.43 v 70 옴
AZ23B4V3-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B4V3-E3-18 0.0509
RFQ
ECAD 9132 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division AZ23 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23B4V3 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 양극 양극 공통 4.3 v 95 옴
BZX55F9V1-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55F9V1-TR -
RFQ
ECAD 5809 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 6.8 v 9.1 v 10 옴
113CNQ100A Vishay General Semiconductor - Diodes Division 113CNQ100A -
RFQ
ECAD 3834 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-61-8 113CNQ Schottky D-61-8 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 55A 810 mV @ 55 a 1 ma @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C
SMAZ5919B-E3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMAZ5919B-E3/61 0.3900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA smaz5919 500MW DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.5 v @ 200 ma 200 µa @ 3 v 5.6 v 5 옴
VSSAF510-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSSAF510-M3/H 0.3900
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS®, Slimsma ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 SAF510 Schottky DO-221AC (Slimsma) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 750 mV @ 5 a 500 µa @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C 5a 440pf @ 4V, 1MHz
RGP5100HE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP5100HE3/73 -
RFQ
ECAD 6252 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 RGP51 기준 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 1000 v - 500ma -
DZ23B6V8-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23B6V8-G3-08 -
RFQ
ECAD 2911 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division DZ23-G 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 음극 음극 공통 100 na @ 3 v 6.8 v 8 옴
BZX84B51-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B51-G3-18 0.0389
RFQ
ECAD 4062 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX84-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B51 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 na @ 35.7 v 51 v 180 옴
VS-70HFR20 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-70HFR20 8.5200
RFQ
ECAD 1521 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 70hfr20 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 200 v 1.35 V @ 220 a 15 ma @ 200 v -65 ° C ~ 180 ° C 70A -
VS-1ENH01-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-1enh01-m3/84a 0.3800
RFQ
ECAD 655 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA 1enh01 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 920 MV @ 1 a 28 ns 2 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
VT3060GHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT3060GHM3/4W -
RFQ
ECAD 9648 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 VT3060 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VT3060GHM34W 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 15a 730 mv @ 15 a 850 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
VLZ5V6C-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ5V6C-GS18 -
RFQ
ECAD 2278 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ5V6 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 2 v 5.76 v 13 옴
S4PGHM3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division S4PGHM3/87A -
RFQ
ECAD 4494 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn S4P 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 400 v 1.1 v @ 4 a 2.5 µs 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 4a 30pf @ 4V, 1MHz
MMBZ4691-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4691-HE3-08 -
RFQ
ECAD 8301 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4691 350 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 10 µa @ 5 v 6.2 v
SD101C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD101C-TAP 0.0437
RFQ
ECAD 9187 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 SD101 Schottky DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 50,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 900 mv @ 15 ma 200 na @ 30 v 125 ° C (°) 30ma 2.2pf @ 0v, 1MHz
161CNQ045 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 161CNQ045 -
RFQ
ECAD 6616 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-249AA 161cnq Schottky TO-249AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *161CNQ045 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 80a 710 MV @ 80 a 5 ma @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C
BZT52C24-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C24-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 2337 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZT52 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52C24 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 18 v 24 v 28 옴
VS-30WQ04FNTRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30WQ04FNTRHM3 0.8379
RFQ
ECAD 9986 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 30WQ04 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs30wq04fntrhm3 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 530 mV @ 3 a 2 ma @ 40 v -40 ° C ~ 150 ° C 3.5a 189pf @ 5V, 1MHz
SSB44HM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SSB44HM3_A/I 0.4800
RFQ
ECAD 2594 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SSB44 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 490 mV @ 4 a 400 µa @ 40 v -65 ° C ~ 150 ° C 4a -
VLZ8V2-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ8V2-GS18 -
RFQ
ECAD 4173 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ8V2 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 8.2 v 8 옴
BZT52B2V4-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B2V4-HE3-18 0.0454
RFQ
ECAD 6124 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZT52 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52B2V4 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 2.4 v 85 옴
ES07B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES07B-GS08 0.4200
RFQ
ECAD 71 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ES07 기준 DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 980 MV @ 1 a 25 ns 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
EGP10CHM3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10CHM3/54 -
RFQ
ECAD 4840 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 EGP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 1 a 50 ns 5 µa @ 150 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 22pf @ 4V, 1MHz
MMSZ4705-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4705-G3-18 0.0409
RFQ
ECAD 3852 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ4705 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 NA @ 13.6 v 18 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고