SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
VS-30CTH02STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTH02STRL-M3 1.5400
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 30cth02 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 15a 1.05 V @ 15 a 35 ns 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C
1N5617GPHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5617GPHE3/54 -
RFQ
ECAD 2636 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 1N5617 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.2 v @ 1 a 150 ns 500 NA @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 25pf @ 4V, 1MHz
SML4750HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4750HE3_A/I 0.2063
RFQ
ECAD 5959 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4750 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 5 µa @ 20.6 v 27 v 35 옴
SD101CWS-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD101CWS-E3-18 0.0543
RFQ
ECAD 7894 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 SD101 Schottky SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 900 mv @ 15 ma 1 ns 200 na @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 30ma 2.2pf @ 0v, 1MHz
SS3H9HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS3H9HE3_A/H -
RFQ
ECAD 9371 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AB, SMC SS3H9 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 800 mv @ 3 a 20 µa @ 90 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
EGP50AHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egp50ahe3/54 -
RFQ
ECAD 6034 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 EGP50 기준 GP20 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 5 a 50 ns 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 5a 95pf @ 4V, 1MHz
V30DL45BP-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v30dl45bp-m3/i 1.0500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 v30dl45 Schottky SMPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 650 mV @ 30 a 3 ma @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C 30A -
VS-MBR745PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbr745pbf -
RFQ
ECAD 9109 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 MBR7 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 840 mV @ 15 a 100 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C 7.5A -
SS8P2CLHM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS8P2CLHM3/86A -
RFQ
ECAD 2641 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS8P2 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 20 v 4a 540 mV @ 4 a 300 µa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZT52C33-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C33-G3-18 0.0409
RFQ
ECAD 2291 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT52-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52C33 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 25 v 33 v 40
MURS140-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division MURS140-M3/5BT 0.1280
RFQ
ECAD 4435 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB MURS140 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
V12PM10HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v12pm10hm3/h 0.9300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn v12pm10 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 750 mV @ 12 a 200 µa @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C 12a -
TZMB43-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMB43-GS18 0.0411
RFQ
ECAD 7153 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZM 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZMB43 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 33 v 43 v 90 옴
SMBZ5926B-M3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMBZ5926B-M3/5B 0.1906
RFQ
ECAD 1662 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBZ5926 550 MW DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,200 1.5 v @ 200 ma 5 µa @ 8.4 v 11 v 5.5 옴
VS-30CTQ040PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ040PBF -
RFQ
ECAD 2110 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 30CTQ040 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 15a 620 MV @ 15 a 2 ma @ 40 v -55 ° C ~ 175 ° C
BZX384C51-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C51-E3-08 0.0324
RFQ
ECAD 5147 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384C51 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 50 na @ 35.7 v 51 v 180 옴
GDZ6V2B-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ6V2B-G3-08 0.0445
RFQ
ECAD 4648 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division GDZ-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 GDZ6V2 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 1 µa @ 3 v 6.2 v 60 옴
MSE1PDHM3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division mse1pdhm3/89a 0.3700
RFQ
ECAD 71 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 microSMP MSE1 기준 microSMP (do-219ad) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,500 200 v 1.1 v @ 1 a 780 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 5pf @ 4V, 1MHz
10BQ030 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 10BQ030 -
RFQ
ECAD 5013 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 표면 표면 DO-214AA, SMB 10BQ030 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 420 MV @ 1 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
VLZ30B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ30B-GS18 -
RFQ
ECAD 3537 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ30 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 40 µa @ 26.3 v 28.42 v 55 옴
VS-31DQ03 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-31DQ03 -
RFQ
ECAD 6276 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 31dq03 Schottky C-16 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 570 mV @ 3 a 1 ma @ 30 v -40 ° C ~ 150 ° C 3.3a -
VS-8TQ100GSTRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8TQ100GSTRRPBF -
RFQ
ECAD 4922 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 8TQ100 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) vs8tq100gstrrpbf 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 720 MV @ 8 a 280 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a 500pf @ 5V, 1MHz
MBRB20100CT-M3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB20100CT-M3/8W 1.0225
RFQ
ECAD 7810 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB20100 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 800 mV @ 10 a 100 @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C
SMZJ3798B81HE3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3798B81HE3/5B -
RFQ
ECAD 2327 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB smzj37 1.5 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 18.2 v 24 v 19 옴
TZM5243C-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5243C-GS18 -
RFQ
ECAD 9415 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5243 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 9.9 v 13 v 13 옴
ESH1D-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH1D-E3/61T 0.4100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA ESH1 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 1 a 25 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
SS8PH10-E3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss8ph10-e3/87a -
RFQ
ECAD 6544 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn ss8ph10 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 900 mV @ 8 a 2 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a -
VS-12CWQ03FNTRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12CWQ03FNTRRPBF -
RFQ
ECAD 3712 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 12CWQ03 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 6A 470 mV @ 6 a 3 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-20CTQ150S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTQ150S-M3 1.6200
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20ctq150 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 10A 880 mV @ 10 a 25 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C
VS-16CTQ080G-1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTQ080G-1PBF -
RFQ
ECAD 8357 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 16ctq080 Schottky TO-262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) vs16ctq080g1pbf 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 8a 880 mV @ 16 a 280 µa @ 80 v 175 ° C (°)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고