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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BZX84B24-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B24-E3-08 0.2400
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX84 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B24 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 50 NA @ 16.8 v 23.5 v 70 옴
1N4002/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4002/54 -
RFQ
ECAD 8328 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4002 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 100 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
VS-STPS30L60CWPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-STPS30L60CWPBF -
RFQ
ECAD 4077 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 STPS30 Schottky TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 15a 800 mV @ 30 a 480 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZT55B13-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55B13-GS18 0.0433
RFQ
ECAD 3265 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZT55 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 BZT55B13 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 10 v 13 v 26 옴
V20120C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20120C-E3/4W 1.5300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 V20120 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 10A 900 mV @ 10 a 700 µa @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C
MBR10100-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR10100-M3/4W 1.2000
RFQ
ECAD 1287 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 MBR1010 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 800 mV @ 10 a 100 @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 10A -
ZMM5231B-13 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMM5231B-13 -
RFQ
ECAD 7343 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) ZMM52 500MW DO-213AA (GL34) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) ZMM5231B-13GI 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 5 µa @ 2 v 5.1 v 17 옴
V10KM60CHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10km60chm3/h 0.3557
RFQ
ECAD 5887 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn Schottky Flatpak (5x6) 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-V10KM60CHM3/HTR 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 4.8a 630 mv @ 5 a 600 µa @ 60 v -40 ° C ~ 175 ° C
GP10GEHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gp10gehe3/73 -
RFQ
ECAD 2225 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 400 v 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
MMSZ4698-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4698-G3-18 0.0409
RFQ
ECAD 8087 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ4698 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 na @ 8.4 v 11 v
BZG05B10-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B10-M3-18 0.1980
RFQ
ECAD 2007 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG05B-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05B10 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 7 v 10 v 7 옴
ESH1PCHE3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH1PCHE3/85A -
RFQ
ECAD 5830 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-220AA ESH1 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 900 mV @ 1 a 25 ns 1 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 25pf @ 4V, 1MHz
BZG05C36-HE3-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C36-HE3-TR3 -
RFQ
ECAD 1343 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG05C 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 27 v 36 v 40
BZD27C160P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C160P-E3-18 0.1612
RFQ
ECAD 6313 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZD27C 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27C160 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 120 v 160 v 350 옴
MMBZ4684-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4684-E3-18 -
RFQ
ECAD 1243 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4684 350 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 7.5 µa @ 1.5 v 3.3 v
GI910-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI910-E3/54 -
RFQ
ECAD 9504 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 GI910 기준 Do-201ad - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 50 v 1.25 V @ 3 a 750 ns 10 µa @ 50 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
TZX3V3C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzx3v3c-tap 0.0290
RFQ
ECAD 7684 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 테이프 & t (TB) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 TZX3V3 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.5 v @ 200 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 100 옴
MMBZ4704-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4704-E3-18 -
RFQ
ECAD 4427 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4704 350 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 na @ 12.9 v 17 v
30CPQ030 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 30cpq030 -
RFQ
ECAD 4262 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 30cpq Schottky TO-247AC - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *30cpq030 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 15a 540 mV @ 15 a 1.75 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
TZM5239C-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5239C-GS18 -
RFQ
ECAD 6631 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5239 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 3 µa @ 7 v 9.1 v 10 옴
AS4PM-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AS4PM-M3/86A 0.7300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn AS4 눈사태 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 1000 v 962 MV @ 2 a 1.8 µs 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 175 ° C 2.4a 60pf @ 4V, 1MHz
BZT55B16-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55B16-GS08 0.0433
RFQ
ECAD 5661 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZT55 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 BZT55B16 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 12 v 16 v 40
BYT56J-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byt56j-tr 0.5247
RFQ
ECAD 1080 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-64,, 방향 BYT56 눈사태 SOD-64 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 12,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.4 V @ 3 a 100 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
VS-50SQ100GTR Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50SQ100GTR -
RFQ
ECAD 2270 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AR, 4 방향 50SQ100 Schottky DO-204AR 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) VS50SQ100GTR 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 660 mV @ 5 a 150 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 5a 500pf @ 5V, 1MHz
MMSZ5229B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5229B-E3-18 0.0360
RFQ
ECAD 6406 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5229 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 5 µa @ 1 v 4.3 v 22 옴
241NQ045R Vishay General Semiconductor - Diodes Division 241NQ045R -
RFQ
ECAD 6376 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-67 하프 7 241NQ045 Schottky D-67 하프 7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 690 mV @ 240 a 20 ma @ 45 v 240A 10300pf @ 5V, 1MHz
BZT52C30-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C30-G3-18 0.0409
RFQ
ECAD 6319 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT52-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52C30 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 22.5 v 30 v 35 옴
ZMM5239B-7 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMM5239B-7 -
RFQ
ECAD 6245 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) ZMM52 500MW DO-213AA (GL34) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 3 µa @ 7 v 9.1 v 10 옴
RGL34BHE3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGL34BHE3/98 -
RFQ
ECAD 1383 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AA (유리) RGL34 기준 DO-213AA (GL34) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 RGL34BHE3_A/H 귀 99 8541.10.0070 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 v @ 500 ma 150 ns 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
BZT52A15-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52A15-HE3-08 -
RFQ
ECAD 8626 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division * 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 BZT52 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고