전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | v15p8hm3_a/i | 0.4562 | ![]() | 1410 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | v15p8 | Schottky | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 80 v | 660 mV @ 15 a | 1.2 ma @ 80 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 15a | - | ||||||||||||||
![]() | VS-10CTQ150STRL-M3 | 1.4100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 10ctq150 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 짐 | 1 음극 음극 공통 | 150 v | 5a | 930 MV @ 5 a | 50 µa @ 150 v | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||
![]() | SMAZ5945B-E3/5A | 0.1150 | ![]() | 1227 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | smaz5945 | 500MW | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 51.7 v | 68 v | 120 옴 | |||||||||||||
![]() | VSKC250-16 | - | ![]() | 3068 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | 3-MAGN-A-PAK ™ | VSKC250 | 기준 | Magn-A-Pak® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2 | 짐 | 1 음극 음극 공통 | 1600 v | 250A | 50 ma @ 1600 v | ||||||||||||||
![]() | IRKJ91/08A | - | ![]() | 6585 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | Add-A-Pak (3) | IRKJ91 | 기준 | Add-a-Pak® | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10 | 짐 | 1 양극 양극 공통 | 800 v | 100A | 10 ma @ 800 v | ||||||||||||||
MMBZ5236B-E3-18 | - | ![]() | 7942 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5236 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 3 µa @ 6 v | 7.5 v | 6 옴 | |||||||||||||||
vs-mbr745pbf | - | ![]() | 9109 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | MBR7 | Schottky | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 840 mV @ 15 a | 100 µa @ 45 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 7.5A | - | |||||||||||||
![]() | 47ctq020-1 | - | ![]() | 4957 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | 47ctq | Schottky | TO-262-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *47ctq020-1 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 20 v | 20A | 450 mV @ 20 a | 3 ma @ 20 v | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | TZMB68-GS08 | 0.3100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, TZM | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | tzmb68 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 51 v | 68 v | 200 옴 | |||||||||||||
VS-112CNQ030APBF | - | ![]() | 6365 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | D-61-8 | 112CNQ030 | Schottky | D-61-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 200 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 30 v | 55A | 490 mV @ 55 a | 3.5 ma @ 30 v | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||
![]() | vs-mbrb1635trrpbf | - | ![]() | 4444 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB16 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vsmbrb1635trrpbf | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 35 v | 630 mv @ 16 a | 200 µa @ 35 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | 1400pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||
![]() | smzj3796bhe3_b/h | 0.1508 | ![]() | 1648 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SMZJ3796 | 1.5 w | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 112-SMZJ3796BHE3_B/H | 귀 99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µa @ 15.2 v | 20 v | 14 옴 | ||||||||||||||
![]() | STPS1045BTRR | - | ![]() | 5778 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STPS1045 | Schottky | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 630 mv @ 10 a | 200 µa @ 45 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 10A | 760pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | 1N5625-TR | 1.0100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | SOD-64,, 방향 | 1N5625 | 눈사태 | SOD-64 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 짐 | 400 v | 1 V @ 3 a | 3 µs | 1 µa @ 400 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | Z4KE110EHE3/73 | - | ![]() | 5113 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | Z4KE110 | 1.5 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 500 MA | 500 NA @ 83.2 v | 110 v | 600 옴 | |||||||||||||
![]() | PLZ2V7B-HG3_A/H | 0.3600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, plz | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 3.93% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-219AC | plz2v7 | 960 MW | DO-219AC (microSMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mV @ 10 ma | 100 µa @ 1 v | 2.8 v | 100 옴 | |||||||||||||
![]() | IRKD236/16 | - | ![]() | 5895 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | int-a-pak (3) | IRKD236 | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3 | 짐 | 1 연결 연결 시리즈 | 1600 v | 230a | 20 ma @ 1600 v | ||||||||||||||
![]() | UH3B-E3/9AT | - | ![]() | 9028 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | uh3 | 기준 | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 1.05 V @ 3 a | 40 ns | 5 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||||
![]() | SS14HE3_B/I | 0.4500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SS14 | Schottky | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 200 µa @ 40 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||
![]() | TZMC3V3-M-08 | 0.0324 | ![]() | 8385 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, TZM-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZMC3V3 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 v @ 200 ma | 2 µa @ 1 v | 3.3 v | 90 옴 | |||||||||||||
![]() | BZG05B13-HM3-18 | 0.2079 | ![]() | 8707 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZG05B-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG05B13 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 10 v | 13 v | 10 옴 | |||||||||||||
![]() | ZMY24-GS08 | 0.4200 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C | 표면 표면 | do-213ab, melf (유리) | ZMY24 | 1 W. | do-213ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 500 na @ 18 v | 24 v | 14 옴 | ||||||||||||||
HFA70NC60C | - | ![]() | 7349 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Hexfred® | 대부분 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | D-61-8 | HFA70 | 기준 | D-61-8 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *HFA70NC60C | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 600 v | 56A (DC) | 1.5 V @ 35 a | 110 ns | 10 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | VS-30CPQ050PBF | - | ![]() | 6756 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 30cpq05 | Schottky | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 50 v | 15a | 600 mV @ 15 a | 800 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | v15p12hm3/i | 0.4620 | ![]() | 6129 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | v15p12 | Schottky | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 120 v | 810 mV @ 15 a | 1 ma @ 120 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 15a | - | ||||||||||||||
![]() | BZX384B27-E3-18 | 0.0360 | ![]() | 8441 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZX384 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | BZX384B27 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 NA @ 18.9 v | 27 v | 80 옴 | ||||||||||||||
![]() | W10G-E4/51 | 0.8000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4 원, wog | W10 | 기준 | wog | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 V @ 1 a | 5 µa @ 1000 v | 1.5 a | 단일 단일 | 1kv | |||||||||||||
![]() | v10k170chm3/h | 0.7374 | ![]() | 8117 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 8-powertdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 112-V10K170CHM3/HTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 170 v | 2.8a | 870 mV @ 5 a | 15 µa @ 170 v | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||
![]() | tzx18a-tr | 0.2300 | ![]() | 667 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, TZX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | TZX18 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 13 v | 18 v | 55 옴 | |||||||||||||
![]() | SS12P4S-M3/87A | 0.5042 | ![]() | 2526 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | SS12P4 | Schottky | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 600 mV @ 12 a | 800 µa @ 40 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 12a | 750pf @ 4V, 1MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고