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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
MMSZ5236C-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5236C-G3-18 0.0483
RFQ
ECAD 1482 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5236 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 3 µa @ 6 v 7.5 v 6 옴
PLZ24A-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ24A-HG3_A/H 0.3600
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, plz 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.5% 150 ° C 표면 표면 DO-219AC plz24 500MW DO-219AC (microSMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,500 900 mV @ 10 ma 200 na @ 19 v 24 v 35 옴
303CNQ100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 303CNQ100 -
RFQ
ECAD 8704 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB 303CNQ Schottky TO-244AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 300A 1.09 V @ 300 a 4.5 ma @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C
BZT52B24-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B24-G3-08 0.0483
RFQ
ECAD 7499 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT52-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52B24 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 18 v 24 v 70 옴
VS-SD400C12C Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD400C12C 61.7825
RFQ
ECAD 8636 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 클램프 클램프 DO-200AA, A-PUK SD400 기준 DO-200AA, A-PUK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 12 1200 v 1.86 V @ 1930 a 15 ma @ 1200 v 800A -
TLZ33-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ33-GS18 0.0335
RFQ
ECAD 7555 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TLZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TLZ33 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 33 v 65 옴
VT2045CBP-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT2045CBP-M3/4W 0.8471
RFQ
ECAD 5059 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 VT2045 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 10A 580 mV @ 10 a 2 ma @ 45 v 200 ° C (()
48CTQ060STRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 48ctq060strr -
RFQ
ECAD 2058 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 48CTQ Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 20A 610 mV @ 20 a 2 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
HFA80NC40CPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA80NC40CPBF -
RFQ
ECAD 2877 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-61-8 HFA80 기준 D-61-8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 85A (DC) 1.5 V @ 80 a 100 ns 3 µa @ 400 v -
40CPQ050 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 40cpq050 -
RFQ
ECAD 9308 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 40cpq Schottky TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 20A 530 mV @ 20 a 1.7 ma @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
UH2BHE3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH2BHE3/5BT -
RFQ
ECAD 7297 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB uh2 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.05 V @ 2 a 35 ns 2 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A -
BYD13MGPHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYD13MGPHE3/54 -
RFQ
ECAD 6006 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BYD13 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 1000 v 1.2 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 7pf @ 4V, 1MHz
MBR2060CT-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR2060CT-E3/4W -
RFQ
ECAD 7071 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR20 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 800 mV @ 10 a 150 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C
MMBZ4706-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4706-E3-18 -
RFQ
ECAD 5040 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4706 350 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 NA @ 14.4 v 19 v
MMBZ4705-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4705-G3-18 -
RFQ
ECAD 6193 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4705 350 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 NA @ 13.6 v 18 v
VS-85HFL60S02M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-85HFL60S02M 22.8236
RFQ
ECAD 6349 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 85HFL60 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS85HFL60S02M 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.75 V @ 267 a 120 ns -40 ° C ~ 125 ° C 85A -
32CTQ030STRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 32ctq030strl -
RFQ
ECAD 5668 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 32CTQ Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 15a 490 mV @ 15 a 1.75 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
RS3DHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS3DHE3_A/H 0.2620
RFQ
ECAD 8524 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC RS3D 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 V @ 2.5 a 150 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 44pf @ 4V, 1MHz
BAS281-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS281-GS18 0.0550
RFQ
ECAD 8571 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-80 변형 BAS281 Schottky SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 1 V @ 15 ma 200 na @ 200 v 125 ° C (°) 30ma 1.6pf @ 1v, 1MHz
SS8P3LHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss8p3lhm3_a/h 0.6200
RFQ
ECAD 925 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS8P3 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 570 mV @ 8 a 200 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 330pf @ 4V, 1MHz
FEP30-CP Vishay General Semiconductor - Diodes Division fep30-cp -
RFQ
ECAD 8167 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 fep30 기준 TO-247AD (TO-3P) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 15a 950 MV @ 15 a 35 ns 10 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-MURB2020CTPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-murb2020ctpbf -
RFQ
ECAD 1676 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB murb2020 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 10A 850 mV @ 8 a 35 ns 15 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C
BZD27B33P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B33P-E3-18 0.1155
RFQ
ECAD 3372 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZD27B 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27B33 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 24 v 33 v 15 옴
MMBZ4685-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4685-HE3-08 -
RFQ
ECAD 7694 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4685 350 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 7.5 µa @ 2 v 3.6 v
MMSZ5225B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5225B-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 7022 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5225 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 µa @ 1 v 3 v 30 옴
MMBZ5247B-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5247B-HE3-08 -
RFQ
ECAD 1066 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5247 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 13 v 17 v 19 옴
VS-MBR2545CTPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbr2545ctpbf -
RFQ
ECAD 1958 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR25 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 820 MV @ 30 a 200 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
1N4002GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4002GP-E3/54 0.4900
RFQ
ECAD 43 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4002 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 100 v 1.1 v @ 1 a 2 µs 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
HFA240NJ40C Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA240NJ40C -
RFQ
ECAD 9279 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB HFA240 기준 TO-244AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 244A (DC) 1.5 V @ 240 a 120 ns 9 µa @ 400 v
MURD620CTTRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division murd620cttrr -
RFQ
ECAD 2514 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 murd620 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 3A 1.2 v @ 3 a 35 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고