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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SA2B-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SA2B-M3/5AT 0.0717
RFQ
ECAD 3152 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SA2 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 100 v 1.1 v @ 2 a 1.5 µs 3 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 11pf @ 4V, 1MHz
BZT52C8V2-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C8V2-G3-08 0.3100
RFQ
ECAD 5634 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT52-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52C8V2 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 6 v 8.2 v 4.5 옴
AU3PGHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division au3pghm3_a/h 0.6765
RFQ
ECAD 1235 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn AU3 눈사태 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.9 V @ 3 a 75 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.7a 72pf @ 4V, 1MHz
MMBZ4687-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4687-HE3-08 -
RFQ
ECAD 9666 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4687 350 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 4 µa @ 2 v 4.3 v
1N4005-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4005-E3/73 0.3400
RFQ
ECAD 79 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4005 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 600 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
VS-80PFR140 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80PFR140 5.8391
RFQ
ECAD 4807 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 80pfr140 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS80PFR140 귀 99 8541.10.0080 100 1400 v 1.46 V @ 220 a -55 ° C ~ 150 ° C 80a -
VS-12TQ040SHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12TQ040SHM3 0.9342
RFQ
ECAD 1504 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 12TQ040 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 560 mV @ 15 a 1.75 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a 900pf @ 5V, 1MHz
VS-E4PU6006L-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-E4PU6006L-N3 2.4400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 E4PU6006 기준 TO-247AD 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 60 a 74 ns 50 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 60a -
SMZJ3807BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smzj3807bhe3_a/i -
RFQ
ECAD 5706 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMZJ3807 1.5 w DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 42.6 v 56 v 86 옴
TZMC6V2-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC6V2-GS18 0.2300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZM 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Tzmc6v2 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 2 v 6.2 v 10 옴
ZGL41-120-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZGL41-120-E3/96 -
RFQ
ECAD 8300 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF ZGL41 1 W. GL41 (DO-213AB) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 91.2 v 120 v 380 옴
GLL4747A-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GLL4747A-E3/96 0.3256
RFQ
ECAD 4210 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF GLL4747 1 W. Melf do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 5 µa @ 15.2 v 20 v 22 옴
SE10DTLJHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division se10dtljhm3/i 1.4100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 기준 SMPD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1 V @ 10 a 280 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 3.5a 70pf @ 4V, 1MHz
BYT51A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT51A-TAP 0.2475
RFQ
ECAD 4350 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-57,, 방향 BYT51 눈사태 SOD-57 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25,000 50 v 1.1 v @ 1 a 4 µs 1 µa @ 50 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.5A -
MMBZ5237C-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5237C-G3-08 -
RFQ
ECAD 1447 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5237 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 3 µa @ 6.5 v 8.2 v 8 옴
BZD27C160P-M-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C160P-M-18 -
RFQ
ECAD 9190 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZD27-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27C160 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 120 v 160 v 350 옴
VS-30CTQ035SHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ035SHM3 1.2877
RFQ
ECAD 9668 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 30CTQ035 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 15a 620 MV @ 15 a 2 ma @ 35 v -55 ° C ~ 175 ° C
VS-18TQ040HN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-18TQ040HN3 1.0350
RFQ
ECAD 1375 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 18TQ040 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 600 mV @ 18 a 2.5 ma @ 35 v -55 ° C ~ 175 ° C 18a 1400pf @ 5V, 1MHz
AR3PMHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division ar3pmhm3_a/i 0.4950
RFQ
ECAD 8359 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn AR3 눈사태 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.9 V @ 3 a 120 ns 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.6a 34pf @ 4V, 1MHz
ZMM5233B-7 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMM5233B-7 -
RFQ
ECAD 4722 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA (유리) ZMM52 500MW DO-213AA (GL34) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 5 µa @ 3.5 v 6 v 7 옴
VS-VSKD91/04 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKD91/04 40.7800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 Add-A-Pak (3) vskd91 기준 Add-a-Pak® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 1 음극 음극 공통 400 v 50a 10 ma @ 400 v -40 ° C ~ 150 ° C
MMBZ5243C-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5243C-G3-08 -
RFQ
ECAD 6502 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5243 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 500 NA @ 9.9 v 13 v 13 옴
1N4005GPEHE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4005GPEHE3/53 -
RFQ
ECAD 9037 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4005 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 600 v 1.1 v @ 1 a 2 µs 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
RS1FLD-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division rs1fld-m3/h 0.3400
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab 기준 DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 200 v 1.2 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7pf @ 4V, 1MHz
BZG04-47-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG04-47-M3-18 0.1980
RFQ
ECAD 5878 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG04-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG04-47 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 5 µa @ 47 v 56 v
VS-8TQ080STRLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8tq080strlhm3 1.0364
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 8tq080 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 720 MV @ 8 a 550 µa @ 80 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a 500pf @ 5V, 1MHz
S1FLD-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1FLD-GS18 0.0512
RFQ
ECAD 2160 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1F 기준 DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50,000 200 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 700ma 4pf @ 4V, 1MHz
RGP02-15E-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-15E-E3/53 -
RFQ
ECAD 1873 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 RGP02 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1500 v 1.8 v @ 100 ma 300 ns 5 µa @ 1500 v -65 ° C ~ 175 ° C 500ma -
MBRF20H35CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF20H35CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 4344 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF20 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 10A 630 mv @ 10 a 100 µa @ 35 v -65 ° C ~ 175 ° C
V20PWM45HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v20pwm45hm3/i 1.0200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 V20PWM45 Schottky Slimdpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 660 mV @ 20 a 700 µa @ 45 v -40 ° C ~ 175 ° C 20A 3100pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고