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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
UGB8JT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGB8JT-E3/45 -
RFQ
ECAD 5805 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB UGB8 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.75 V @ 8 a 50 ns 30 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
SML4748-E3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4748-E3/5A 0.1733
RFQ
ECAD 3344 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4748 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 5 µa @ 16.7 v 22 v 23 옴
SB160-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB160-E3/53 0.5000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SB160 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 650 mV @ 1 a 500 µa @ 60 v -65 ° C ~ 125 ° C 1A -
MURB1020CT-1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division murb1020ct-1 -
RFQ
ECAD 4698 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA murb1020 기준 TO-262-3 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *murb1020ct-1 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 5a 990 MV @ 5 a 35 ns 10 µa @ 200 v -
BAV19WS-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAV19WS-E3-18 0.3000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 bav19 기준 SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 100 v 150 ° C (°) 250ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
VLZ8V2C-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ8V2C-GS08 -
RFQ
ECAD 2667 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ8V2 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 7.5 µa @ 7.63 v 8.24 v 8 옴
HFA140MD60C Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA140MD60C -
RFQ
ECAD 3598 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB HFA140 기준 TO-244AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 99A (DC) 1.7 v @ 70 a 140 ns 15 µa @ 600 v
VS-16FLR40S05 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16FLR40S05 5.2510
RFQ
ECAD 9709 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 16FLR40 표준, 극성 역 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.4 v @ 16 a 500 ns 50 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
VSKD250-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKD250-08 -
RFQ
ECAD 4607 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3-MAGN-A-PAK ™ VSKD250 기준 Magn-A-Pak® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2 1 연결 연결 시리즈 800 v 250A 50 ma @ 800 v
SMZJ3796BHE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smzj3796bhe3_b/i 0.1313
RFQ
ECAD 9668 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB SMZJ3796 1.5 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-SMZJ3796BHE3_B/ITR 귀 99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 15.2 v 20 v 14 옴
VS-1N3880R Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1N3880R -
RFQ
ECAD 8254 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N3880 표준, 극성 역 DO-203AA (DO-4) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.4 v @ 6 a 300 ns 15 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 6A -
VS-85HF120M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-85HF120M 24.4600
RFQ
ECAD 100 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 85HF120 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 400 v 1.2 v @ 267 a -65 ° C ~ 180 ° C 85A -
MBRF1635/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF1635/45 -
RFQ
ECAD 7627 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 MBRF1635 Schottky ITO-220AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 630 mv @ 16 a 200 µa @ 35 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
VS-SD400C08C Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD400C08C 52.7075
RFQ
ECAD 3831 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 클램프 클램프 DO-200AA, A-PUK SD400 기준 DO-200AA, A-PUK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 12 800 v 1.86 V @ 1930 a 15 ma @ 800 v 800A -
GL41JHE3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GL41JHE3/96 -
RFQ
ECAD 8331 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-213ab, melf (유리) GL41 기준 do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 GL41JHE3_A/H 귀 99 8541.10.0080 1,500 600 v 1.1 v @ 1 a 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
SL44HM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SL44HM3_A/I 0.4300
RFQ
ECAD 5743 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC SL44 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-SL44HM3_A/ITR 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 8 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 8a -
VS-HFA08TB120S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA08TB120S-M3 1.5100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HFA08 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 4.3 V @ 16 a 95 ns 10 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
VS-80-7820 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80-7820 -
RFQ
ECAD 8954 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 80-7820 - 112-VS-80-7820 1
201CNQ040 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 201CNQ040 -
RFQ
ECAD 3168 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB 201CNQ Schottky TO-244AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *201CNQ040 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 200a 810 mV @ 200 a 10 ma @ 40 v -55 ° C ~ 175 ° C
VS-30CPQ045PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CPQ045PBF -
RFQ
ECAD 6612 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 30cpq04 Schottky TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 540 mV @ 15 a 1.75 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
AU3PMHM3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division au3pmhm3/87a -
RFQ
ECAD 1453 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn AU3 눈사태 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 2.5 V @ 3 a 75 ns 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.4a 42pf @ 4V, 1MHz
MPG06B-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06B-E3/54 0.4000
RFQ
ECAD 4950 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 MPG06,, 방향 MPG06 기준 MPG06 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 100 v 1.1 v @ 1 a 600 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
AU1PDHM3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division au1pdhm3/85a 0.1914
RFQ
ECAD 8137 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA AU1 눈사태 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.5 v @ 1 a 75 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 11pf @ 4V, 1MHz
BZX384C2V4-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C2V4-HE3-18 0.0341
RFQ
ECAD 3395 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384C2V4 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
GP10-4003-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10-4003-E3/54 0.1780
RFQ
ECAD 2393 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 200 v - 1A -
VS-1N3879R Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1N3879R -
RFQ
ECAD 9728 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N3879 표준, 극성 역 DO-203AA (DO-4) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.4 v @ 6 a 300 ns 15 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 6A -
VS-SD803C16S15C Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-sd803c16s15c 107.8658
RFQ
ECAD 6693 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 스터드 스터드 DO-200AA, A-PUK SD803 기준 B-43,, 푸크 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 12 1600 v 1.89 V @ 2655 a 1.5 µs 45 ma @ 1600 v 845A -
VS-SD603C14S15C Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD603C14S15C 99.1350
RFQ
ECAD 5473 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 스터드 스터드 DO-200AA, A-PUK SD603 기준 B-43,, 푸크 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 12 1400 v 2.97 V @ 1885 a 1.5 µs 45 ma @ 1400 v 600A -
TLZ15B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ15B-GS08 0.2500
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TLZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TLZ15 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 40 NA @ 13.2 v 15 v 16 옴
VS-32CTQ030STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-32ctq030strlpbf -
RFQ
ECAD 2676 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 32ctq030 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 15a 490 mV @ 15 a 1.75 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고