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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
VS-MBR4045WTPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbr4045wtpbf -
RFQ
ECAD 2027 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR40 Schottky TO-247AC 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 20A 590 mV @ 20 a 1.75 ma @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
BY203-12STAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY203-12STAP 0.3168
RFQ
ECAD 1122 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-57,, 방향 BY203 눈사태 SOD-57 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 25,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 2.4 v @ 200 ma 300 ns 2 µa @ 700 v -55 ° C ~ 150 ° C 250ma -
V20PL60-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20PL60-M3/87A 0.4909
RFQ
ECAD 2106 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn V20PL60 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 590 mV @ 20 a 4 ma @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C 5.5A -
MBRB2080CTTRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB2080CTTRR -
RFQ
ECAD 3424 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB20 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 10A 800 mV @ 10 a 100 µa @ 80 v -65 ° C ~ 150 ° C
VS-41HFR100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-41HFR100 8.9776
RFQ
ECAD 6442 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 41HFR100 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1000 v 1.3 v @ 125 a 9 ma @ 1000 v -65 ° C ~ 190 ° C 40a -
40CPQ080 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 40cpq080 -
RFQ
ECAD 3834 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 40cpq Schottky TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 20A 770 MV @ 20 a 1.25 ma @ 80 v -55 ° C ~ 175 ° C
BZG05B82-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B82-M3-18 0.1980
RFQ
ECAD 5020 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG05B-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05B82 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 62 v 82 v 200 옴
MBRB20H100CT/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB20H100CT/45 -
RFQ
ECAD 4464 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB20 Schottky to-263ab (d²pak) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 770 MV @ 10 a 4.5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C
VS-VSKE71/10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKE71/10 35.8720
RFQ
ECAD 7792 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 Add-A-Pak (3) VSKE71 기준 Add-a-Pak® 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSVSKE7110 귀 99 8541.10.0080 10 1000 v 10 ma @ 1000 v -40 ° C ~ 150 ° C 80a -
ES3B-M3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES3B-M3/57T 0.2101
RFQ
ECAD 6405 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC ES3B 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 900 mV @ 3 a 30 ns 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
V10PWL63-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10pwl63-m3/i 0.3096
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Schottky Slimdpak 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-v10pwl63-m3/itr 귀 99 8541.10.0080 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 580 mV @ 10 a 250 µa @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C 10A 2100pf @ 4V, 1MHz
IRKD91/14A Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKD91/14A -
RFQ
ECAD 3279 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 Add-A-Pak (3) IRKD91 기준 Add-a-Pak® 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 1 연결 연결 시리즈 1400 v 100A 10 ma @ 1400 v
VT2045CBP-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT2045CBP-M3/4W 0.8471
RFQ
ECAD 5059 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 VT2045 Schottky TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 10A 580 mV @ 10 a 2 ma @ 45 v 200 ° C (()
FEP30-CP Vishay General Semiconductor - Diodes Division fep30-cp -
RFQ
ECAD 8167 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 fep30 기준 TO-247AD (TO-3P) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 15a 950 MV @ 15 a 35 ns 10 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-8EWS10STR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ews10str-m3 0.4950
RFQ
ECAD 6418 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 8ews10 기준 D-PAK (TO-252AA) - ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 1000 v 1.1 v @ 8 a 50 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
VS-2EAH02-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-2EAH02-M3/I 0.5300
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면, 마운트 측면 2-vdfn VS-2EAH02 기준 DFN3820A 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 2 a 25 ns 2 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A -
6CWQ10FN Vishay General Semiconductor - Diodes Division 6CWQ10FN -
RFQ
ECAD 5511 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 6CWQ10 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 75 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 3.5a 810 mV @ 3 a 1 ma @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
VS-MBR3045WTPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbr3045wtpbf -
RFQ
ECAD 9437 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR30 Schottky TO-247AC 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 760 mV @ 30 a 1 ma @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
VS-80CNQ035APBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80CNQ035APBF -
RFQ
ECAD 4844 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-61-8 80CNQ035 Schottky D-61-8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 40a 520 MV @ 40 a 5 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C
HFA80NC40CPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA80NC40CPBF -
RFQ
ECAD 2877 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-61-8 HFA80 기준 D-61-8 - ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 85A (DC) 1.5 V @ 80 a 100 ns 3 µa @ 400 v -
TZS4704-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZS4704-GS08 0.0411
RFQ
ECAD 2607 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 TZS4704 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,500 1.5 v @ 100 ma 50 na @ 12.9 v 17 v
MB10H100HE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division MB10H100HE3_B/I 1.6700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MB10H100 Schottky TO-263AB 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 770 MV @ 10 a 4.5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 10A -
BZG03C62-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C62-M3-18 0.1815
RFQ
ECAD 4643 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG03C-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.45% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03C62 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 47 v 62 v 80 옴
TZX4V7C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzx4v7c-tr 0.2400
RFQ
ECAD 33 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 TZX4V7 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 5 µa @ 2 v 4.7 v 100 옴
8ETX06-1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8etx06-1 -
RFQ
ECAD 1002 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 8etx06 기준 TO-262-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 3 V @ 8 a 24 ns 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
VS-MURB1020CT-1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mubr1020ct-1pbf -
RFQ
ECAD 3111 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA murb1020 기준 TO-262-3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 5a 990 MV @ 5 a 35 ns 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C
BAS281-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS281-GS18 0.0550
RFQ
ECAD 8571 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-80 변형 BAS281 Schottky SOD-80 Quadromelf 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 1 V @ 15 ma 200 na @ 200 v 125 ° C (°) 30ma 1.6pf @ 1v, 1MHz
25CTQ040 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 25ctq040 -
RFQ
ECAD 1715 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 25CTQ Schottky TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *25ctq040 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 15a 560 mV @ 15 a 1.75 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C
SS8P3LHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss8p3lhm3_a/h 0.6200
RFQ
ECAD 925 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS8P3 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 570 mV @ 8 a 200 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 330pf @ 4V, 1MHz
89CNQ135ASL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 89CNQ135ASL -
RFQ
ECAD 4703 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 표면 표면 D-61-8-SL 89cnq Schottky D-61-8-SL 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *89CNQ135ASL 귀 99 8541.10.0080 20 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 135 v 40a 990 mV @ 40 a 1.5 ma @ 135 v -55 ° C ~ 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고