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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
25CTQ035STRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 25CTQ035STRL -
RFQ
ECAD 8332 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 25CTQ Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 15a 560 mV @ 15 a 1.75 ma @ 35 v -55 ° C ~ 175 ° C
BZG03B27-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B27-HM3-18 0.2310
RFQ
ECAD 7926 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG03B-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03B27 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 20 v 27 v 15 옴
VS-6FLR20S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6FLR20S02 5.5151
RFQ
ECAD 9943 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 6FLR20 표준, 극성 역 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.4 v @ 6 a 200 ns 50 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 6A -
VS-71HFR40 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-71HFR40 9.2057
RFQ
ECAD 6867 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 71HFR40 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 400 v 1.35 V @ 220 a 15 ma @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 70A -
VBT3080C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT3080C-E3/8W 1.5300
RFQ
ECAD 9183 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB vbt3080 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 15a 820 MV @ 15 a 700 µa @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C
PLZ39A-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ39A-HG3_A/H 0.3600
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, plz 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% 150 ° C 표면 표면 DO-219AC plz39 500MW DO-219AC (microSMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,500 900 mV @ 10 ma 200 na @ 30 v 39 v 85 옴
TZMC5V6-M-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC5V6-M-18 0.0324
RFQ
ECAD 5551 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZM-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Tzmc5v6 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 1 v 5.6 v 40
1N4003GPE-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4003GPE-M3/54 -
RFQ
ECAD 1865 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 1N4003 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500
AZ23C3V6-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C3V6-HE3_A-18 -
RFQ
ECAD 6682 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, AZ23 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 다운로드 112-AZ23C3V6-HE3_A-18TR 귀 99 8541.10.0050 1 1 양극 양극 공통 5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
VS-20MQ100-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20MQ100-M3/5AT 0.3900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 20MQ100 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 910 MV @ 2 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 38pf @ 10V, 1MHz
12CTQ035STRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 12CTQ035STRR -
RFQ
ECAD 6836 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 12CTQ Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 6A 600 mV @ 6 a 800 µa @ 35 v -55 ° C ~ 175 ° C
VX60M60PW-M3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division vx60m60pw-m3/p 2.8400
RFQ
ECAD 2035 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 vx60m Schottky TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-vx60m60pw-m3/p 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 30A 630 mV @ 30 a 650 µa @ 60 v -40 ° C ~ 175 ° C
SSB43L-M3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SSB43L-M3/52T 0.5100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SSB43 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 450 mV @ 4 a 600 µa @ 30 v -65 ° C ~ 150 ° C 4a -
VS-16FR120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16FR120 8.3700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 16FR120 표준, 극성 역 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1200 v 1.23 V @ 50 a 12 ma @ 1200 v -65 ° C ~ 175 ° C 16A -
GI828-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI828-E3/54 -
RFQ
ECAD 9918 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 p600, 축, GI828 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.1 v @ 5 a 200 ns 10 µa @ 800 v -50 ° C ~ 150 ° C 5a 300pf @ 4V, 1MHz
BZX84B3V0-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B3V0-G3-18 0.0389
RFQ
ECAD 1632 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX84-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B3V0 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 10 µa @ 1 v 3 v 95 옴
US1AHE3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division US1AHE3/61T -
RFQ
ECAD 8159 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA US1 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 1 a 50 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
SS26-M3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS26-M3/52T 0.1467
RFQ
ECAD 4144 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SS26 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 2 a 400 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A -
SS1P3-E3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS1P3-E3/84A -
RFQ
ECAD 1750 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-220AA SS1P3 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 1 a 150 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SE50PAJHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE50PAJHM3/i 0.5000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-221BC, SMA 플랫 리드 노출 패드 SE50 기준 DO-221BC (SMPA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 600 v 1.16 V @ 5 a 2 µs 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 5a 32pf @ 4v, 1MHz
BZX85B3V9-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B3V9-TR 0.0561
RFQ
ECAD 2227 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX85 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZX85B3V9 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 25,000 10 µa @ 1 v 3.9 v 15 옴
VS-SD600R20PC Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-sd600r20pc 172.4250
RFQ
ECAD 5696 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 B-8 SD600 기준 B-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6 2000 v 1.31 V @ 1500 a 35 ma @ 2000 v -40 ° C ~ 190 ° C 600A -
GDZ27B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ27B-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 1022 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, GDZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 4% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 GDZ27 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 21 v 27 v 150 옴
V15PM12-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v15pm12-m3/i 0.3300
RFQ
ECAD 9681 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn v15pm12 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 840 mV @ 15 a 800 µa @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C 15a -
SBL1040CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBL1040CT-E3/45 1.3000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SBL1040 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 5a 550 mV @ 5 a 500 µa @ 40 v -40 ° C ~ 125 ° C
UGB18BCTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division ugb18bcthe3_a/p -
RFQ
ECAD 2900 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB UGB18 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 18a 1.1 v @ 9 a 30 ns 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C
LS103A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division LS103A-GS18 0.0672
RFQ
ECAD 7924 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-80 변형 LS103 Schottky SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 600 mv @ 200 ma 10 ns 5 µa @ 30 v 125 ° C (°) - 50pf @ 0V, 1MHz
FEPB16AT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEPB16AT-E3/81 0.9817
RFQ
ECAD 4716 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FEPB16 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 8a 950 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZX55C15-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C15-TR 0.2300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX55 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55C15 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 11 v 15 v 30 옴
VS-45LR40 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-45LR40 38.7000
RFQ
ECAD 5965 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 스터드 스터드 DO-205AC, DO-30, 스터드 45LR40 표준, 극성 역 DO-205AC (DO-30) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 400 v 1.33 V @ 471 a -40 ° C ~ 200 ° C 150a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고