SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
V40DM100CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40DM100CHM3/i 2.0300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 V40DM100 Schottky TO-263AC (SMPD) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 770 MV @ 20 a 700 µa @ 100 v -40 ° C ~ 175 ° C
MBRB20H100CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB20H100CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 5166 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB20 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 770 MV @ 10 a 4.5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C
V7NM103-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v7nm103-m3/i 0.5600
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면, 마운트 측면 2-vdfn v7nm103 Schottky DFN3820A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 720 MV @ 7 a 160 µa @ 100 v -40 ° C ~ 175 ° C 2.3a 770pf @ 4V, 1MHz
BZX384B3V0-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B3V0-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 2491 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384B3V0 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 10 µa @ 1 v 3 v 95 옴
20CTQ150 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20ctq150 -
RFQ
ECAD 3473 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 20CTQ Schottky TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 10A 880 mV @ 10 a 25 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C
PTV8.2B-M3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division PTV8.2B-M3/85A 0.1721
RFQ
ECAD 7531 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% 150 ° C 표면 표면 DO-220AA PTV8.2 600MW DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 20 µa @ 5 v 8.8 v 4 옴
MBRB15H60CTHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB15H60CHE3_A/I -
RFQ
ECAD 1884 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB15 Schottky TO-263AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 7.5A 730 MV @ 7.5 a 50 µa @ 60 v -65 ° C ~ 175 ° C
40L15CTS Vishay General Semiconductor - Diodes Division 40L15cts -
RFQ
ECAD 9838 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 40L15 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 15 v 20A 410 mV @ 19 a 10 ma @ 15 v -55 ° C ~ 125 ° C
VS-3C08ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-3C08ET07S2L-M3 4.1000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 800 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 v @ 8 a 0 ns 45 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a 340pf @ 1v, 1MHz
FESB16DT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESB16DT-E3/45 1.7400
RFQ
ECAD 169 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FESB16 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 975 MV @ 16 a 35 ns 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A 175pf @ 4V, 1MHz
VS-25F120M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25F120M 11.4300
RFQ
ECAD 9974 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 25F120 기준 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS25F120M 귀 99 8541.10.0080 100 1200 v 1.3 v @ 78 a -65 ° C ~ 175 ° C 25A -
BYS10-45HE3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYS10-45HE3/TR3 -
RFQ
ECAD 8758 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA BYS10 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 500 mV @ 1 a 500 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
GPP15G-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GPP15G-E3/54 -
RFQ
ECAD 4840 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 GPP15 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 8pf @ 4V, 1MHz
RS1PJHE3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division rs1pjhe3/85a -
RFQ
ECAD 1200 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-220AA Rs1 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 250 ns 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
BZG05C30TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C30TR3 -
RFQ
ECAD 9349 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 - 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 2 v 30 v 30 옴
AS4PKHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division AS4PKHM3_A/H 0.6386
RFQ
ECAD 7303 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn AS4 눈사태 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.1 v @ 4 a 1.8 µs 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 175 ° C 2.4a 60pf @ 4V, 1MHz
1N4729A-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4729A-TR 0.3700
RFQ
ECAD 34 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4729 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 100 µa @ 1 v 3.6 v 10 옴
VS-8EWS08STR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWS08str-M3 3.0000
RFQ
ECAD 2017 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 8ews08 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 800 v 1.1 v @ 8 a 50 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
BZG04-20-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG04-20-M3-18 0.1980
RFQ
ECAD 6506 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG04-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG04 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 5 µa @ 20 v 24 v
VS-80EPF02PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80EPF02PBF -
RFQ
ECAD 7758 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 80epf02 기준 TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.25 V @ 80 a 190 ns 100 µa @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C 80a -
BZG05C3V9TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C3V9TR -
RFQ
ECAD 9541 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% - 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 3.9 v 15 옴
UGB15JTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ugb15jthe3/45 -
RFQ
ECAD 4609 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB UGB15 기준 to-263ab (d²pak) - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.75 V @ 15 a 50 ns 30 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
BYG10JHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10jhm3_a/h 0.1551
RFQ
ECAD 4976 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA byg10 눈사태 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 600 v 1.15 V @ 1.5 a 4 µs 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
VS-VSKE56/12 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKE56/12 35.5210
RFQ
ECAD 8444 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 Add-A-Pak (3) VSKE56 기준 Add-a-Pak® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSVSKE5612 귀 99 8541.10.0080 10 1200 v 10 ma @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C 60a -
GP10BEHM3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gp10behm3/73 -
RFQ
ECAD 5529 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 100 v 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
BA158-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BA158-E3/54 0.3400
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BA158 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 250 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 125 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
S1PDHE3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1PDHE3/84A -
RFQ
ECAD 3415 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-220AA S1p 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 200 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 6pf @ 4V, 1MHz
1N4948GP/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4948GP/1 -
RFQ
ECAD 1582 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4948 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 1N4948 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 1 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
VS-85HF60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-85HF60 12.2700
RFQ
ECAD 72 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 85HF60 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 600 v 1.2 v @ 267 a 9 ma @ 600 v -65 ° C ~ 180 ° C 85A -
DZ23C2V7-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C2V7-G3-08 0.0483
RFQ
ECAD 3048 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division DZ23-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 1 음극 음극 공통 2.7 v 83 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고