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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
TZQ5254B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZQ5254B-GS18 0.0303
RFQ
ECAD 2359 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 TZQ5254 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 19 v 27 v 41 옴
SS22/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS22/1 -
RFQ
ECAD 2644 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SS22 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 20 v -65 ° C ~ 125 ° C 2A -
VS-10BQ015PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10BQ015PBF -
RFQ
ECAD 9075 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 표면 표면 DO-214AA, SMB 10BQ015 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 15 v 350 mV @ 1 a 500 µa @ 15 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
VS-T40HFL20S05 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-T40HFL20S05 24.9960
RFQ
ECAD 8548 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-55 T- 5 T40 기준 D-55 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 500 ns 100 µa @ 200 v 40a -
BZG03C220-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C220-M3-08 0.5000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG03C-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.68% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03C220 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 160 v 220 v 750 옴
VS-80-7844 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80-7844 -
RFQ
ECAD 1741 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 80-7844 - 112-VS-80-7844 1
SMZJ3804BHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smzj3804bhm3/h -
RFQ
ECAD 5925 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB smzj38 1.5 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 750 5 µa @ 32.7 v 43 v 53
RGP5100HE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP5100HE3/54 -
RFQ
ECAD 5905 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 RGP51 기준 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,500 1000 v - 500ma -
VS-S907 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-S907 -
RFQ
ECAD 5669 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 S907 - 112-VS-S907 1
VS-HFA320NJ40CPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-hfa320nj40cpbf 56.8300
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 TO-244AB HFA320 기준 TO-244AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 420A 1.54 V @ 320 a 140 ns 3 ma @ 400 v
BZG03C11-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C11-HM3-18 0.1898
RFQ
ECAD 7653 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG03C-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.45% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03C11 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 4 µa @ 8.2 v 11 v 7 옴
MURS120/2 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MURS120/2 -
RFQ
ECAD 8065 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB MURS120 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 875 mv @ 1 a 35 ns 2 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 2A -
83CNQ080A Vishay General Semiconductor - Diodes Division 83CNQ080A -
RFQ
ECAD 3364 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-61-8 83CNQ Schottky D-61-8 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 40a 1 V @ 80 a 1.5 ma @ 80 v -55 ° C ~ 175 ° C
BZD27B43P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B43P-HE3-08 0.1238
RFQ
ECAD 8156 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZD27B 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27B43 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 33 v 43 v 45 옴
BZX84C2V7-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C2V7-E3-08 0.2300
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX84 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C2V7 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
VS-MBRB1035TRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbrb1035trl-m3 0.6107
RFQ
ECAD 2874 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB1035 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 570 mV @ 10 a 100 µa @ 35 v -65 ° C ~ 150 ° C 10A -
DZ23C20-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C20-HE3_A-18 -
RFQ
ECAD 8850 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, DZ23 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 다운로드 112-DZ23C20-HE3_A-18TR 귀 99 8541.10.0050 1 1 음극 음극 공통 100 na @ 15 v 20 v 20 옴
VS-8EWH06FNTRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ewh06fntrr-m3 0.4981
RFQ
ECAD 1288 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 8ewh06 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs8ewh06fntrrm3 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.4 v @ 8 a 25 ns 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
MBRF2560CT/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF2560CT/45 -
RFQ
ECAD 1456 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF2560 Schottky ITO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 15a 750 mV @ 15 a 1 ma @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C
60EPF04 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 60epf04 -
RFQ
ECAD 1005 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-2 60epf04 기준 TO-247AC ac 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 60 a 180 ns 100 µa @ 400 v -40 ° C ~ 150 ° C 60a -
GP15M-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP15M-E3/73 0.6000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 GP15 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 1000 v 1.1 v @ 1.5 a 3.5 µs 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1.5A -
60EPU04 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 60epu04 -
RFQ
ECAD 6563 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-2 60epu04 기준 TO-247AC ac 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 60 a 85 ns 50 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 60a -
VS-EPU3006L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-EPU3006L-M3 -
RFQ
ECAD 4380 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-2 EPU300 기준 TO-247 긴 7 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 300 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.65 V @ 30 a 26 ns 30 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 30A -
BZT52C51-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C51-E3-18 0.0360
RFQ
ECAD 8212 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT52 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52C51 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 38 v 51 v 70 옴
SE30AFBHM3/6A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE30AFBHM3/6A 0.4900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 SE30 기준 DO-221AC (Slimsma) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 100 v 1.1 v @ 3 a 1.5 µs 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.4a 19pf @ 4V, 1MHz
VS-60EPU06HN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-60epu06hn3 5.1789
RFQ
ECAD 8603 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 60epu06 기준 TO-247AC ac 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs60epu06hn3 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.68 V @ 60 a 81 ns 50 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 60a -
PTV22B-E3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division PTV22B-E3/84A -
RFQ
ECAD 8107 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6% 150 ° C 표면 표면 DO-220AA PTV22 600MW DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 10 µa @ 17 v 23.3 v 14 옴
SS3P3HM3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS3P3HM3/85A 0.1040
RFQ
ECAD 8627 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA SS3P3 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 580 mV @ 3 a 200 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 130pf @ 4V, 1MHz
PLZ5V6C-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ5V6C-HG3_A/H 0.3600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, plz 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.6% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-219AC plz5v6 960 MW DO-219AC (microSMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,500 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 2.5 v 5.76 v 13 옴
UGF18ACTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division ugf18acthe3_a/p -
RFQ
ECAD 5923 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 UGF18 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 18a 1.1 v @ 9 a 30 ns 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고