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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TZQ5254B-GS18 | 0.0303 | ![]() | 2359 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SOD-80 변형 | TZQ5254 | 500MW | SOD-80 Quadromelf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 19 v | 27 v | 41 옴 | ||||||||||||
![]() | SS22/1 | - | ![]() | 2644 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SS22 | Schottky | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 20 v | 500 mV @ 2 a | 400 µa @ 20 v | -65 ° C ~ 125 ° C | 2A | - | |||||||||||
![]() | VS-10BQ015PBF | - | ![]() | 9075 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | 10BQ015 | Schottky | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 15 v | 350 mV @ 1 a | 500 µa @ 15 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | |||||||||||
![]() | VS-T40HFL20S05 | 24.9960 | ![]() | 8548 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시 섀시 | D-55 T- 5 | T40 | 기준 | D-55 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 500 ns | 100 µa @ 200 v | 40a | - | ||||||||||||
![]() | BZG03C220-M3-08 | 0.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZG03C-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5.68% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG03C220 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 500 ma | 1 µa @ 160 v | 220 v | 750 옴 | ||||||||||||
![]() | VS-80-7844 | - | ![]() | 1741 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | 80-7844 | - | 112-VS-80-7844 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | smzj3804bhm3/h | - | ![]() | 5925 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | smzj38 | 1.5 w | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µa @ 32.7 v | 43 v | 53 | |||||||||||||
![]() | RGP5100HE3/54 | - | ![]() | 5905 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | 축 | RGP51 | 기준 | 축 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 5,500 | 짐 | 1000 v | - | 500ma | - | |||||||||||||
![]() | VS-S907 | - | ![]() | 5669 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | S907 | - | 112-VS-S907 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | vs-hfa320nj40cpbf | 56.8300 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시 섀시 | TO-244AB | HFA320 | 기준 | TO-244AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 400 v | 420A | 1.54 V @ 320 a | 140 ns | 3 ma @ 400 v | |||||||||||
![]() | BZG03C11-HM3-18 | 0.1898 | ![]() | 7653 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZG03C-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5.45% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG03C11 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 500 ma | 4 µa @ 8.2 v | 11 v | 7 옴 | ||||||||||||
![]() | MURS120/2 | - | ![]() | 8065 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | MURS120 | 기준 | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 875 mv @ 1 a | 35 ns | 2 µa @ 200 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 2A | - | ||||||||||
83CNQ080A | - | ![]() | 3364 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | D-61-8 | 83CNQ | Schottky | D-61-8 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 200 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 80 v | 40a | 1 V @ 80 a | 1.5 ma @ 80 v | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||
![]() | BZD27B43P-HE3-08 | 0.1238 | ![]() | 8156 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZD27B | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | do-219ab | BZD27B43 | 800MW | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 33 v | 43 v | 45 옴 | ||||||||||||
BZX84C2V7-E3-08 | 0.2300 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZX84 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C2V7 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 20 µa @ 1 v | 2.7 v | 100 옴 | ||||||||||||||
![]() | vs-mbrb1035trl-m3 | 0.6107 | ![]() | 2874 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB1035 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 35 v | 570 mV @ 10 a | 100 µa @ 35 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||||
DZ23C20-HE3_A-18 | - | ![]() | 8850 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, DZ23 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | 112-DZ23C20-HE3_A-18TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 음극 음극 공통 | 100 na @ 15 v | 20 v | 20 옴 | ||||||||||||||||
![]() | vs-8ewh06fntrr-m3 | 0.4981 | ![]() | 1288 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 8ewh06 | 기준 | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs8ewh06fntrrm3 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 2.4 v @ 8 a | 25 ns | 50 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 8a | - | |||||||||
![]() | MBRF2560CT/45 | - | ![]() | 1456 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | MBRF2560 | Schottky | ITO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 15a | 750 mV @ 15 a | 1 ma @ 60 v | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | 60epf04 | - | ![]() | 1005 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-247-2 | 60epf04 | 기준 | TO-247AC ac | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.3 V @ 60 a | 180 ns | 100 µa @ 400 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 60a | - | ||||||||||
![]() | GP15M-E3/73 | 0.6000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | GP15 | 기준 | DO-204AC (DO-15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 짐 | 1000 v | 1.1 v @ 1.5 a | 3.5 µs | 5 µa @ 1000 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5A | - | ||||||||||
![]() | 60epu04 | - | ![]() | 6563 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-247-2 | 60epu04 | 기준 | TO-247AC ac | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.25 V @ 60 a | 85 ns | 50 µa @ 400 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 60a | - | ||||||||||
![]() | VS-EPU3006L-M3 | - | ![]() | 4380 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-247-2 | EPU300 | 기준 | TO-247 긴 7 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 300 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 2.65 V @ 30 a | 26 ns | 30 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 30A | - | ||||||||||
![]() | BZT52C51-E3-18 | 0.0360 | ![]() | 8212 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZT52 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52C51 | 410 MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 38 v | 51 v | 70 옴 | |||||||||||||
![]() | SE30AFBHM3/6A | 0.4900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-221ac, sma 플랫 리드 | SE30 | 기준 | DO-221AC (Slimsma) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 짐 | 100 v | 1.1 v @ 3 a | 1.5 µs | 10 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.4a | 19pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | vs-60epu06hn3 | 5.1789 | ![]() | 8603 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, FRED PT® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-247-2 | 60epu06 | 기준 | TO-247AC ac | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs60epu06hn3 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.68 V @ 60 a | 81 ns | 50 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 60a | - | |||||||||
![]() | PTV22B-E3/84A | - | ![]() | 8107 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 6% | 150 ° C | 표면 표면 | DO-220AA | PTV22 | 600MW | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.5 v @ 200 ma | 10 µa @ 17 v | 23.3 v | 14 옴 | ||||||||||||
![]() | SS3P3HM3/85A | 0.1040 | ![]() | 8627 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-220AA | SS3P3 | Schottky | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 30 v | 580 mV @ 3 a | 200 µa @ 30 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 130pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | PLZ5V6C-HG3_A/H | 0.3600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, plz | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2.6% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-219AC | plz5v6 | 960 MW | DO-219AC (microSMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mV @ 10 ma | 5 µa @ 2.5 v | 5.76 v | 13 옴 | ||||||||||||
![]() | ugf18acthe3_a/p | - | ![]() | 5923 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | UGF18 | 기준 | ITO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 50 v | 18a | 1.1 v @ 9 a | 30 ns | 10 µa @ 50 v | -65 ° C ~ 150 ° C |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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