전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SMAZ5920B-M3/61 | 0.1073 | ![]() | 2366 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | smaz5920 | 500MW | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 900 mV @ 10 ma | 200 µa @ 4 v | 6.2 v | 2 옴 | |||||||||||
![]() | BZT03C82-TAP | 0.2640 | ![]() | 3387 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZT03 | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | ± 6.1% | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | SOD-57,, 방향 | BZT03C82 | 1.3 w | SOD-57 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 1.2 v @ 500 ma | 1 µa @ 62 v | 82 v | 100 옴 | |||||||||||
![]() | vs-20ets08strlpbf | - | ![]() | 8523 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 20ets08 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 짐 | 800 v | 1.1 v @ 20 a | 100 µa @ 800 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | ||||||||||
![]() | VS-85HFLR60S05 | 14.6345 | ![]() | 7532 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시, 마운트 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 85HFLR60 | 표준, 극성 역 | do-203ab (Do-5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.75 V @ 266.9 a | 500 ns | 100 µa @ 600 v | -40 ° C ~ 125 ° C | 85A | - | |||||||||
![]() | STPS20L15G | - | ![]() | 8099 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STPS20 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 15 v | 410 mV @ 19 a | 10 ma @ 15 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 20A | - | ||||||||||
![]() | BZX384C3V9-HG3-08 | 0.3900 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3 µa @ 1 v | 3.9 v | 85 옴 | ||||||||||||||
![]() | SML4760A-E3/5A | 0.1815 | ![]() | 1064 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SML4760 | 1 W. | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µa @ 51.7 v | 68 v | 150 옴 | ||||||||||||
![]() | VS-8AF1NPP | - | ![]() | 7319 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | 섀시, 마운트 스터드 | B-47 | 8AF1 | 기준 | B-47 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 짐 | 100 v | 7 ma @ 100 v | -65 ° C ~ 195 ° C | 50a | - | |||||||||||
![]() | SS13HE3_B/H | 0.4300 | ![]() | 5606 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SS13 | Schottky | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 30 v | 500 mV @ 1 a | 200 µa @ 30 v | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | VSB1545-5300M3/73 | - | ![]() | 1052 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TMBS® | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | p600, 축, | B1545 | Schottky | P600 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 590 mV @ 15 a | 800 µa @ 45 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 6A | 1290pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | PLZ2V2A-HG3_A/H | 0.3600 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, plz | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 4.07% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-219AC | plz2v2 | 960 MW | DO-219AC (microSMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mV @ 10 ma | 120 µa @ 700 mV | 2.21 v | 120 옴 | |||||||||||
![]() | VS-85HFLR40S05 | 14.2353 | ![]() | 6278 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시, 마운트 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 85HFLR40 | 표준, 극성 역 | do-203ab (Do-5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.75 V @ 266.9 a | 500 ns | 100 µa @ 400 v | -40 ° C ~ 125 ° C | 85A | - | |||||||||
![]() | vs-mur1020ctpbf | - | ![]() | 8271 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | mur1020 | 기준 | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 200 v | 5a | 990 MV @ 5 a | 35 ns | 10 µa @ 200 v | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||
![]() | BZX85-B180 | - | ![]() | 1181 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZX85 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | BZX85 | 1.3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | Q1076928A | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 v @ 200 ma | 500 NA @ 130 v | 180 v | 1200 옴 | ||||||||||
![]() | EGL34C-E3/83 | 0.1513 | ![]() | 4792 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | EGL34 | 기준 | DO-213AA (GL34) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 9,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 1.25 V @ 500 ma | 50 ns | 5 µa @ 150 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 500ma | 7pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | V40DM100CHM3/i | 2.0300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 | V40DM100 | Schottky | TO-263AC (SMPD) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 20A | 770 MV @ 20 a | 700 µa @ 100 v | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | MBRB20H100CTHE3/45 | - | ![]() | 5166 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB20 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 10A | 770 MV @ 10 a | 4.5 µa @ 100 v | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | v7nm103-m3/i | 0.5600 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면, 마운트 측면 | 2-vdfn | v7nm103 | Schottky | DFN3820A | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 14,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 720 MV @ 7 a | 160 µa @ 100 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 2.3a | 770pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | BZX384B3V0-HE3-18 | 0.0378 | ![]() | 2491 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZX384 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | BZX384B3V0 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 10 µa @ 1 v | 3 v | 95 옴 | ||||||||||||
![]() | 20ctq150 | - | ![]() | 3473 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 20CTQ | Schottky | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 150 v | 10A | 880 mV @ 10 a | 25 µa @ 150 v | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | PTV8.2B-M3/85A | 0.1721 | ![]() | 7531 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6% | 150 ° C | 표면 표면 | DO-220AA | PTV8.2 | 600MW | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 20 µa @ 5 v | 8.8 v | 4 옴 | |||||||||||
![]() | MBRB15H60CHE3_A/I | - | ![]() | 1884 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB15 | Schottky | TO-263AB | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 7.5A | 730 MV @ 7.5 a | 50 µa @ 60 v | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | 40L15cts | - | ![]() | 9838 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 40L15 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 15 v | 20A | 410 mV @ 19 a | 10 ma @ 15 v | -55 ° C ~ 125 ° C | ||||||||||
![]() | VS-3C08ET07S2L-M3 | 4.1000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) | 650 v | 1.5 v @ 8 a | 0 ns | 45 µa @ 650 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 8a | 340pf @ 1v, 1MHz | |||||||||||
![]() | FESB16DT-E3/45 | 1.7400 | ![]() | 169 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FESB16 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 975 MV @ 16 a | 35 ns | 10 µa @ 200 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 16A | 175pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | VS-25F120M | 11.4300 | ![]() | 9974 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시, 마운트 스터드 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | 25F120 | 기준 | DO-203AA (DO-4) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VS25F120M | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 짐 | 1200 v | 1.3 v @ 78 a | -65 ° C ~ 175 ° C | 25A | - | ||||||||||
![]() | BYS10-45HE3/TR3 | - | ![]() | 8758 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BYS10 | Schottky | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 500 mV @ 1 a | 500 µa @ 45 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.5A | - | ||||||||||
![]() | GPP15G-E3/54 | - | ![]() | 4840 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | GPP15 | 기준 | DO-204AC (DO-15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 짐 | 400 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5A | 8pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | rs1pjhe3/85a | - | ![]() | 1200 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-220AA | Rs1 | 기준 | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.3 v @ 1 a | 250 ns | 1 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 9pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | BZG05C30TR3 | - | ![]() | 9349 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | - | 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 2 v | 30 v | 30 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고