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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
MBRF1645HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF1645HE3_A/P 0.7920
RFQ
ECAD 3930 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 Schottky ITO-220AC 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-MBRF1645HE3_A/P 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 630 mv @ 16 a 200 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
ZMY24-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMY24-GS08 0.4200
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C 표면 표면 do-213ab, melf (유리) ZMY24 1 W. do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 500 na @ 18 v 24 v 14 옴
VS-30CPQ050PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CPQ050PBF -
RFQ
ECAD 6756 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 30cpq05 Schottky TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 15a 600 mV @ 15 a 800 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
V10K170CHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10k170chm3/h 0.7374
RFQ
ECAD 8117 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn Schottky Flatpak (5x6) 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-V10K170CHM3/HTR 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 170 v 2.8a 870 mV @ 5 a 15 µa @ 170 v -40 ° C ~ 150 ° C
V35PWM12HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v35pwm12hm3/i 1.3600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 v35pwm12 Schottky Slimdpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 1.05 V @ 35 a 1.2 ma @ 120 v -40 ° C ~ 175 ° C 35a 2080pf @ 4V, 1MHz
30EPF12 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 30EPF12 -
RFQ
ECAD 9908 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-2 30EPF12 기준 TO-247AC ac 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 1.41 V @ 30 a 160 ns 100 µa @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C 30A -
VS-ETH1506STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETH1506STRL-M3 1.5500
RFQ
ECAD 3304 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB ETH1506 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 600 v 2.45 V @ 15 a 15 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
MMSZ4717-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4717-HE3_A-08 0.0533
RFQ
ECAD 5887 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 112-MMSZ4717-HE3_A-08TR 귀 99 8541.10.0050 15,000 900 mV @ 10 ma 10 na @ 32.6 v 43 v
VS-8EWH06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ewh06fntr-m3 1.0600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 8ewh06 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.4 v @ 8 a 25 ns 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
SMZJ3799B-M3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3799B-M3/5B 0.1304
RFQ
ECAD 9539 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMZJ3799 1.5 w DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 20.6 v 27 v 23 옴
BZT55A15-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55A15-GS18 -
RFQ
ECAD 3452 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 BZT55 500MW SOD-80 Quadromelf - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 11 v 15 v 30 옴
VS-6EWL06FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6ewl06fn-m3 0.9200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 6ewl06 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs-6ewl06fn-m3gi 귀 99 8541.10.0080 75 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.25 V @ 6 a 154 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
HFA12PA120C Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA12PA120C -
RFQ
ECAD 7193 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 HFA12 기준 TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *HFA12PA120C 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 1200 v 6A (DC) 3 v @ 6 a 80 ns 5 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C
SS26HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS26HE3_A/I 0.5300
RFQ
ECAD 7652 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SS26 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 2 a 400 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A -
V30K45-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v30k45-m3/h 0.9300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn v30k45 Schottky Flatpak (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 630 mV @ 30 a 2 ma @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C 30A 4000pf @ 4V, 1MHz
VS-30CPQ100PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CPQ100PBF -
RFQ
ECAD 4982 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 30cpq10 Schottky TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 15a 860 mV @ 15 a 550 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C
MBR10H50-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR10H50-E3/45 -
RFQ
ECAD 4917 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 MBR10 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 710 MV @ 10 a 100 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 10A -
VS-10ETS12STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-10ets12strlpbf -
RFQ
ECAD 6789 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 10ets12 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs10ets12strlpbf 귀 99 8541.10.0080 800 1200 v 1.1 v @ 10 a 500 µa @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C 10A -
VS-30CTQ060STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ060STRRPBF -
RFQ
ECAD 4015 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 30CTQ060 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 15a 620 MV @ 15 a 800 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
W10G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division W10G-E4/51 0.8000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4 원, wog W10 기준 wog 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 V @ 1 a 5 µa @ 1000 v 1.5 a 단일 단일 1kv
TZX18A-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzx18a-tr 0.2300
RFQ
ECAD 667 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 TZX18 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 13 v 18 v 55 옴
SS12P4S-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS12P4S-M3/87A 0.5042
RFQ
ECAD 2526 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS12P4 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 600 mV @ 12 a 800 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 12a 750pf @ 4V, 1MHz
VS-85HFR100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-85HFR100 12.0307
RFQ
ECAD 1920 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 85HFR100 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1000 v 1.2 v @ 267 a 9 ma @ 1000 v -65 ° C ~ 180 ° C 85A -
VS-45EPF06LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-45EPF06LHM3 5.2000
RFQ
ECAD 9747 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 45EPF06 기준 TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.31 V @ 45 a 180 ns 100 µa @ 600 v -40 ° C ~ 150 ° C 45A -
VS-STPS1L30UPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-stps1l30upbf -
RFQ
ECAD 5302 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AA, SMB STPS1L30 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 420 MV @ 1 a 200 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 200pf @ 5V, 1MHz
V15K170C-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V15K170C-M3/H 0.6542
RFQ
ECAD 6730 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn Schottky Flatpak (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-V15K170C-M3/HTR 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 170 v 3A 900 MV @ 7.5 a 50 µa @ 170 v -40 ° C ~ 150 ° C
1N6483-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N6483-E3/96 0.4500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N6483 기준 do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 800 v 1.1 v @ 1 a 10 µa @ 800 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
VS-E5TX2112S2LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx2112s2lhm3 2.6900
RFQ
ECAD 840 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® G5 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 3.6 v @ 20 a 115 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 20A -
MBRB1550CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1550CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 7165 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB15 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 7.5A 750MV @ 7.5 a 1 ma @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C
1N4003GPE-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4003GPE-E3/53 -
RFQ
ECAD 3800 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4003 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 200 v 1.1 v @ 1 a 2 µs 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고