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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f
MBRB2060CT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB2060CT-E3/81 1.5200
RFQ
ECAD 239 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB2060 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 800 mV @ 10 a 150 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C
FEPF16DTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division fepf16dthe3_a/p -
RFQ
ECAD 2766 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 FEPF16 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 8a 950 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
GP10AE-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10AE-M3/54 -
RFQ
ECAD 1352 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 50 v 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
V8PA10-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v8pa10-m3/i 0.5400
RFQ
ECAD 81 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-221BC, SMA 플랫 리드 노출 패드 V8PA10 Schottky DO-221BC (SMPA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 760 mV @ 8 a 800 µa @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C 8a 850pf @ 4V, 1MHz
VS-MUR820-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mur820-n3 -
RFQ
ECAD 2168 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 MUR820 표준, 극성 역 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS-MUR820-N3GI 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 975 MV @ 8 a 20 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
BAQ333-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAQ333-TR3 -
RFQ
ECAD 4758 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 2-SMD,, 없음 BAQ333 기준 마이크로 마이크로 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 1 v @ 100 ma 1 na @ 15 v -65 ° C ~ 175 ° C 200ma 3pf @ 0V, 1MHz
VS-43CTQ080GSTRRP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-43CTQ080GSTRRP -
RFQ
ECAD 1071 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 43ctq080 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) vs43ctq080gstrrp 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 20A 810 mV @ 20 a 360 µa @ 80 v 175 ° C (°)
MMBD914-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBD914-E3-18 0.2000
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD914 기준 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1 V @ 10 ma 4 ns 5 µa @ 75 v 150 ° C (°) 200ma 4pf @ 0V, 1MHz
MBRB2060CTHE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB2060CThe3_B/I 0.8250
RFQ
ECAD 1896 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB2060 Schottky TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 800 mV @ 10 a 150 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C
BAV20W-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAV20W-E3-08 0.2800
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 BAV20 기준 SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 150 v 150 ° C (°) 250ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
VSKD250-20 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKD250-20 -
RFQ
ECAD 9642 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3-MAGN-A-PAK ™ VSKD250 기준 Magn-A-Pak® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2 1 연결 연결 시리즈 2000 v 250A 50 ma @ 2000 v
VSKC250-12 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKC250-12 -
RFQ
ECAD 8695 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3-MAGN-A-PAK ™ VSKC250 기준 Magn-A-Pak® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2 1 음극 음극 공통 1200 v 250A 50 ma @ 1200 v
U3D-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division U3D-M3/9AT 0.5500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC U3D 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 3 a 30 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 25pf @ 4V, 1MHz
VFT3045CBP-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VFT3045CBP-M3/4W 1.9400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 vft3045 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 570 mV @ 15 a 2 ma @ 45 v 200 ° C (()
EGF1DHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGF1DHE3_A/H -
RFQ
ECAD 3413 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214BA EGF1 기준 DO-214BA (GF1) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1 a 50 ns 2 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
LS103C-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division LS103C-GS18 0.0651
RFQ
ECAD 5691 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-80 변형 LS103 Schottky SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 600 mv @ 200 ma 10 ns 5 µa @ 10 v 125 ° C (°) - 50pf @ 0V, 1MHz
IRKE56/12A Vishay General Semiconductor - Diodes Division irke56/12a -
RFQ
ECAD 8252 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 Add-A-Pak (2) irke56 기준 Add-a-Pak® 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 1200 v 10 ma @ 1200 v 60a -
SD233R36S50PSC Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD233R36S50PSC -
RFQ
ECAD 6736 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시, 마운트 스터드 B-8 SD233 기준 B-8 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *SD233R36S50PSC 귀 99 8541.10.0080 6 3600 v 3.2 v @ 1000 a 5 µs 50 ma @ 3600 v -40 ° C ~ 125 ° C 235A -
FEPF16AT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fepf16at-e3/45 -
RFQ
ECAD 3251 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 FEPF16 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 8a 950 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
SBLB1030HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLB1030HE3/45 -
RFQ
ECAD 1901 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SBLB1030 Schottky TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 600 mV @ 10 a 1 ma @ 30 v -40 ° C ~ 125 ° C 10A -
SA2D-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SA2D-M3/5AT 0.0717
RFQ
ECAD 1255 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SA2 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 200 v 1.1 v @ 2 a 1.5 µs 3 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 11pf @ 4V, 1MHz
BAW56-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAW56-HE3-18 0.0303
RFQ
ECAD 9148 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 baw56 기준 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 70 v 250ma 1.25 V @ 150 mA 6 ns 2.5 ma @ 70 v 150 ° C (°)
60EPU04 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 60epu04 -
RFQ
ECAD 6563 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-2 60epu04 기준 TO-247AC ac 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 60 a 85 ns 50 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 60a -
MBRB20H100CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB20H100CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 5166 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB20 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 770 MV @ 10 a 4.5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C
VS-12FLR40S05 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12FLR40S05 5.4736
RFQ
ECAD 3295 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 12FLR40 표준, 극성 역 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.4 V @ 12 a 500 ns 50 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 12a -
BAT41-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT41-TR 0.3900
RFQ
ECAD 49 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BAT41 Schottky DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1 v @ 200 ma 100 na @ 100 v 125 ° C (°) 100ma 2pf @ 1v, 1MHz
VS-41HF60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-41HF60 6.5672
RFQ
ECAD 6926 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 41HF60 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 600 v 1.3 v @ 125 a 9 ma @ 600 v -65 ° C ~ 190 ° C 40a -
VBT2045C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT2045C-E3/8W 0.8206
RFQ
ECAD 7878 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB vbt2045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 10A 580 mV @ 10 a 2 ma @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C
VS-20ETF12STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20ETF12STRR-M3 1.6055
RFQ
ECAD 2219 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20etf12 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 1.31 V @ 20 a 400 ns 100 µa @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C 20A -
BY299P-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY299P-E3/73 -
RFQ
ECAD 1444 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 by299 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 3 a 500 ns 10 µa @ 800 v -50 ° C ~ 125 ° C 2A 28pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고