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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f
VS-30CTQ035SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ035SPBF -
RFQ
ECAD 1361 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 30CTQ035 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 30A 760 mV @ 30 a 2 ma @ 35 v -55 ° C ~ 175 ° C
VS-48CTQ060-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-48CTQ060-N3 -
RFQ
ECAD 4095 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 48ctq060 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs48ctq060n3 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 20A 830 MV @ 40 a 2 ma @ 60 v 150 ° C (°)
BY254P-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY254P-E3/54 0.4700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 by254 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 800 v 1.1 v @ 3 a 3 µs 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1MHz
V15P12HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v15p12hm3/h 0.9500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn v15p12 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 810 mV @ 15 a 1 ma @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C 15a -
VS-32CTQ030PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-32CTQ030PBF -
RFQ
ECAD 7159 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 32ctq030 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 15a 490 mV @ 15 a 1.75 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
SD153R08S10PV Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD153R08S10PV -
RFQ
ECAD 2259 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 스터드 스터드 DO-205AC, DO-30, 스터드 SD153 기준 DO-205AC (DO-30) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *SD153R08S10PV 귀 99 8541.10.0080 25 800 v 1.55 V @ 470 a 1 µs 35 ma @ 800 v -40 ° C ~ 125 ° C 150a -
VS-SD1700C24K Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD1700C24K 230.3650
RFQ
ECAD 4130 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 클램프 클램프 DO-200AC, K-PUK SD1700 기준 DO-200AC, K-PUK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2 2400 v 1.81 V @ 4000 a 75 ma @ 2400 v 2080a -
1N4245GP-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4245GP-M3/54 -
RFQ
ECAD 2082 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 1N4245 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500
50WQ03FN Vishay General Semiconductor - Diodes Division 50wq03fn -
RFQ
ECAD 7792 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 50WQ03 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 75 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 460 mV @ 5 a 3 ma @ 30 v -40 ° C ~ 150 ° C 5.5A -
VS-305U250P4 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-305U250P4 -
RFQ
ECAD 8509 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 스터드 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 305U250 기준 DO-205AB (DO-9) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS305U250P4 귀 99 8541.10.0080 12 2500 v 1.46 V @ 942 a -40 ° C ~ 180 ° C 300A -
VS-40HFLR20S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40HFLR20S02 8.1723
RFQ
ECAD 5688 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 40HFLR20 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.95 V @ 40 a 200 ns 100 µa @ 200 v -40 ° C ~ 125 ° C 40a -
EGL41D/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGL41D/1 -
RFQ
ECAD 8718 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-213ab, melf (유리) EGL41 기준 do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
SD233R36S50PSC Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD233R36S50PSC -
RFQ
ECAD 6736 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시, 마운트 스터드 B-8 SD233 기준 B-8 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *SD233R36S50PSC 귀 99 8541.10.0080 6 3600 v 3.2 v @ 1000 a 5 µs 50 ma @ 3600 v -40 ° C ~ 125 ° C 235A -
VS-SD553C30S50L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD553C30S50L 162.0800
RFQ
ECAD 1641 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 클램프 클램프 DO-200AB, B-PUK SD553 기준 DO-200AB, B-PUK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3 3000 v 3.24 V @ 1500 a 5 µs 75 ma @ 3000 v 560a -
VS-30ETH06STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30ETH06STRL-M3 1.7000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 30ETH06 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.6 V @ 30 a 35 ns 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 30A -
BAT42W-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT42W-G3-18 0.0612
RFQ
ECAD 3876 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 BAT42 Schottky SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 650 mV @ 50 mA 5 ns 500 na @ 25 v 125 ° C (°) 200ma 7pf @ 1v, 1MHz
V20PW15CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20PW15CHM3/i 1.1700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 V20PW15 Schottky Slimdpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 10A 1.24 V @ 10 a 150 µa @ 150 v -40 ° C ~ 150 ° C
V15P45HM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v15p45hm3_a/i 0.5315
RFQ
ECAD 8819 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn v15p45 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 580 mV @ 15 a 1.5 ma @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C 15a -
VS-T40HF100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-T40HF100 25.1890
RFQ
ECAD 2707 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-55 T- 5 T40 기준 D-55 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 1000 v 15 ma @ 1000 v 40a -
VS-HFA30TA60CS-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA30TA60CS-M3 1.9300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HFA30 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 15A (DC) 2 V @ 30 a 60 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-MBR2545CT-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBR2545CT-M3 1.6800
RFQ
ECAD 246 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR2545 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 820 MV @ 30 a 200 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
MBRB20H100CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB20H100CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 5166 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB20 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 770 MV @ 10 a 4.5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C
VS-305URA200 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-305URA200 -
RFQ
ECAD 1924 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 스터드 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 305URA200 표준, 극성 역 DO-205AB (DO-9) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS305URA200 귀 99 8541.10.0080 12 2000 v 1.46 V @ 942 a -40 ° C ~ 180 ° C 300A -
SS12P3LHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS12P3LHM3_A/I 0.4534
RFQ
ECAD 4529 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS12P3 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 560 mV @ 12 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 12a 930pf @ 4V, 1MHz
GP02-20-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP02-20-E3/54 0.5700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP02 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,500 2000 v 3 v @ 1 a 2 µs 5 µa @ 2000 v -65 ° C ~ 175 ° C 250ma -
VS-60HFU-600 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60HFU-600 -
RFQ
ECAD 5624 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 60HFU 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 V @ 60 a 80 ns 50 µa @ 600 v -40 ° C ~ 125 ° C 60a -
ESH2D-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH2D-M3/5BT 0.1257
RFQ
ECAD 3898 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB ESH2 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 930 MV @ 2 a 35 ns 2 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 30pf @ 4V, 1MHz
V2FM10-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V2FM10-M3/H 0.3800
RFQ
ECAD 4008 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab V2FM10 Schottky DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 830 mv @ 2 a 55 µa @ 100 v -40 ° C ~ 175 ° C 2A 150pf @ 4V, 1MHz
VS-12TQ045STRLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12TQ045STRLHM3 1.0540
RFQ
ECAD 9637 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 12TQ045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 560 mV @ 15 a 1.75 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a 900pf @ 5V, 1MHz
30WQ10FNTRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 30wq10fntrr -
RFQ
ECAD 2129 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 30WQ10 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 810 mV @ 3 a 1 ma @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C 3.5a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고