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| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N5622GP-E3/73 | - |  | 6816 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | 1N5622 | 기준 | DO-204AC (DO-15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 짐 | 1000 v | 1.2 v @ 1 a | 2 µs | 500 NA @ 1000 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 12v, 1MHz | |||||||||
 | vssaf5l45hm3_a/h | 0.4800 | | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, TMBS®, Slimsma ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-221ac, sma 플랫 리드 | SAF5L45 | Schottky | DO-221AC (Slimsma) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 560 mV @ 5 a | 650 µa @ 45 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 5a | 740pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
 | RGP10GHE3/54 | - | | 8418 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | RGP10 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.3 v @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 400 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | NSB8BTHE3_B/I | 0.6930 | | 9454 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | NSB8 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 짐 | 100 v | 1.1 v @ 8 a | 10 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | 55pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| 1N4937GP-M3/73 | - | | 4986 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4937 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.2 v @ 1 a | 200 ns | 5 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | S5M-E3/57T | 0.4500 | | 121 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | S5M | 기준 | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 850 | 짐 | 1000 v | 1.15 V @ 5 a | 2.5 µs | 10 µa @ 1000 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 5a | 40pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | SE20FJ-M3/I | 0.0891 | | 4288 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-219ab | SE20 | 기준 | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 짐 | 600 v | 1.1 v @ 2 a | 920 ns | 5 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.7a | 13pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | HFA25TB60 | - | | 3269 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Hexfred® | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | HFA25 | 기준 | TO-220AC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.7 V @ 25 a | 75 ns | 20 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 25A | - | |||||||||
| BYS459B-1500E3/45 | - | | 5311 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | bys459 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1500 v | 1.3 V @ 6.5 a | 350 ns | 250 µa @ 1500 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 6.5A | - | |||||||||
 | SRP300G-E3/73 | - | | 4437 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | SRP300 | 기준 | Do-201ad | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.3 v @ 3 a | 150 ns | 10 µa @ 400 v | -50 ° C ~ 125 ° C | 3A | 28pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| NSB8KTHE3/45 | - | | 9768 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | NSB8 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 짐 | 800 v | 1.1 v @ 8 a | 10 µa @ 800 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | 55pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
 | MBRF1645HE3/45 | - | | 4703 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 | MBRF1645 | Schottky | ITO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | MBRF1645HE3_A/P | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 630 mv @ 16 a | 200 µa @ 45 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | |||||||||
 | B140-M3/5AT | 0.0644 | | 7469 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | B140 | Schottky | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 520 MV @ 1 a | 200 µa @ 40 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||
| BY127MGP-E3/73 | - | | 3355 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | BY127 | 기준 | DO-204AC (DO-15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 짐 | 1250 v | 1.5 v @ 5 a | 2 µs | 5 µa @ 1250 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.75A | - | |||||||||
 | TLZ4V3B-GS18 | 0.0335 | | 7378 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TLZ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TLZ4V3 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 3 µa @ 1 v | 4.3 v | 40 | |||||||||||
| VS-43CTQ080GSTRRP | - | | 1071 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 43ctq080 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | vs43ctq080gstrrp | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 80 v | 20A | 810 mV @ 20 a | 360 µa @ 80 v | 175 ° C (°) | ||||||||||
 | BAQ333-TR3 | - | | 4758 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | BAQ333 | 기준 | 마이크로 마이크로 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 30 v | 1 v @ 100 ma | 1 na @ 15 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 200ma | 3pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||
 | GL41B/54 | - | | 5422 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-213ab, melf (유리) | GL41 | 기준 | do-213ab | 다운로드 | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 짐 | 100 v | 1.1 v @ 1 a | 10 µa @ 100 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
| SSC54-M3/9AT | 0.5900 | | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | SSC54 | Schottky | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 490 mV @ 5 a | 500 µa @ 40 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 5a | - | ||||||||||
| S1KA-E3/5AT | - | | 9592 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | S1K | 기준 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 짐 | 800 v | 1.1 v @ 1 a | 1 µs | 3 µa @ 800 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 8pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | v40pwm10chm3/i | 1.5800 | | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | v40pwm10 | Schottky | Slimdpak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 20A | 890 mV @ 20 a | 400 µa @ 100 v | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
 | GSD2004A-G3-18 | 0.0445 | | 7284 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | GSD2004 | 기준 | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 양극 양극 공통 | 240 v | 225MA | 1 v @ 100 ma | 50 ns | 100 na @ 240 v | 150 ° C (°) | |||||||||
 | VS-E5PX3012LHN3 | 2.3403 | | 1352 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-247-2 | 기준 | TO-247AD | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 112-VS-E5PX3012LHN3 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 25 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1200 v | 3.3 v @ 30 a | 80 ns | 50 µa @ 1200 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 30A | - | |||||||||||
 | VS-MBRS130L-M3/5BT | 0.3600 | | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | MBRS130 | Schottky | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 30 v | 420 MV @ 1 a | 1 ma @ 30 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | 200pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||
 | VS-40CPQ060PBF | - | | 9439 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 40cpq060 | Schottky | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 25 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 20A | 530 mV @ 20 a | 1.7 ma @ 60 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
 | VSKC250-12 | - | | 8695 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | 3-MAGN-A-PAK ™ | VSKC250 | 기준 | Magn-A-Pak® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2 | 짐 | 1 음극 음극 공통 | 1200 v | 250A | 50 ma @ 1200 v | ||||||||||||
| U3D-M3/9AT | 0.5500 | | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | U3D | 기준 | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 900 mV @ 3 a | 30 ns | 10 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 25pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | v3pl45-m3/i | 0.0990 | | 9578 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-220AA | v3pl45 | Schottky | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 112-v3pl45-m3/itr | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 540 mV @ 3 a | 450 µa @ 45 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 3A | 550pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| VS-30CTQ035SPBF | - | | 1361 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 30CTQ035 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 35 v | 30A | 760 mV @ 30 a | 2 ma @ 35 v | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
 | VS-48CTQ060-N3 | - | | 4095 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 48ctq060 | Schottky | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs48ctq060n3 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 20A | 830 MV @ 40 a | 2 ma @ 60 v | 150 ° C (°) |
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