SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BZX384C30-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C30-G3-08 0.0389
RFQ
ECAD 4710 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX384-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384C30 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 50 na @ 21 v 30 v 80 옴
BZG03B110TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B110tr3 -
RFQ
ECAD 2521 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG03B 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03 1.25 w DO-214AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 82 v 110 v 250 옴
S1G-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1G-M3/61T 0.0522
RFQ
ECAD 5473 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA S1G 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 400 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
MMSZ4683-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4683-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 6796 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ4683 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 800 na @ 1 v 3 v
MMSZ5254B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5254B-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 9525 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5254 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 21 v 27 v 41 옴
AZ23B13-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B13-HE3_A-08 -
RFQ
ECAD 1464 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, AZ23 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 다운로드 112-AZ23B13-HE3_A-08TR 귀 99 8541.10.0050 1 1 양극 양극 공통 100 na @ 8 v 13 v 30 옴
BZX84B11-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B11-HE3-18 0.0341
RFQ
ECAD 5848 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX84 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B11 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
BZX55B6V8-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55B6V8-TAP 0.2200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX55 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55B6V8 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 3 v 6.8 v 8 옴
VS-42HF60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-42HF60 6.2830
RFQ
ECAD 2432 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 42HF60 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS42HF60 귀 99 8541.10.0080 100 600 v 1.3 v @ 125 a -65 ° C ~ 190 ° C 40a -
SS24SHE3J_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss24she3j_a/h -
RFQ
ECAD 3631 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA SS24 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 2 a 200 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 130pf @ 4V, 1MHz
VS-40CTQ150STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40CTQ150STRR-M3 1.2713
RFQ
ECAD 4505 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 40ctq150 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 20A 930 MV @ 20 a 50 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C
VS-MBRB2090CTGTRRP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRB2090CTGTRRP -
RFQ
ECAD 5649 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB20 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) vsmbrb2090ctgtrrp 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 10A 800 mV @ 10 a 100 µa @ 90 v -65 ° C ~ 150 ° C
MMSZ5247B-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5247B-G3-08 0.0409
RFQ
ECAD 8127 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5247 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 13 v 17 v 19 옴
S8G-E3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division S8G-E3/i 0.6300
RFQ
ECAD 5337 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S8G 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3,500 400 v 975 MV @ 8 a 3.6 µs 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.6a 72pf @ 4V, 1MHz
VS-70HFR30 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-70HFR30 6.8189
RFQ
ECAD 8388 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 70HFR30 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS70HFR30 귀 99 8541.10.0080 100 300 v 1.35 V @ 220 a -65 ° C ~ 180 ° C 70A -
V1PL45HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v1pl45hm3/h 0.3800
RFQ
ECAD 9609 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 microSMP v1pl45 Schottky microSMP (do-219ad) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 530 mv @ 1 a 250 µa @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C 1A 200pf @ 4V, 1MHz
BYV26A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV26A-TAP 0.6200
RFQ
ECAD 39 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-57,, 방향 BYV26 눈사태 SOD-57 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 2.5 V @ 1 a 30 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
MBRB10H50-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB10H50-E3/81 -
RFQ
ECAD 9614 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB10 Schottky TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 710 MV @ 10 a 100 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 10A -
BZT03C16-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03C16-TAP 0.2970
RFQ
ECAD 9332 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT03 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 5.63% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SOD-57,, 방향 BZT03C16 1.3 w SOD-57 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 12 v 16 v 15 옴
RGP5100-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP5100-E3/54 -
RFQ
ECAD 7645 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 RGP51 기준 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,500 1000 v - 500ma -
SS2P3HM3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2P3HM3/85A 0.1363
RFQ
ECAD 3870 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA SS2P3 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 2 a 150 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 110pf @ 4V, 1MHz
VS-SD1500C16L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD1500C16L 127.0867
RFQ
ECAD 5879 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 클램프 클램프 DO-200AB, B-PUK SD1500 기준 DO-200AB, B-PUK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3 1600 v 1.64 V @ 3000 a 50 ma @ 1600 v 1600a -
DZ23C12-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C12-HE3-18 0.0436
RFQ
ECAD 8776 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, DZ23 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 음극 음극 공통 100 na @ 9 v 12 v 20 옴
MMBZ5230B-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5230B-G3-08 -
RFQ
ECAD 1470 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5230 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 5 µa @ 2 v 4.7 v 19 옴
TZQ5243B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZQ5243B-GS08 0.0303
RFQ
ECAD 7357 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 TZQ5243 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,500 1.5 v @ 200 ma 500 NA @ 9.9 v 13 v 13 옴
BZG05B33-HE3-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B33-HE3-TR3 -
RFQ
ECAD 6146 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG05B 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05 1.25 w DO-214AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 24 v 33 v 35 옴
V15PL63-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V15PL63-M3/i 0.8500
RFQ
ECAD 4266 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn V15PL63 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 580 mV @ 15 a 500 µa @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C 15a 3000pf @ 4V, 1MHz
VS-25F120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25F120 8.8100
RFQ
ECAD 113 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 25F120 기준 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1200 v 1.3 v @ 78 a 12 ma @ 1200 v -65 ° C ~ 175 ° C 25A -
1N5817-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5817-E3/53 0.5500
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5817 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 750 MV @ 3.1 a 1 ma @ 20 v -65 ° C ~ 125 ° C 1A 125pf @ 4V, 1MHz
BYV15-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV15-TAP 0.2871
RFQ
ECAD 6353 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-57,, 방향 BYV15 눈사태 SOD-57 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.5 v @ 1 a 300 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.5A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고