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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
VS-1N1183RA	12.4400	RFQ	100	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	1N1183	표준, 극성 역		do-203ab (Do-5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100		짐		50 v		1.3 V @ 126 a		2.5 ma @ 50 v	-65 ° C ~ 200 ° C	40a	-
BZT52C4V3-G3-18	0.0409	RFQ	8031	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZT52-G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	BZT52C4V3		410 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000												4.3 v	95 옴
S1EA3_A/H	0.4200	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	S1A	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800		짐		50 v		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	1 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	12pf @ 4V, 1MHz
Se80pwghm3/i	0.2805	RFQ	4924	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, ESMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SE80	기준		Slimdpak	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,500		짐		400 v		1.12 V @ 8 a	2.4 µs	15 µa @ 400 v	-40 ° C ~ 175 ° C	8a	58pf @ 4V, 1MHz
Z4KE180HE3/73	-	RFQ	6266	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & t (TB)	쓸모없는	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	Z4KE180		1.5 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000								500 NA @ 129.6 v				180 v	1300 옴
MMSZ4705-HE3-18	0.0378	RFQ	9761	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	MMSZ4705		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000								50 NA @ 13.6 v				18 v
NS8KT-7002HE3/45	-	RFQ	3986	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-2	NS8	기준		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	50		짐		800 v		1.1 v @ 8 a		10 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	55pf @ 4V, 1MHz
vs-30wq03fntrl-m3	0.2736	RFQ	1822	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	30WQ03	Schottky		D-PAK (TO-252AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vs30wq03fntrlm3	귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		450 mV @ 3 a		2 ma @ 30 v	-40 ° C ~ 150 ° C	3.5a	290pf @ 5V, 1MHz
SX128H060S4OV	-	RFQ	5277	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			표면 표면	주사위	SX128	Schottky		주사위	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		6.9 V @ 20 a		100 µa @ 60 v	-65 ° C ~ 175 ° C
MMSZ5257B-E3-08	0.2700	RFQ	6956	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	MMSZ5257		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000								100 na @ 25 v				33 v	58 옴
RGF1KHE3/67A	-	RFQ	7116	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	DO-214BA	RGF1	기준		DO-214BA (GF1)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.3 v @ 1 a	500 ns	5 µa @ 800 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8.5pf @ 4V, 1MHz
ss2fl3hm3/h	0.4300	RFQ	15	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, ESMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SS2FL3	Schottky		DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		540 mV @ 2 a		200 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	145pf @ 4V, 1MHz
AR3PJHM3/87A	-	RFQ	4109	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	AR3	눈사태		TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	6,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.6 V @ 3 a	140 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1.8a	44pf @ 4V, 1MHz
MBRB1560CThe3_B/P	0.7755	RFQ	9880	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB1560	Schottky		TO-263AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	60 v	7.5A	750MV @ 7.5 a		1 ma @ 60 v	-65 ° C ~ 150 ° C
IRKD91/12A	-	RFQ	7015	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	Add-A-Pak (3)	IRKD91	기준		Add-a-Pak®	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10		짐	1 연결 연결 시리즈	1200 v	100A			10 ma @ 1200 v
MBRB10H90CT-E3/45	-	RFQ	3697	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			표면 표면		MBRB10	Schottky			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50			1 음극 음극 공통	90 v	5a	760 mV @ 5 a		3.5 µa @ 90 v	-65 ° C ~ 175 ° C
plz3v9b-g3/h	0.2800	RFQ	38	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	plz	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 3.35%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-219AC	plz3v9		960 MW	DO-219AC (microSMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,500						900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v				4.03 v	50 옴
BYD33GGPHE3/54	-	RFQ	2426	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	BYD33	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
SS10P2CL-M3/87A	0.3884	RFQ	8750	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	SS10P2	Schottky		TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	6,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	20 v	5a	520 MV @ 5 a		850 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-VSKD71/14	35.9050	RFQ	7647	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	Add-A-Pak (3)	vskd71	기준		Add-a-Pak®	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSVSKD7114	귀 99	8541.10.0080	10		짐	1 음극 음극 공통	1400 v	40a			10 ma @ 1400 v	-40 ° C ~ 150 ° C
SS3H9HE3_A/H	-	RFQ	9371	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AB, SMC	SS3H9	Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		90 v		800 mv @ 3 a		20 µa @ 90 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
BYG24DHE3_A/I	0.1447	RFQ	2946	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	BYG24	눈사태		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.25 V @ 1.5 a	140 ns	1 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	-
DZ23C3V9-E3-18	0.0415	RFQ	1792	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	DZ23	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000	1 음극 음극 공통											3.9 v	95 옴
v6k100duhm3/h	0.2977	RFQ	9905	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	8-powertdfn	v6k100	Schottky		flatpak 5x6 (이중)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	2 독립	100 v	3A	690 mV @ 3 a		350 µa @ 100 v	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-VSKJ166/04PBF	59.9247	RFQ	3768	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	int-a-pak (3)	VSKJ166	기준		int-a-pak	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vsvskj16604pbf	귀 99	8541.10.0080	15		짐	1 양극 양극 공통	400 v	82.5A			20 ma @ 400 v	-40 ° C ~ 150 ° C
NSB8Bthe3/81	-	RFQ	9792	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	NSB8	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		짐		100 v		1.1 v @ 8 a		10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	55pf @ 4V, 1MHz
ZM4756A-GS08	0.1089	RFQ	8909	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	175 ° C	표면 표면	do-213ab, melf (유리)	ZM4756		1 W.	do-213ab	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	ZM4756AGS08	귀 99	8541.10.0050	12,000								5 µa @ 35.8 v				47 v	80 옴
AZ23B9V1-G3-18	0.0594	RFQ	4642	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	AZ23-G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B9V1		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000	1 양극 양극 공통							100 na @ 7 v				9.1 v	10 옴
ZPY68-TR	0.0545	RFQ	7754	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	ZPY68		1.3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	zpy68tr	귀 99	8541.10.0050	25,000								500 NA @ 51 v				68 v	65 옴
8tq080	-	RFQ	1626	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-2	8tq080	Schottky		TO-220AC	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		80 v		720 MV @ 8 a		550 µa @ 80 v	-55 ° C ~ 175 ° C	8a	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²