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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZD27C39P-M3-18 | 0.1500 | ![]() | 7729 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZD27-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | do-219ab | BZD27C39 | 800MW | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 30 v | 39 v | 40 | |||||||||||
![]() | BZT55B33-GS18 | 0.0433 | ![]() | 8142 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZT55 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SOD-80 변형 | BZT55B33 | 500MW | SOD-80 Quadromelf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 24 v | 33 v | 80 옴 | |||||||||||
![]() | VS-SD703C25S30L | 122.5133 | ![]() | 5244 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | 클램프 클램프 | DO-200AB, B-PUK | SD703 | 기준 | DO-200AB, B-PUK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3 | 짐 | 2500 v | 1.85 V @ 1500 a | 3 µs | 50 ma @ 2500 v | 790a | - | ||||||||||
![]() | FESB8HTHE3_A/I | 0.8910 | ![]() | 4427 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FESB8 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 500 v | 1.5 v @ 8 a | 50 ns | 10 µa @ 500 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | |||||||||
VS-300U40A | 50.1800 | ![]() | 7564 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | 스터드 스터드 | do-205AB, do-9, 스터드 | 300U40 | 기준 | DO-205AB (DO-9) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 12 | 짐 | 400 v | 1.4 V @ 942 a | 40 ma @ 400 v | -65 ° C ~ 200 ° C | 300A | - | |||||||||||
![]() | VS-6CSH01-M3/87A | 0.2701 | ![]() | 1812 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | 6CSH01 | 기준 | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 3A | 940 MV @ 3 a | 25 ns | 2 µa @ 100 v | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||
![]() | se10dtj-m3/i | 1.0900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 | 기준 | SMPD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 짐 | 600 v | 1.15 V @ 10 a | 3 µs | 15 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 2.9A | 67pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||
![]() | BZT52B15-E3-08 | 0.3100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZT52 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52B15 | 410 MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 11 v | 15 v | 11 옴 | ||||||||||||
![]() | VBT3060G-E3/8W | 0.5483 | ![]() | 9583 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | vbt3060 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 15a | 730 mv @ 15 a | 850 µa @ 60 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | BZX384B39-HE3-18 | 0.0378 | ![]() | 7870 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZX384 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | BZX384B39 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 NA @ 27.3 v | 39 v | 130 옴 | ||||||||||||
![]() | SS25HE3_A/I | 0.1942 | ![]() | 6875 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SS25 | Schottky | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 700 mv @ 2 a | 400 µa @ 50 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | ||||||||||
![]() | EGP10G-E3/73 | - | ![]() | 7225 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | EGP10 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.25 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 400 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | VS-2EGH01-M3/5BT | 0.1529 | ![]() | 8979 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | 2EGH01 | 기준 | DO-214AA (SMBJ) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 900 mV @ 2 a | 23 ns | 2 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | - | |||||||||
NS8MTHE3/45 | - | ![]() | 2805 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | NS8 | 기준 | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 짐 | 1000 v | 1.1 v @ 8 a | 10 µa @ 1000 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | |||||||||||
VS-8TQ080GPBF | - | ![]() | 3988 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | 8tq080 | Schottky | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | vs8tq080gpbf | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 720 MV @ 8 a | 280 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 8a | 500pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||
BZX84C3V3-G3-18 | 0.0353 | ![]() | 5277 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZX84-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C3V3 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 5 µa @ 1 v | 3.3 v | 95 옴 | |||||||||||||
![]() | 1N3612GP-M3/73 | - | ![]() | 9804 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | * | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 1N3612 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | VS-95-5381PBF | - | ![]() | 4798 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | * | 튜브 | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 50 | |||||||||||||||||||||||
![]() | V15K150C-M3/H | 0.8900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 8-powertdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 150 v | 3.2A | 1.08 V @ 7.5 a | 300 µa @ 150 v | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | UH2D-M3/5BT | - | ![]() | 6182 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | uh2 | 기준 | DO-214AA (SMB) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1.05 V @ 2 a | 40 ns | 2 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | 42pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | 80EPS12 | - | ![]() | 6221 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 80EPS12 | 기준 | TO-247AC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 500 | 짐 | 1200 v | 1.17 V @ 80 a | 100 µa @ 1200 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 80a | - | ||||||||||
![]() | BYG24JHE3_A/H | 0.1447 | ![]() | 9098 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BYG24 | 눈사태 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.25 V @ 1.5 a | 140 ns | 1 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5A | - | |||||||||
![]() | VS-1N1183RA | 12.4400 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시, 마운트 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 1N1183 | 표준, 극성 역 | do-203ab (Do-5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 짐 | 50 v | 1.3 V @ 126 a | 2.5 ma @ 50 v | -65 ° C ~ 200 ° C | 40a | - | ||||||||||
![]() | BZT52C4V3-G3-18 | 0.0409 | ![]() | 8031 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZT52-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52C4V3 | 410 MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 4.3 v | 95 옴 | |||||||||||||
![]() | S1EA3_A/H | 0.4200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | S1A | 기준 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 짐 | 50 v | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 1 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 12pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | Se80pwghm3/i | 0.2805 | ![]() | 4924 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SE80 | 기준 | Slimdpak | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 짐 | 400 v | 1.12 V @ 8 a | 2.4 µs | 15 µa @ 400 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 8a | 58pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | Z4KE180HE3/73 | - | ![]() | 6266 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | Z4KE180 | 1.5 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 500 NA @ 129.6 v | 180 v | 1300 옴 | ||||||||||||
![]() | MMSZ4705-HE3-18 | 0.0378 | ![]() | 9761 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ4705 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 NA @ 13.6 v | 18 v | |||||||||||||
NS8KT-7002HE3/45 | - | ![]() | 3986 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | NS8 | 기준 | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 짐 | 800 v | 1.1 v @ 8 a | 10 µa @ 800 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | 55pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | vs-30wq03fntrl-m3 | 0.2736 | ![]() | 1822 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 30WQ03 | Schottky | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs30wq03fntrlm3 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 30 v | 450 mV @ 3 a | 2 ma @ 30 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 3.5a | 290pf @ 5V, 1MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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