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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
MMSZ5250B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5250B-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 4641 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5250 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 15 v 20 v 25 옴
BZD17C68P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C68P-E3-18 0.1452
RFQ
ECAD 6287 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 do-219ab BZD17C68 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 51 v 68 v
PLZ11B-G3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plz11b-g3/h 0.3200
RFQ
ECAD 40 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division plz 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% 150 ° C 표면 표면 DO-219AC plz11 500MW DO-219AC (microSMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,500 900 mV @ 10 ma 200 na @ 8 v 11 v 10 옴
BZX384C68-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C68-G3-18 0.0389
RFQ
ECAD 4726 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX384-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384C68 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 NA @ 47.6 v 68 v 240 옴
BZD27C47P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C47P-HE3-08 0.4200
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZD27C 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27C47 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 36 v 47 v 45 옴
VS-ETH3006-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETH3006-1-M3 1.4495
RFQ
ECAD 2710 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA ETH3006 기준 TO-262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSETH30061M3 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.65 V @ 30 a 26 ns 30 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 30A -
112CNQ030ASL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 112CNQ030ASL -
RFQ
ECAD 3099 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 표면 표면 D-61-8-SL 112CNQ030 Schottky D-61-8-SL 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *112CNQ030ASL 귀 99 8541.10.0080 400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 55A 490 mV @ 55 a 3.5 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-12F10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12F10 4.8300
RFQ
ECAD 4073 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 12f10 기준 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 100 v 1.26 V @ 38 a 12 ma @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 12a -
EGP50A-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP50A-E3/54 -
RFQ
ECAD 2842 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 EGP50 기준 GP20 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 5 a 50 ns 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 5a 95pf @ 4V, 1MHz
VS-16CTQ080STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTQ080STRL-M3 0.9083
RFQ
ECAD 4364 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 16ctq080 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 8a 720 MV @ 8 a 550 µa @ 80 v -55 ° C ~ 175 ° C
MBRD660CT Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRD660CT -
RFQ
ECAD 2770 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MBRD6 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 75 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 3A 700 mv @ 3 a 100 µa @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C
VS-16CTQ080HN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTQ080HN3 1.1456
RFQ
ECAD 1538 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 16ctq080 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 8a 720 MV @ 8 a 550 µa @ 80 v -55 ° C ~ 175 ° C
VS-STPS30L30CGTRRP Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-stps30l30cgtrrp -
RFQ
ECAD 5515 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STPS30 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) vsstps30l30cgtrrp 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 15a 460 mV @ 15 a 1.5 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-42CTQ030-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-42CTQ030-M3 1.9900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 42CTQ030 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 20A 570 mV @ 40 a 3 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-MBR1100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbr1100 -
RFQ
ECAD 5679 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 MBR1 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mv @ 1 a 500 µa @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C 1A 35pf @ 5V, 1MHz
VS-HFA25TB60STRLP Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-hfa25tb60strlp -
RFQ
ECAD 9000 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HFA25 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 25 a 75 ns 20 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 25A -
S3GHM3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division S3GHM3/57T -
RFQ
ECAD 6605 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AB, SMC S3G 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 귀 99 8541.10.0080 850 400 v 1.15 V @ 2.5 a 2.5 µs 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
BZX55A13-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55A13-TAP -
RFQ
ECAD 3308 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 10 v 13 v 26 옴
SS3P5L-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS3P5L-M3/87A 0.2051
RFQ
ECAD 8666 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS3P5 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 600 mV @ 3 a 150 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 200pf @ 4V, 1MHz
MURS260-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division MURS260-M3/5BT 0.1280
RFQ
ECAD 5076 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB MURS260 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.45 V @ 2 a 75 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 2A -
VS-20TQ040STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20TQ040STR-M3 0.7874
RFQ
ECAD 5494 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20TQ040 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 570 mV @ 20 a 2.7 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A 1400pf @ 5V, 1MHz
MMSZ5232B-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5232B-G3-08 0.0409
RFQ
ECAD 3875 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5232 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 5 µa @ 3 v 5.6 v 11 옴
GDZ2V2B-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ2V2B-HE3-08 0.0378
RFQ
ECAD 8567 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, GDZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 4% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 GDZ2V2 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 120 µa @ 700 mV 2.2 v 100 옴
GP10-4004HE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10-4004HE3/53 -
RFQ
ECAD 9424 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 400 v 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
MMBZ5227B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5227B-HE3-18 -
RFQ
ECAD 5356 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5227 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 15 µa @ 1 v 3.6 v 24 옴
SML4752AHE3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4752AHE3/61 -
RFQ
ECAD 4186 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4752 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 5 µa @ 25.1 v 33 v 45 옴
BZX84C20-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C20-G3-08 0.0353
RFQ
ECAD 8278 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX84-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C20 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 50 na @ 14 v 20 v 55 옴
VS-E5PH3012L-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-E5PH3012L-N3 3.6500
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 e5ph3012 기준 TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 2.3 V @ 30 a 113 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 30A -
RGL41MHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGL41MHE3_A/H -
RFQ
ECAD 3348 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-213ab, melf (유리) RGL41 기준 do-213ab 다운로드 영향을받지 영향을받지 RGL41MHE3_B/H 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
VB40120C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB40120C-E3/8W 2.7000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB VB40120 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 20A 880 mV @ 20 a 500 µa @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고