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다이오드 (29505)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
VS-SD1053C25S20L	153.8400	RFQ	5143	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	마지막으로 마지막으로			클램프 클램프	DO-200AB, B-PUK	SD1053	기준		DO-200AB, B-PUK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3		짐		2500 v		1.9 v @ 1500 a	2 µs	50 ma @ 2500 v		1050a	-
BZT55C24-GS08	0.2100	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZT55	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SOD-80 변형	BZT55C24		500MW	SOD-80 Quadromelf	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500						1.5 v @ 200 ma		100 na @ 18 v						24 v	80 옴
BZX84C3V0-E3-18	0.0306	RFQ	8354	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZX84	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C3V0		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000								10 µa @ 1 v						3 v	95 옴
BAT43W-E3-08	0.3900	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123	BAT43	Schottky		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		450 mV @ 15 mA	5 ns	500 na @ 25 v	125 ° C (°)	200ma	7pf @ 1v, 1MHz
VLZ5V6C-GS18	-	RFQ	2278	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, VLZ	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SOD-80 변형	VLZ5V6		500MW	SOD-80 Quadromelf	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000						1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 2 v						5.76 v	13 옴
SB2H100HE3/54	-	RFQ	6727	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	SB2H100	Schottky		DO-204AC (DO-15)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		790 MV @ 2 a		10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	-
SL22-E3/52T	0.5500	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SL22	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	750		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		440 mV @ 2 a		400 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	-
SS2PH9-E3/85A	-	RFQ	5336	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-220AA	SS2PH9	Schottky		DO-220AA (SMP)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		90 v		800 mV @ 2 a		1 µa @ 90 v	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	65pf @ 4V, 1MHz
au1pm-m3/85a	0.5000	RFQ	2578	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-220AA	AU1	눈사태		DO-220AA (SMP)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.85 V @ 1 a	75 ns	1 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	7.5pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5239C-E3-08	0.3200	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	MMSZ5239		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000								3 µa @ 7 v						9.1 v	10 옴
BZX84B5V6-G3-18	0.0389	RFQ	8552	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZX84-G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B5V6		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000								1 µa @ 2 v						5.6 v	40
BZT52C43-G3-18	0.0409	RFQ	5043	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZT52-G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	BZT52C43		410 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000								100 na @ 32 v						43 v	60 옴
VS-6TQ045-N3	-	RFQ	4251	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-2	6TQ045	Schottky		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vs6tq045n3	귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		45 v		600 mV @ 6 a		800 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 175 ° C	6A	400pf @ 5V, 1MHz
MMSZ5245B-HE3_A-18	0.0549	RFQ	4174	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			500MW	SOD-123	다운로드				112-MMSZ5245B-HE3_A-18TR	귀 99	8541.10.0050	10,000						900 mV @ 10 ma		100 na @ 11 v						15 v	16 옴
VIT3060G-E3/4W	0.5808	RFQ	9178	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	VIT3060	Schottky		TO-262AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		730 mv @ 15 a		850 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	15a	-
MMBD6050-E3-18	0.0270	RFQ	9709	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBD6050	기준		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		70 v		1.1 v @ 100 ma	4 ns	100 na @ 50 v	150 ° C (°)	200ma	-
GBL08L-5701E3/45	-	RFQ	4510	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBL	GBL08	기준		GBL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1						1 V @ 4 a		5 µa @ 800 v		3 a		단일 단일	800 v
mbrf2045cthe3_a/p	0.8415	RFQ	1052	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭		Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	112-mbrf2045cthe3_a/p	귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	45 v	10A	800 mV @ 10 a		100 µa @ 45 v	-65 ° C ~ 150 ° C
SMPZ3932B-E3/84A	-	RFQ	7459	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-220AA	smpz39		500MW	DO-220AA (SMP)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 15.2 v						20 v	14 옴
VS-VSKE56/04	34.1360	RFQ	4997	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	Add-A-Pak (3)	VSKE56	기준		Add-a-Pak®	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSVSKE5604	귀 99	8541.10.0080	10		짐		400 v				10 ma @ 400 v	-40 ° C ~ 150 ° C	60a	-
BZD27C8V2P-E3-08	0.5300	RFQ	6848	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZD27C	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-219ab	BZD27C8V2		800MW	DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000						1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 3 v						8.2 v	2 옴
BZG05C6V2-HM3-08	0.4200	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZG05C-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.45%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG05C6V2		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 3 v						6.2 v	4 옴
BZW03D8V2-TAP	-	RFQ	4619	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZW03	테이프 & t (TB)	쓸모없는	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	SOD-64,, 방향	BZW03		1.85 w	SOD-64	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	12,500						1.2 v @ 1 a		1.2 ma @ 5.8 v						8.2 v	1.5 옴
AZ23B6V8-HE3-18	0.0534	RFQ	1513	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, AZ23	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B6V8		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000	1 양극 양극 공통							100 na @ 3 v						6.8 v	8 옴
S1K-M3/5AT	0.0508	RFQ	6127	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	S1K	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500		짐		800 v		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	12pf @ 4V, 1MHz
VS-16FLR60S05	5.6661	RFQ	4384	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드	16FLR60	표준, 극성 역		DO-203AA (DO-4)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.4 v @ 16 a	500 ns	50 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
MMBZ4697-G3-18	-	RFQ	4222	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4697		350 MW	SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000								1 µa @ 7.6 v						10 v
VS-12CTQ045S-M3	0.6732	RFQ	9978	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	12ctq045	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	45 v	6A	600 mV @ 6 a		800 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 175 ° C
HFA120MD40C	-	RFQ	2659	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Hexfred®	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	to-244ab ab 된 탭	HFA120	기준		TO-244AB (4)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*HFA120MD40C	귀 99	8541.10.0080	30		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	400 v	111A (DC)	1.2 v @ 60 a	140 ns	6 µa @ 400 v
SS23SHE3_B/H	0.4300	RFQ	3896	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS23	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		550 mV @ 2 a		200 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	130pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²