SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
GP30GEHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gp30gehe3/54 -
RFQ
ECAD 6739 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 GP30 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 400 v 1.1 v @ 3 a 5 µs 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
SS10P4CHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS10P4CHM3_A/I 0.4084
RFQ
ECAD 9039 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS10P4 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 5a 530 mv @ 5 a 550 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N4937GPHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4937GPHE3/54 -
RFQ
ECAD 3875 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4937 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
BZG05B9V1-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B9V1-HM3-18 0.2079
RFQ
ECAD 9482 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG05B-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.98% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05B9V1 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 6.8 v 9.1 v 5 옴
BZD17C150P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C150P-E3-18 0.1601
RFQ
ECAD 7528 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 do-219ab BZD17C150 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 110 v 150 v
MMSZ5259B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5259B-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 3998 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5259 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 30 v 39 v 80 옴
RGP10MEHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgp10mehe3/54 -
RFQ
ECAD 4699 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 RGP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
BZD17C56P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C56P-E3-18 0.1597
RFQ
ECAD 5830 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 do-219ab BZD17C56 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 43 v 56 v
VS-80-7908 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80-7908 -
RFQ
ECAD 7396 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 80-7908 - 112-VS-80-7908 1
1N4151WS-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4151WS-HE3-08 0.0341
RFQ
ECAD 2753 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 1N4151 기준 SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 15,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 50 v 1 V @ 50 ma 4 ns 50 Na @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 150ma -
V20PW45C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20PW45C-M3/i 1.1000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 V20PW45 Schottky Slimdpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 10A 600 mV @ 10 a 1 ma @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C
RGP30K-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP30K-E3/73 -
RFQ
ECAD 2114 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 RGP30 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 3 a 500 ns 5 µa @ 800 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
VS-MBRB1635TRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbrb1635trrpbf -
RFQ
ECAD 4444 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB16 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsmbrb1635trrpbf 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 630 mv @ 16 a 200 µa @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A 1400pf @ 5V, 1MHz
MMSZ5225C-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5225C-E3-18 0.0433
RFQ
ECAD 1287 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5225 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 µa @ 1 v 3 v 30 옴
ZPY12-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZPY12-TR 0.3700
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 ZPY12 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 500 na @ 9 v 12 v 3 옴
BZX84C56-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C56-E3-08 0.2300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX84 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C56 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 50 NA @ 39.2 v 56 v 200 옴
1N4733A-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4733A-TR 0.3700
RFQ
ECAD 38 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4733 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 5.1 v 7 옴
GI1-1200GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI1-1200GP-E3/54 0.3310
RFQ
ECAD 2010 년 년 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 GI1 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 1200 v 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 10 µa @ 1200 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
TZMC8V2-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC8V2-GS18 0.2300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZM 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Tzmc8v2 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 6.2 v 8.2 v 7 옴
VS-HFA15TB60-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA15TB60-N3 -
RFQ
ECAD 5877 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 HFA15 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS-HFA15TB60-N3GI 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 15 a 60 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a -
VS-10ETF12STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-10etf12strr-m3 0.9834
RFQ
ECAD 4457 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 10etf12 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 1.33 V @ 10 a 310 ns 100 µa @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C 10A -
SB120-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB120-E3/54 0.4200
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SB120 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 480 mV @ 1 a 500 µa @ 20 v -65 ° C ~ 125 ° C 1A -
VS-5ECU06-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-5ECU06-M3/9AT 0.9000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 5ecu06 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.35 V @ 5 a 43 ns 3 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 5a -
30CPH03 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 30cph03 -
RFQ
ECAD 3562 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 30cph 기준 TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 300 v 15a 1.25 V @ 15 a 40 ns 40 µa @ 300 v -65 ° C ~ 175 ° C
TZM5241B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5241B-GS08 0.2300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5241 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.1 v @ 200 ma 2 µa @ 8.4 v 11 v 22 옴
V6PWM12HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v6pwm12hm3/i 0.6000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Schottky Slimdpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 830 mv @ 6 a 100 µa @ 120 v -40 ° C ~ 175 ° C 6A 530pf @ 4V, 1MHz
SML4758AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sml4758ahe3_a/i 0.2063
RFQ
ECAD 3060 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4758 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 5 µa @ 42.6 v 56 v 110 옴
RGP10KEHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10KEHE3/54 -
RFQ
ECAD 5867 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 RGP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 800 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
UGB18ACTHE3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGB18ACTHE3/81 -
RFQ
ECAD 3235 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB UGB18 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 UGB18ACTHE3_A/I 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 18a 1.1 v @ 9 a 30 ns 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C
BZX55B6V2-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55B6V2-TAP 0.2200
RFQ
ECAD 92 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX55 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55B6V2 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 2 v 6.2 v 10 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고