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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
gp30gehe3/54 | - | ![]() | 6739 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | GP30 | 기준 | Do-201ad | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 짐 | 400 v | 1.1 v @ 3 a | 5 µs | 5 µa @ 400 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | SS10P4CHM3_A/I | 0.4084 | ![]() | 9039 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | SS10P4 | Schottky | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 40 v | 5a | 530 mv @ 5 a | 550 µa @ 40 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | 1N4937GPHE3/54 | - | ![]() | 3875 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4937 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.2 v @ 1 a | 200 ns | 5 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | BZG05B9V1-HM3-18 | 0.2079 | ![]() | 9482 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZG05B-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1.98% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG05B9V1 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 6.8 v | 9.1 v | 5 옴 | |||||||||||
![]() | BZD17C150P-E3-18 | 0.1601 | ![]() | 7528 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | do-219ab | BZD17C150 | 800MW | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 110 v | 150 v | ||||||||||||
![]() | MMSZ5259B-HE3-18 | 0.0378 | ![]() | 3998 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5259 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 30 v | 39 v | 80 옴 | ||||||||||||
![]() | rgp10mehe3/54 | - | ![]() | 4699 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | RGP10 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1000 v | 1.3 v @ 1 a | 500 ns | 5 µa @ 1000 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | BZD17C56P-E3-18 | 0.1597 | ![]() | 5830 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | do-219ab | BZD17C56 | 800MW | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 43 v | 56 v | ||||||||||||
![]() | VS-80-7908 | - | ![]() | 7396 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | 80-7908 | - | 112-VS-80-7908 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4151WS-HE3-08 | 0.0341 | ![]() | 2753 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | 1N4151 | 기준 | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 50 v | 1 V @ 50 ma | 4 ns | 50 Na @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 150ma | - | |||||||||
![]() | V20PW45C-M3/i | 1.1000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | V20PW45 | Schottky | Slimdpak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 45 v | 10A | 600 mV @ 10 a | 1 ma @ 45 v | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
RGP30K-E3/73 | - | ![]() | 2114 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | RGP30 | 기준 | Do-201ad | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 800 v | 1.3 v @ 3 a | 500 ns | 5 µa @ 800 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | vs-mbrb1635trrpbf | - | ![]() | 4444 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB16 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vsmbrb1635trrpbf | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 35 v | 630 mv @ 16 a | 200 µa @ 35 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | 1400pf @ 5V, 1MHz | |||||||||
![]() | MMSZ5225C-E3-18 | 0.0433 | ![]() | 1287 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5225 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 µa @ 1 v | 3 v | 30 옴 | ||||||||||||
![]() | ZPY12-TR | 0.3700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | ZPY12 | 1.3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 na @ 9 v | 12 v | 3 옴 | ||||||||||||
BZX84C56-E3-08 | 0.2300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZX84 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 7% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C56 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 50 NA @ 39.2 v | 56 v | 200 옴 | |||||||||||||
![]() | 1N4733A-TR | 0.3700 | ![]() | 38 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4733 | 1.3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 1 v | 5.1 v | 7 옴 | |||||||||||
![]() | GI1-1200GP-E3/54 | 0.3310 | ![]() | 2010 년 년 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | GI1 | 기준 | DO-204AC (DO-15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 짐 | 1200 v | 1.1 v @ 1 a | 1.5 µs | 10 µa @ 1200 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||
![]() | TZMC8V2-GS18 | 0.2300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, TZM | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Tzmc8v2 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 6.2 v | 8.2 v | 7 옴 | |||||||||||
VS-HFA15TB60-N3 | - | ![]() | 5877 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Hexfred® | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | HFA15 | 기준 | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VS-HFA15TB60-N3GI | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.7 V @ 15 a | 60 ns | 10 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 15a | - | |||||||||
![]() | vs-10etf12strr-m3 | 0.9834 | ![]() | 4457 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 10etf12 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1200 v | 1.33 V @ 10 a | 310 ns | 100 µa @ 1200 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||
![]() | SB120-E3/54 | 0.4200 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | SB120 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 20 v | 480 mV @ 1 a | 500 µa @ 20 v | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | VS-5ECU06-M3/9AT | 0.9000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | 5ecu06 | 기준 | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.35 V @ 5 a | 43 ns | 3 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 5a | - | |||||||||
![]() | 30cph03 | - | ![]() | 3562 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 30cph | 기준 | TO-247AC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 300 v | 15a | 1.25 V @ 15 a | 40 ns | 40 µa @ 300 v | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||
![]() | TZM5241B-GS08 | 0.2300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZM5241 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 v @ 200 ma | 2 µa @ 8.4 v | 11 v | 22 옴 | |||||||||||
![]() | v6pwm12hm3/i | 0.6000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | Schottky | Slimdpak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 120 v | 830 mv @ 6 a | 100 µa @ 120 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 6A | 530pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | sml4758ahe3_a/i | 0.2063 | ![]() | 3060 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SML4758 | 1 W. | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µa @ 42.6 v | 56 v | 110 옴 | ||||||||||||
![]() | RGP10KEHE3/54 | - | ![]() | 5867 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | RGP10 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 800 v | 1.3 v @ 1 a | 500 ns | 5 µa @ 800 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | UGB18ACTHE3/81 | - | ![]() | 3235 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | UGB18 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | UGB18ACTHE3_A/I | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 50 v | 18a | 1.1 v @ 9 a | 30 ns | 10 µa @ 50 v | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | BZX55B6V2-TAP | 0.2200 | ![]() | 92 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZX55 | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | BZX55B6V2 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 2 v | 6.2 v | 10 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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