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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BZX384B27-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B27-E3-18 0.0360
RFQ
ECAD 8441 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384B27 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 NA @ 18.9 v 27 v 80 옴
W10G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division W10G-E4/51 0.8000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4 원, wog W10 기준 wog 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 V @ 1 a 5 µa @ 1000 v 1.5 a 단일 단일 1kv
V10K170CHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10k170chm3/h 0.7374
RFQ
ECAD 8117 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn Schottky Flatpak (5x6) 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-V10K170CHM3/HTR 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 170 v 2.8a 870 mV @ 5 a 15 µa @ 170 v -40 ° C ~ 150 ° C
TZX18A-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzx18a-tr 0.2300
RFQ
ECAD 667 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 TZX18 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 13 v 18 v 55 옴
S1FLG-M-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1FLG-M-18 0.0454
RFQ
ECAD 1372 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1F 기준 DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50,000 400 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 4pf @ 4V, 1MHz
VS-85HFR80M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-85HFR80M 19.7286
RFQ
ECAD 7107 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 85HFR80 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS85HFR80M 귀 99 8541.10.0080 100 800 v 1.2 v @ 267 a -65 ° C ~ 180 ° C 85A -
VS-8CVH01-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8CVH01-M3/I 0.8400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 8cvh01 기준 Slimdpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 4a 710 MV @ 8 a 25 ns 4 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C
MBRF1645HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF1645HE3_A/P 0.7920
RFQ
ECAD 3930 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 Schottky ITO-220AC 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-MBRF1645HE3_A/P 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 630 mv @ 16 a 200 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
RGP30J-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP30J-E3/73 -
RFQ
ECAD 4783 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 RGP30 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 3 a 250 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
VS-30CTQ060STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ060STRRPBF -
RFQ
ECAD 4015 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 30CTQ060 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 15a 620 MV @ 15 a 800 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-VSKE270-12 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKE270-12 -
RFQ
ECAD 8625 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3-MAGN-A-PAK ™ VSKE270 기준 Magn-A-Pak® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2 1200 v 270A -
BZT03C10-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03C10-TR 0.7200
RFQ
ECAD 40 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT03 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SOD-57,, 방향 BZT03C10 1.3 w SOD-57 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 1.2 v @ 500 ma 10 µa @ 7.5 v 10 v 4 옴
SRP100D-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SRP100D-E3/54 -
RFQ
ECAD 8081 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SRP100 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 1 a 100 ns 10 µa @ 200 v -50 ° C ~ 125 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
ES2G/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division es2g/1 -
RFQ
ECAD 2184 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AA, SMB ES2G 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.1 v @ 2 a 50 ns 10 µa @ 400 v -50 ° C ~ 150 ° C 2A 15pf @ 4V, 1MHz
VS-UFB250FA60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-UFB250FA60 23.5200
RFQ
ECAD 345 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 UFB250 기준 SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 600 v 168a 1.19 V @ 100 a 166 ns 50 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C
SMZJ3793BHE3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3793BHE3/5B -
RFQ
ECAD 1586 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB smzj37 1.5 w DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 11.4 v 15 v 9 옴
S3KHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division S3KHE3_A/H 0.1910
RFQ
ECAD 8112 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S3K 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 800 v 1.15 V @ 2.5 a 2.5 µs 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
BAS40-06-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS40-06-G3-08 0.0594
RFQ
ECAD 1728 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 Schottky SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 15,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 40 v 200ma 1 v @ 40 ma 5 ns 100 na @ 30 v 125 ° C (°)
VS-10ETS12STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-10ets12strlpbf -
RFQ
ECAD 6789 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 10ets12 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs10ets12strlpbf 귀 99 8541.10.0080 800 1200 v 1.1 v @ 10 a 500 µa @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C 10A -
VS-15CTQ040PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15CTQ040PBF -
RFQ
ECAD 9936 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 15ctq040 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 7.5A 550 MV @ 7.5 a 800 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C
SML4746-E3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4746-E3/61 0.4700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4746 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 5 µa @ 13.7 v 18 v 20 옴
CS1M-E3R/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division CS1M-E3R/I -
RFQ
ECAD 6183 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) - Rohs3 준수 1 (무제한) 112-CS1M-E3R/ITR 귀 99 8541.10.0080 1,000 1000 v 1.12 V @ 1 a 1.5 µs 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 6pf @ 4V, 1MHz
VS-SD600R12PC Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-sd600r12pc 158.6317
RFQ
ECAD 5362 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 B-8 SD600 기준 B-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6 1200 v 1.31 V @ 1500 a 35 ma @ 1200 v -40 ° C ~ 180 ° C 600A -
BYX83TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division byx83tap 0.2574
RFQ
ECAD 6098 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-57,, 방향 byx83 눈사태 SOD-57 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25,000 400 v 1 V @ 1 a 4 µs 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 20pf @ 4V, 1MHz
V20150S-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20150S-M3/4W 0.7229
RFQ
ECAD 2117 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 V20150 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1.6 V @ 20 a 200 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
VS-20ETF02S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20ETF02S-M3 1.5268
RFQ
ECAD 9930 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20etf02 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 V @ 20 a 160 ns 100 µa @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C 20A -
VT60M45C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT60M45C-M3/4W 1.3200
RFQ
ECAD 3954 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 VT60M45 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VT60M45C-M3/4WGI 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 30A 680 mV @ 30 a 450 µa @ 100 v -40 ° C ~ 175 ° C
VLZ39C-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ39C-GS18 -
RFQ
ECAD 4608 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ39 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 40 µa @ 34.2 v 36.93 v 85 옴
SD150R20PC Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD150R20PC -
RFQ
ECAD 6165 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 스터드 스터드 DO-205AC, DO-30, 스터드 SD150 기준 DO-205AC (DO-30) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 2000 v 1.5 V @ 470 a 15 ma @ 2000 v -40 ° C ~ 180 ° C 150a -
SL23-7001HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SL23-7001HE3_A/I -
RFQ
ECAD 9088 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AA, SMB SL23 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 1 (무제한) 112-SL23-7001HE3_A/ITR 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 440 mV @ 2 a 400 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고