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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BZD27C91P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C91P-HE3-08 0.4500
RFQ
ECAD 6047 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZD27C 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27C91 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 68 v 91 v 200 옴
TZMC6V2-M-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC6V2-M-08 0.0324
RFQ
ECAD 7449 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZM-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Tzmc6v2 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 2 v 6.2 v 10 옴
VSB2045-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSB2045-M3/54 -
RFQ
ECAD 2559 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 p600, 축, B2045 Schottky P600 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSB2045M354 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 580 mV @ 20 a 1.2 ma @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C 6.5A 2050pf @ 4V, 1MHz
VS-MBR4045WTPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbr4045wtpbf -
RFQ
ECAD 2027 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR40 Schottky TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 20A 590 mV @ 20 a 1.75 ma @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
LS103B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division LS103B-GS08 0.4300
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-80 변형 LS103 Schottky SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 600 mv @ 200 ma 10 ns 5 µa @ 20 v 125 ° C (°) - 50pf @ 0V, 1MHz
ZPY68-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZPY68-TR 0.0545
RFQ
ECAD 7754 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 ZPY68 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 zpy68tr 귀 99 8541.10.0050 25,000 500 NA @ 51 v 68 v 65 옴
8TQ080 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8tq080 -
RFQ
ECAD 1626 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 8tq080 Schottky TO-220AC - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 720 MV @ 8 a 550 µa @ 80 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a -
RS1B-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS1B-M3/61T 0.0682
RFQ
ECAD 1074 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA RS1B 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
RGP20D-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP20D-E3/54 -
RFQ
ECAD 4419 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 RGP20 기준 GP20 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 V @ 2 a 150 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 2A -
VI30120S-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI30120S-M3/4W 0.7945
RFQ
ECAD 5598 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA VI30120 Schottky TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 1.1 v @ 30 a 500 µa @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C 30A -
DZ23C3V9-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C3V9-E3-18 0.0415
RFQ
ECAD 1792 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division DZ23 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 음극 음극 공통 3.9 v 95 옴
V6K100DUHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v6k100duhm3/h 0.2977
RFQ
ECAD 9905 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn v6k100 Schottky flatpak 5x6 (이중) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 100 v 3A 690 mV @ 3 a 350 µa @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
BZT52C18-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C18-E3-08 0.2700
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT52 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52C18 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 14 v 18 v 18 옴
ZPY3V9-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division zpy3v9 9 0.3700
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 zpy3v9 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 25,000 3.9 v 4 옴
PLZ3V9B-G3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plz3v9b-g3/h 0.2800
RFQ
ECAD 38 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division plz 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3.35% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-219AC plz3v9 960 MW DO-219AC (microSMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,500 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 4.03 v 50 옴
GP10GE-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10GE-M3/73 -
RFQ
ECAD 1816 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 400 v 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
SS14-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS14-M3/61T 0.4500
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SS14 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 1 a 200 µa @ 40 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A -
VS-6CWQ04FNPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6CWQ04FNPBF -
RFQ
ECAD 3561 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 6CWQ04 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 75 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 3.5a 530 mV @ 3 a 2 ma @ 40 v -40 ° C ~ 150 ° C
SBL1030CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sbl1030ct-e3/45 -
RFQ
ECAD 8257 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 SBL1030 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 5a 550 mV @ 5 a 500 µa @ 30 v -40 ° C ~ 125 ° C
GP10GE-6329M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10GE-6329M3/73 -
RFQ
ECAD 3396 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 400 v 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
VS-60APU04PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60APU04PBF -
RFQ
ECAD 8704 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 60APU04 기준 TO-247AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 60 a 85 ns 50 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 60a -
S07D-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division S07D-GS08 0.4400
RFQ
ECAD 59 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S07 기준 DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 200 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 700ma 4pf @ 4V, 1MHz
UGB5JTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ugb5jthe3/45 -
RFQ
ECAD 6325 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB UGB5 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.75 V @ 5 a 50 ns 30 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
BZX384C6V2-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C6V2-HE3-18 0.2600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384C6V2 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
VS-30CTQ040SHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ040SHM3 1.2877
RFQ
ECAD 1013 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 30CTQ040 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 15a 620 MV @ 15 a 2 ma @ 40 v -55 ° C ~ 175 ° C
V12PM153-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V12pm153-m3/h 0.6600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 850 mV @ 12 a 150 µa @ 150 v -40 ° C ~ 175 ° C 3.7a 820pf @ 4v, 1MHz
BZD27B20P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B20P-E3-08 0.1155
RFQ
ECAD 9545 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZD27B 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 15 v 20 v 15 옴
US1B-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division US1B-E3/5AT 0.4300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA US1B 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 1 a 50 ns 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
200CNQ035 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 200cnq035 -
RFQ
ECAD 2205 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB 200cnq Schottky TO-244AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *200CNQ035 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 100A 540 mV @ 100 a 10 ma @ 35 v -55 ° C ~ 175 ° C
8ETX06STRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8etx06strl -
RFQ
ECAD 8762 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 8etx06 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 8etx06strltr 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 3 V @ 8 a 24 ns 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고