- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
다이오드 (29505)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SS10P6-M3/86A | 0.8900 |  | 65 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | SS10P6 | Schottky | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 550 mV @ 7 a | 150 µa @ 60 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 7a | - | |||||||||||||
 | 70MT160PA | - | | 3579 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 7-mtpa | 70mt160 | 기준 | 7-mtpa | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10 | 70 a | 3 단계 | 1.6kV | ||||||||||||||||
 | BZT52C27-HE3-08 | 0.0378 | | 6050 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZT52 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52C27 | 410 MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 20 v | 27 v | 30 옴 | |||||||||||||||
 | US1B-E3/5AT | 0.4300 | | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | US1B | 기준 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 10 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
 | VS-60APU04PBF | - | | 8704 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 60APU04 | 기준 | TO-247AC | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 25 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.25 V @ 60 a | 85 ns | 50 µa @ 400 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 60a | - | ||||||||||||
 | S07D-GS08 | 0.4400 | | 59 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-219ab | S07 | 기준 | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 200 v | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 10 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 700ma | 4pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
| BZG05C6V2TR | - | | 6777 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 6% | - | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 3 v | 6.2 v | 4 옴 | ||||||||||||||
 | BYW29-150-E3/45 | 1.1400 | | 996 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | BYW29 | 기준 | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 1.3 V @ 20 a | 25 ns | 10 µa @ 150 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 8a | 45pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
 | 200cnq035 | - | | 2205 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | TO-244AB | 200cnq | Schottky | TO-244AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *200CNQ035 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 30 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 35 v | 100A | 540 mV @ 100 a | 10 ma @ 35 v | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||
| SS14-M3/61T | 0.4500 | | 19 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SS14 | Schottky | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 500 mV @ 1 a | 200 µa @ 40 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||
| BZD27B15P-HE3-08 | 0.1238 | | 1487 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZD27B | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | do-219ab | BZD27 | 800MW | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 11 v | 15 v | 10 옴 | ||||||||||||||
 | FEPB16HT-E3/81 | 1.0574 | | 4455 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FEPB16 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 500 v | 8a | 1.5 v @ 8 a | 50 ns | 10 µa @ 500 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
 | VS-30BQ040HM3/9AT | 0.5800 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | 30BQ040 | Schottky | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 570 mV @ 3 a | 500 µa @ 40 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 230pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||
 | plz10b-g3/h | 0.3200 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | plz | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 3% | 150 ° C | 표면 표면 | DO-219AC | plz10 | 500MW | DO-219AC (microSMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mV @ 10 ma | 200 na @ 7 v | 10 v | 8 옴 | ||||||||||||||
 | vs-30wq06fntrlpbf | - | | 3131 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 30WQ06 | Schottky | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 610 mV @ 3 a | 2 ma @ 60 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 3.5a | 145pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||
 | ES1PA-E3/85A | - | | 8465 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-220AA | ES1 | 기준 | DO-220AA (SMP) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 920 MV @ 1 a | 25 ns | 5 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
 | TZM5225F-GS08 | - | | 7714 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZM5225 | 500MW | SOD-80 최소값 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 v @ 200 ma | 50 µa @ 1 v | 3 v | 1600 옴 | |||||||||||||||
 | AZ23C4V3-HE3-18 | 0.0436 | | 1623 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, AZ23 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C4V3 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 양극 양극 공통 | 4.3 v | 95 옴 | |||||||||||||||
 | LS103A-GS18 | 0.0672 | | 7924 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-80 변형 | LS103 | Schottky | SOD-80 Quadromelf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 600 mv @ 200 ma | 10 ns | 5 µa @ 30 v | 125 ° C (°) | - | 50pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||
 | 1N6484HE3/97 | - | | 9364 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-213ab, melf (유리) | 1N6484 | 기준 | do-213ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1N6484HE3_A/I | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 짐 | 1000 v | 1.1 v @ 1 a | 10 µa @ 1000 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
 | VI30120S-M3/4W | 0.7945 | | 5598 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | VI30120 | Schottky | TO-262AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 120 v | 1.1 v @ 30 a | 500 µa @ 120 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 30A | - | |||||||||||||
 | VSIB2580-E3/45 | - | | 4449 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GSIB-5S | VSIB2580 | 기준 | GSIB-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 1 V @ 12.5 a | 10 µa @ 800 v | 3.5 a | 단일 단일 | 800 v | ||||||||||||||
| VS-30CTQ045STRLPBF | - | | 6326 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 30CTQ045 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 45 v | 30A | 760 mV @ 30 a | 2 ma @ 45 v | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||
| VS-20ETF02SPBF | - | | 4355 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 20etf02 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VS-20ETF02SPBFGI | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1.67 V @ 60 a | 160 ns | 100 µa @ 650 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | |||||||||||
| PLZ27A-G3/H | 0.3200 | | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | plz | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 3% | 150 ° C | 표면 표면 | DO-219AC | plz27 | 500MW | DO-219AC (microSMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mV @ 10 ma | 200 na @ 19 v | 27 v | 45 옴 | ||||||||||||||
 | vs-mur1520pbf | - | | 9754 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | MUR1520 | 표준, 극성 역 | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1.05 V @ 15 a | 35 ns | 10 µa @ 200 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 15a | - | ||||||||||||
 | GP10GE-M3/73 | - | | 1816 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | GP10 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 400 v | 1.1 v @ 1 a | 3 µs | 5 µa @ 400 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
| GP10GE-6329M3/73 | - | | 3396 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | GP10 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 400 v | 1.1 v @ 1 a | 3 µs | 5 µa @ 400 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
| 8etx06strl | - | | 8762 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 8etx06 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 8etx06strltr | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 3 V @ 8 a | 24 ns | 50 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 8a | - | |||||||||||
 | v4pal45hm3/i | - | | 7593 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-221BC, SMA 플랫 리드 노출 패드 | v4pal45 | Schottky | DO-221BC (SMPA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 430 mv @ 2 a | 450 µa @ 45 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 3A | 450pf @ 4V, 1MHz |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)