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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SS34HM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS34HM3_A/I 0.2424
RFQ
ECAD 4026 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC SS34 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-SS34HM3_A/ITR 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
MBR25H35CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR25H35CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 7143 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR25 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 15a 640 mV @ 15 a 100 µa @ 35 v -65 ° C ~ 175 ° C
MMBZ5247B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5247B-E3-08 -
RFQ
ECAD 2403 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5247 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 13 v 17 v 19 옴
SML4752-E3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4752-E3/61 0.4700
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4752 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 5 µa @ 25.1 v 33 v 45 옴
VS-30CTQ060STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ060STRLPBF -
RFQ
ECAD 9760 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 30CTQ060 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 15a 620 MV @ 15 a 800 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
GDZ2V7B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ2V7B-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 4283 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, GDZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 4% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 GDZ2V7 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 µa @ 1 v 2.7 v 110 옴
VS-T40HFL20S05 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-T40HFL20S05 24.9960
RFQ
ECAD 8548 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-55 T- 5 T40 기준 D-55 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 500 ns 100 µa @ 200 v 40a -
GP10J-4005-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10J-4005-M3/73 -
RFQ
ECAD 3119 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 600 v 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
MMBZ4706-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4706-G3-08 -
RFQ
ECAD 9756 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4706 350 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 50 NA @ 14.4 v 19 v
BZD27B20P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B20P-E3-18 0.1155
RFQ
ECAD 6354 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZD27B 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 15 v 20 v 15 옴
VS-VS52CDR04M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VS52CDR04M -
RFQ
ECAD 8986 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 VS52 - 112-VS-VS52CDR04M 1
TZM5227B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5227B-GS08 0.2300
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5227 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.1 v @ 200 ma 15 µa @ 1 v 3.6 v 24 옴
TZQ5254B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZQ5254B-GS18 0.0303
RFQ
ECAD 2359 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 TZQ5254 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 19 v 27 v 41 옴
DZ23C7V5-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C7V5-HE3-08 0.0436
RFQ
ECAD 6786 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, DZ23 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 1 음극 음극 공통 100 na @ 5 v 7.5 v 7 옴
VLZ9V1-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ9V1-GS18 -
RFQ
ECAD 5624 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ9V1 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 9.1 v 8 옴
BZD27B130P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B130P-E3-18 0.1155
RFQ
ECAD 3288 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZD27B 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27B130 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 100 v 130 v 300 옴
BZX84C5V1-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C5V1-HE3-08 0.2400
RFQ
ECAD 146 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX84 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C5V1 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
VS-43CTQ100STRRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-43CTQ100STRHM3 1.7800
RFQ
ECAD 2655 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 43ctq100 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 810 mV @ 20 a 1 ma @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C
BYM11-1000HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM11-1000HE3_A/H -
RFQ
ECAD 2076 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-213ab, melf (유리) bym11 기준 do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 BYM11-1000HE3_B/H 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
GDZ15B-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ15B-HG3-08 0.0523
RFQ
ECAD 6803 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, GDZ-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 GDZ15 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 11 v 15 v 42 옴
83CNQ080A Vishay General Semiconductor - Diodes Division 83CNQ080A -
RFQ
ECAD 3364 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-61-8 83CNQ Schottky D-61-8 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 40a 1 V @ 80 a 1.5 ma @ 80 v -55 ° C ~ 175 ° C
48CTQ060 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 48ctq060 -
RFQ
ECAD 5251 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 48CTQ Schottky TO-220-3 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 20A 610 mV @ 20 a 2 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-150EBU04 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-150EBU04 8.0900
RFQ
ECAD 52 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 PowerTab ™, Powirtab ™ 150EBU04 기준 Powirtab ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 150 a 93 ns 50 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 150a -
MMSZ4693-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4693-HE3_A-18 0.0533
RFQ
ECAD 9597 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 112-MMSZ4693-HE3_A-18TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 5.7 v 7.5 v
BZT52C33-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C33-G3-18 0.0409
RFQ
ECAD 2291 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT52-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52C33 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 25 v 33 v 40
BZT52C5V6-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C5V6-HE3_A-08 0.0533
RFQ
ECAD 7360 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZT52 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 300MW SOD-123 다운로드 112-BZT52C5V6-HE3_A-08TR 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 1 v 5.6 v 40
VS-6CWQ03FNPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6CWQ03FNPBF -
RFQ
ECAD 7734 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 6CWQ03 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 75 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 3.5A 350 mV @ 3 a 2 ma @ 30 v -40 ° C ~ 150 ° C
BZD27B43P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B43P-HE3-08 0.1238
RFQ
ECAD 8156 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZD27B 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27B43 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 33 v 43 v 45 옴
BZD27C4V7P-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C4V7P-HE3-18 0.1561
RFQ
ECAD 5786 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZD27C 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27C4V7 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 1 v 4.7 v 7 옴
IRKE71/12A Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKE71/12A -
RFQ
ECAD 1142 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 Add-A-Pak (2) IRKE71 기준 Add-a-Pak® 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 1200 v 10 ma @ 1200 v 80a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고