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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ar3pghm3_a/h | 0.4950 | ![]() | 7395 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | AR3 | 눈사태 | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.6 V @ 3 a | 140 ns | 10 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.8a | 44pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | S2K-E3/5BT | 0.4000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | S2K | 기준 | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 짐 | 800 v | 1.15 V @ 1.5 a | 2 µs | 1 µa @ 800 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5A | 16pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | SS14-61HE3J_A/H | - | ![]() | 7442 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SS14 | Schottky | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 500 mV @ 1 a | 200 µa @ 40 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | VS-VSKE236/04PBF | 54.3527 | ![]() | 5412 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시 섀시 | int-a-pak (3) | VSKE236 | 기준 | int-a-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 15 | 짐 | 400 v | 230a | - | |||||||||||||
![]() | SMPZ3937B-E3/84A | - | ![]() | 9577 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-220AA | smpz39 | 500MW | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.5 v @ 200 ma | 500 NA @ 25.1 v | 33 v | 33 옴 | |||||||||||
![]() | U1D-E3/5AT | 0.4400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | U1D | 기준 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 920 MV @ 1 a | 24 ns | 5 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||
![]() | FEPB16CT-E3/45 | 0.8732 | ![]() | 4249 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FEPB16 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 150 v | 8a | 950 MV @ 8 a | 35 ns | 10 µa @ 150 v | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | BZG03C30-M3-18 | 0.5000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZG03C-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6.67% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG03C30 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 500 ma | 1 µa @ 22 v | 30 v | 15 옴 | |||||||||||
![]() | SBLB25L30CT-E3/81 | 1.1006 | ![]() | 4688 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SBLB25L30 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 30 v | 12.5A | 490 MV @ 12.5 a | 900 µa @ 30 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | VSB1545-M3/73 | - | ![]() | 4190 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TMBS® | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | p600, 축, | B1545 | Schottky | P600 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VSB1545M373 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 300 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 590 mV @ 15 a | 800 µa @ 45 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 6A | 1290pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | VS-6CWQ04FNPBF | - | ![]() | 3561 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 6CWQ04 | Schottky | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 75 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 40 v | 3.5A | 530 mV @ 3 a | 2 ma @ 40 v | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | LS103B-GS08 | 0.4300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-80 변형 | LS103 | Schottky | SOD-80 Quadromelf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 30 v | 600 mv @ 200 ma | 10 ns | 5 µa @ 20 v | 125 ° C (°) | - | 50pf @ 0V, 1MHz | |||||||||
![]() | V12pm153-m3/h | 0.6600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | Schottky | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 850 mV @ 12 a | 150 µa @ 150 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 3.7a | 820pf @ 4v, 1MHz | ||||||||||||
![]() | BZT52B27-E3-18 | 0.0415 | ![]() | 1726 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZT52 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52B27 | 410 MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 20 v | 27 v | 30 옴 | ||||||||||||
![]() | VT3080S-E3/4W | 1.3600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TMBS® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | VT3080 | Schottky | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 80 v | 950 MV @ 30 a | 1 ma @ 80 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 30A | - | ||||||||||
BAS40-05-HE3-18 | 0.0577 | ![]() | 2226 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS40 | Schottky | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 음극 음극 공통 | 40 v | 200ma | 1 v @ 40 ma | 5 ns | 100 na @ 30 v | 125 ° C (°) | ||||||||||
![]() | BZG05C7V5-E3-TR | - | ![]() | 5449 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZG05C | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 4.5 v | 7.5 v | 3 옴 | |||||||||||
![]() | VS-8ETH03STRLPBF | - | ![]() | 7730 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, FRED PT® | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 8ETH03 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs8eth03strlpbf | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 300 v | 1.25 V @ 8 a | 27 ns | 20 µa @ 300 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 8a | - | ||||||||
![]() | RS3K-E3/9AT | 0.6600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | RS3K | 기준 | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 800 v | 1.3 V @ 2.5 a | 500 ns | 10 µa @ 800 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 34pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | V10K150CHM3/H | 0.3666 | ![]() | 6451 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 8-powertdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 112-V10K150CHM3/HTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 150 v | 3A | 1.08 V @ 5 a | 200 µa @ 150 v | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | EGP10BHE3/73 | - | ![]() | 3771 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | EGP10 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 950 MV @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 100 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 22pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | VX20202C-M3/p | 0.9224 | ![]() | 9657 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | Schottky | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 112-VX20202C-M3/p | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 200 v | 10A | 840 mV @ 10 a | 50 µa @ 200 v | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
![]() | BZG03C240-M3-08 | 0.5000 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZG03C-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5.83% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG03C240 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 v @ 500 ma | 1 µa @ 180 v | 240 v | 850 옴 | |||||||||||
![]() | MMSZ5228C-HE3_A-18 | 0.0566 | ![]() | 9773 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | 112-MMSZ5228C-HE3_A-18TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 ma | 10 µa @ 1 v | 3.9 v | 23 옴 | ||||||||||||||
![]() | BZG05B9V1-E3-TR | - | ![]() | 5465 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZG05B | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 1.98% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 w | DO-214AC | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 6.8 v | 9.1 v | 5 옴 | ||||||||||||
![]() | vx60202pgwhm3/p | 2.1632 | ![]() | 3622 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | Schottky | TO-247AD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 112-vx60202pgwhm3/p | 귀 99 | 8541.10.0080 | 25 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 200 v | 30A | 920 MV @ 30 a | 100 µa @ 200 v | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
![]() | V10P45-M3/86A | 0.8100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | v10p45 | Schottky | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 570 mV @ 10 a | 800 µa @ 45 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 4.4a | - | ||||||||||
BZT52B2V7-HE3_A-18 | 0.0533 | ![]() | 6464 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZT52 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | 300MW | SOD-123 | 다운로드 | 112-BZT52B2V7-HE3_A-18TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 20 µa @ 1 v | 2.7 v | 83 옴 | ||||||||||||||||
UGE5HT-E3/45 | - | ![]() | 4650 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | UGE5 | 기준 | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 500 v | 1.75 V @ 5 a | 25 ns | 30 µa @ 500 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 5a | - | ||||||||||
![]() | v6pwm10c-m3/i | 0.2940 | ![]() | 9998 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | Schottky | Slimdpak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 112-v6pwm10c-m3/itr | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 3A | 730 MV @ 3 a | 80 µa @ 100 v | -40 ° C ~ 175 ° C |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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