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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
AR3PGHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ar3pghm3_a/h 0.4950
RFQ
ECAD 7395 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn AR3 눈사태 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.6 V @ 3 a 140 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.8a 44pf @ 4V, 1MHz
S2K-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S2K-E3/5BT 0.4000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S2K 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 800 v 1.15 V @ 1.5 a 2 µs 1 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 16pf @ 4V, 1MHz
SS14-61HE3J_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS14-61HE3J_A/H -
RFQ
ECAD 7442 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AC, SMA SS14 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 1 a 200 µa @ 40 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A -
VS-VSKE236/04PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKE236/04PBF 54.3527
RFQ
ECAD 5412 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 int-a-pak (3) VSKE236 기준 int-a-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 400 v 230a -
SMPZ3937B-E3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMPZ3937B-E3/84A -
RFQ
ECAD 9577 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-220AA smpz39 500MW DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 500 NA @ 25.1 v 33 v 33 옴
U1D-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division U1D-E3/5AT 0.4400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA U1D 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 920 MV @ 1 a 24 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
FEPB16CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEPB16CT-E3/45 0.8732
RFQ
ECAD 4249 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FEPB16 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 8a 950 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZG03C30-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C30-M3-18 0.5000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG03C-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.67% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03C30 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 22 v 30 v 15 옴
SBLB25L30CT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLB25L30CT-E3/81 1.1006
RFQ
ECAD 4688 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SBLB25L30 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 12.5A 490 MV @ 12.5 a 900 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
VSB1545-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSB1545-M3/73 -
RFQ
ECAD 4190 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 p600, 축, B1545 Schottky P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSB1545M373 귀 99 8541.10.0080 300 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 590 mV @ 15 a 800 µa @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C 6A 1290pf @ 4V, 1MHz
VS-6CWQ04FNPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6CWQ04FNPBF -
RFQ
ECAD 3561 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 6CWQ04 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 75 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 3.5A 530 mV @ 3 a 2 ma @ 40 v -40 ° C ~ 150 ° C
LS103B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division LS103B-GS08 0.4300
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-80 변형 LS103 Schottky SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 600 mv @ 200 ma 10 ns 5 µa @ 20 v 125 ° C (°) - 50pf @ 0V, 1MHz
V12PM153-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V12pm153-m3/h 0.6600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 850 mV @ 12 a 150 µa @ 150 v -40 ° C ~ 175 ° C 3.7a 820pf @ 4v, 1MHz
BZT52B27-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B27-E3-18 0.0415
RFQ
ECAD 1726 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT52 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52B27 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 20 v 27 v 30 옴
VT3080S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT3080S-E3/4W 1.3600
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 VT3080 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 950 MV @ 30 a 1 ma @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C 30A -
BAS40-05-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS40-05-HE3-18 0.0577
RFQ
ECAD 2226 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 Schottky SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 40 v 200ma 1 v @ 40 ma 5 ns 100 na @ 30 v 125 ° C (°)
BZG05C7V5-E3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C7V5-E3-TR -
RFQ
ECAD 5449 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG05C 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 4.5 v 7.5 v 3 옴
VS-8ETH03STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ETH03STRLPBF -
RFQ
ECAD 7730 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 8ETH03 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs8eth03strlpbf 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 8 a 27 ns 20 µa @ 300 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
RS3K-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS3K-E3/9AT 0.6600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC RS3K 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 V @ 2.5 a 500 ns 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 34pf @ 4V, 1MHz
V10K150CHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10K150CHM3/H 0.3666
RFQ
ECAD 6451 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn Schottky Flatpak (5x6) 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-V10K150CHM3/HTR 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 3A 1.08 V @ 5 a 200 µa @ 150 v -40 ° C ~ 150 ° C
EGP10BHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10BHE3/73 -
RFQ
ECAD 3771 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 EGP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 22pf @ 4V, 1MHz
VX20202C-M3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VX20202C-M3/p 0.9224
RFQ
ECAD 9657 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-VX20202C-M3/p 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 10A 840 mV @ 10 a 50 µa @ 200 v -40 ° C ~ 175 ° C
BZG03C240-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C240-M3-08 0.5000
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG03C-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.83% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03C240 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 180 v 240 v 850 옴
MMSZ5228C-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5228C-HE3_A-18 0.0566
RFQ
ECAD 9773 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 112-MMSZ5228C-HE3_A-18TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 3.9 v 23 옴
BZG05B9V1-E3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B9V1-E3-TR -
RFQ
ECAD 5465 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG05B 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1.98% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05 1.25 w DO-214AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 6.8 v 9.1 v 5 옴
VX60202PGWHM3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division vx60202pgwhm3/p 2.1632
RFQ
ECAD 3622 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 Schottky TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-vx60202pgwhm3/p 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 30A 920 MV @ 30 a 100 µa @ 200 v -40 ° C ~ 175 ° C
V10P45-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10P45-M3/86A 0.8100
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn v10p45 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 570 mV @ 10 a 800 µa @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C 4.4a -
BZT52B2V7-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B2V7-HE3_A-18 0.0533
RFQ
ECAD 6464 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZT52 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 300MW SOD-123 다운로드 112-BZT52B2V7-HE3_A-18TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 20 µa @ 1 v 2.7 v 83 옴
UGE5HT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGE5HT-E3/45 -
RFQ
ECAD 4650 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 UGE5 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 500 v 1.75 V @ 5 a 25 ns 30 µa @ 500 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
V6PWM10C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v6pwm10c-m3/i 0.2940
RFQ
ECAD 9998 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Schottky Slimdpak 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-v6pwm10c-m3/itr 귀 99 8541.10.0080 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 3A 730 MV @ 3 a 80 µa @ 100 v -40 ° C ~ 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고