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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
UGB15HTHE3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGB15HThe3/81 -
RFQ
ECAD 7255 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB UGB15 기준 to-263ab (d²pak) - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 500 v 1.75 V @ 15 a 50 ns 30 µa @ 500 v -55 ° C ~ 150 ° C
SS2PH10HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss2ph10hm3_a/h 0.4800
RFQ
ECAD 89 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA SS2PH10 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 800 mV @ 2 a 1 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 65pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5265C-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5265C-HE3-08 0.0454
RFQ
ECAD 7824 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5265 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 47 v 62 v 185 옴
SGL41-30-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SGL41-30-E3/96 0.7400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AB, MELF SGL41 Schottky GL41 (DO-213AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 1 a 500 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A 110pf @ 4V, 1MHz
AZ23B22-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B22-HE3-18 0.0534
RFQ
ECAD 8796 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, AZ23 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23B22 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 17 v 22 v 55 옴
MBRB1535CT Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1535CT -
RFQ
ECAD 9832 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB15 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 7.5A 570 MV @ 7.5 a 100 µa @ 35 v -65 ° C ~ 150 ° C
VS-C4PU6006LHN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-C4PU6006LHN3 1.9356
RFQ
ECAD 7399 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 C4PU6006 기준 TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.6 V @ 30 a 65 ns 50 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 30A -
MMBZ4621-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4621-G3-18 -
RFQ
ECAD 1906 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4621 350 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 7.5 µa @ 2 v 3.6 v 1700 옴
V30DM150CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30DM150CHM3/i 1.6300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 V30DM150 Schottky TO-263AC (SMPD) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 15a 1.3 V @ 15 a 200 µa @ 150 v -40 ° C ~ 175 ° C
BZX84B10-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B10-HE3_A-18 0.0498
RFQ
ECAD 1123 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX84 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 다운로드 112-BZX84B10-HE3_A-18TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 7 v 10 v 20 옴
VS-16FR120M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16FR120M 11.1100
RFQ
ECAD 5883 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 16FR120 표준, 극성 역 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS16FR120M 귀 99 8541.10.0080 100 1200 v 1.23 V @ 50 a -65 ° C ~ 175 ° C 16A -
VS-15CTQ045PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15CTQ045PBF -
RFQ
ECAD 1943 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 15ctq045 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 7.5A 550 MV @ 7.5 a 800 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
MCL103C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division mcl103c-tr 0.4800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 없음 MCL103 Schottky 마이크로 마이크로 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 2,500 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 20 v 600 mv @ 200 ma 5 µa @ 10 v 125 ° C (°) 200ma -
1N4148W-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4148W-G3-08 0.2800
RFQ
ECAD 106 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 1N4148 기준 SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1.2 v @ 100 ma 4 ns 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 150ma -
S3MHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division S3MHE3_A/H 0.4800
RFQ
ECAD 850 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S3M 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 1000 v 1.15 V @ 2.5 a 2.5 µs 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
TZM5255F-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5255F-GS18 -
RFQ
ECAD 9819 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5255 500MW SOD-80 최소값 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 21 v 28 v 600 옴
SMZJ3793A-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3793A-E3/52 -
RFQ
ECAD 1180 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB smzj37 1.5 w DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 750 5 µa @ 11.4 v 15 v 9 옴
BZM55C3V6-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZM55C3V6-TR 0.2800
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZM55 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 BZM55C3V6 500MW 마이크로 마이크로 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 2 µa @ 1 v 3.6 v 600 옴
MMSZ5250B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5250B-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 4641 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5250 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 15 v 20 v 25 옴
BZD17C68P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C68P-E3-18 0.1452
RFQ
ECAD 6287 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 do-219ab BZD17C68 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 51 v 68 v
BZX384C68-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C68-G3-18 0.0389
RFQ
ECAD 4726 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX384-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384C68 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 NA @ 47.6 v 68 v 240 옴
BZD27C47P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C47P-HE3-08 0.4200
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZD27C 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27C47 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 36 v 47 v 45 옴
VS-ETH3006-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETH3006-1-M3 1.4495
RFQ
ECAD 2710 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA ETH3006 기준 TO-262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSETH30061M3 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.65 V @ 30 a 26 ns 30 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 30A -
112CNQ030ASL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 112CNQ030ASL -
RFQ
ECAD 3099 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 표면 표면 D-61-8-SL 112CNQ030 Schottky D-61-8-SL 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *112CNQ030ASL 귀 99 8541.10.0080 400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 55A 490 mV @ 55 a 3.5 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
EGP50A-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP50A-E3/54 -
RFQ
ECAD 2842 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 EGP50 기준 GP20 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 5 a 50 ns 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 5a 95pf @ 4V, 1MHz
VS-16CTQ080STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTQ080STRL-M3 0.9083
RFQ
ECAD 4364 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 16ctq080 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 8a 720 MV @ 8 a 550 µa @ 80 v -55 ° C ~ 175 ° C
MBRD660CT Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRD660CT -
RFQ
ECAD 2770 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MBRD6 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 75 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 3A 700 mv @ 3 a 100 µa @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C
VS-16CTQ080HN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTQ080HN3 1.1456
RFQ
ECAD 1538 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 16ctq080 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 8a 720 MV @ 8 a 550 µa @ 80 v -55 ° C ~ 175 ° C
VS-42CTQ030-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-42CTQ030-M3 1.9900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 42CTQ030 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 20A 570 mV @ 40 a 3 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-MBR1100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbr1100 -
RFQ
ECAD 5679 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 MBR1 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mv @ 1 a 500 µa @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C 1A 35pf @ 5V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고