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| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VLZ2V4A-GS18 | - |  | 2425 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, VLZ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SOD-80 변형 | VLZ2V4 | 500MW | SOD-80 Quadromelf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 70 µa @ 1 v | 2.43 v | 100 옴 | ||||||||||||
 | BZT03D15-TR | - | | 4185 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZT03 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 6% | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | SOD-57,, 방향 | BZT03 | 1.3 w | SOD-57 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 1.2 v @ 500 ma | 1 µa @ 11 v | 15 v | 10 옴 | ||||||||||||
 | BZM55C16-TR3 | 0.0368 | | 6293 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZM55 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | BZM55C16 | 500MW | 마이크로 마이크로 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 12 v | 16 v | 170 옴 | ||||||||||||
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 | v10k170chm3/i | 0.7374 | | 1387 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 8-powertdfn | Schottky | Flatpak (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 112-V10K170CHM3/ITR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 170 v | 2.8a | 870 mV @ 5 a | 15 µa @ 170 v | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
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 | ZMM5233B-13 | - | | 2243 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | ZMM52 | 500MW | DO-213AA (GL34) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | ZMM5233B-13GI | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 5 µa @ 3.5 v | 6 v | 7 옴 | ||||||||||||
| AZ23B24-E3-18 | 0.0509 | | 8384 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | AZ23 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B24 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 양극 양극 공통 | 100 na @ 18 v | 24 v | 80 옴 | ||||||||||||
| BZX84C8V2-HE3_A-08 | - | | 4183 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZX84 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | 112-BZX84C8V2-HE3_A-08TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 700 na @ 5 v | 8.2 v | 15 옴 | ||||||||||||||||
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 | BZW03C6V8-TAP | - | | 8955 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZW03 | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | SOD-64,, 방향 | BZW03 | 1.85 w | SOD-64 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.2 v @ 1 a | 2 ma @ 5.1 v | 6.8 v | 1.5 옴 | ||||||||||||
| BZM55B8V2-TR3 | 0.0433 | | 6348 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZM55 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | BZM55B8V2 | 500MW | 마이크로 마이크로 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 6.2 v | 8.2 v | 50 옴 | ||||||||||||
 | SS2P4HM3/84A | 0.4900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-220AA | SS2P4 | Schottky | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 550 mV @ 2 a | 150 µa @ 40 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 110pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
 | VB20150SG-E3/4W | 1.3300 | | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TMBS® | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | VB20150 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 1.6 V @ 20 a | 200 µa @ 150 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | |||||||||||
| MMBZ5247C-E3-08 | - | | 8462 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5247 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 13 v | 17 v | 19 옴 | |||||||||||||
| MMBZ5245C-E3-18 | - | | 7339 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5245 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 11 v | 15 v | 16 옴 | |||||||||||||
 | VT1060CHM3/4W | - | | 6855 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | VT1060 | Schottky | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VT1060CHM34W | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 5a | 700 mv @ 5 a | 700 µa @ 60 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
| MMBZ5267B-HE3-08 | - | | 3442 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5267 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 56 v | 75 v | 270 옴 |
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