- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
다이오드 (29505)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VLZ5V6A-GS08 | - |  | 7519 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, VLZ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SOD-80 변형 | VLZ5V6 | 500MW | SOD-80 Quadromelf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 1 v | 5.42 v | 13 옴 | ||||||||||||
 | v10pwm60hm3/i | 0.3647 | | 1681 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | Schottky | Slimdpak | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 112-v10pwm60hm3/itr | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 610 mV @ 10 a | 400 µa @ 60 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 10A | 1580pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
 | v10pm12-m3/86a | 0.3318 | | 5584 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | v10pm12 | Schottky | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 120 v | 830 mv @ 10 a | 400 µa @ 120 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 3.9a | - | |||||||||||
 | GL41M-E3/97 | 0.4500 | | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-213ab, melf (유리) | GL41 | 기준 | do-213ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 짐 | 1000 v | 1.2 v @ 1 a | 10 µa @ 1000 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
 | SS16HE3_A/H | - | | 3921 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SS16 | Schottky | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 750 mv @ 1 a | 200 µa @ 60 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||
 | AZ23B10-HE3_A-18 | - | | 8055 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, AZ23 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | 112-AZ23B10-HE3_A-18TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 양극 양극 공통 | 200 na @ 7 v | 10 v | 20 옴 | |||||||||||||||
| BZG03B33-M3-08 | 0.2228 | | 3442 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZG03B-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG03B33 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 500 ma | 1 µa @ 24 v | 33 v | 15 옴 | ||||||||||||
 | MMSZ5229C-G3-18 | 0.0483 | | 9521 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5229 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 5 µa @ 1 v | 4.3 v | 22 옴 | |||||||||||||
 | BZM55B33-TR | 0.3200 | | 530 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZM55 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | BZM55B33 | 500MW | 마이크로 마이크로 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 24 v | 33 v | 220 옴 | ||||||||||||
 | VS-82-0356 | - | | 9849 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | 82-0356 | - | 112-VS-82-0356 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
 | ZPY22 탭 | 0.0545 | | 6314 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | ZPY22 | 1.3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | ZPY22TAP | 귀 99 | 8541.10.0050 | 25,000 | 500 na @ 17 v | 22 v | 7 옴 | ||||||||||||
 | 1N5231B 탭 | 0.2300 | | 34 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N5231 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 v @ 200 ma | 5 µa @ 2 v | 5.1 v | 17 옴 | ||||||||||||
 | VS-12FLR60S02 | 5.6976 | | 5780 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시, 마운트 스터드 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | 12FLR60 | 표준, 극성 역 | DO-203AA (DO-4) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.4 V @ 12 a | 200 ns | 50 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 12a | - | ||||||||||
 | BYV29B-300-E3/81 | - | | 2742 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | BYV29 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 300 v | 1.25 V @ 8 a | 50 ns | 10 µa @ 300 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | ||||||||||
| BZG03B100-HM3-08 | 0.2310 | | 9319 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZG03B-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG03B100 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 500 ma | 1 µa @ 75 v | 100 v | 200 옴 | ||||||||||||
 | TZM5261F-GS18 | - | | 6920 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZM5261 | 500MW | SOD-80 최소값 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 36 v | 47 v | 1000 옴 | |||||||||||||
| DZ23C4V3-G3-18 | 0.0483 | | 4635 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | DZ23-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 음극 음극 공통 | 4.3 v | 95 옴 | |||||||||||||
| VS-72HA80 | - | | 6138 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시, 마운트 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 72HA80 | 기준 | do-203ab (Do-5) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VS72HA80 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 짐 | 800 v | 1.35 V @ 220 a | -65 ° C ~ 180 ° C | 70A | - | |||||||||||
 | UGF18CCT-E3/45 | - | | 8059 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | UGF18 | 기준 | ITO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 150 v | 18a | 1.1 v @ 9 a | 30 ns | 10 µa @ 150 v | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
| SML4734A-E3/61 | - | | 8299 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SML4734 | 1 W. | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 10 µa @ 2 v | 5.6 v | 5 옴 | |||||||||||||
| BZX84B4V7-HE3-08 | 0.0341 | | 2893 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZX84 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B4V7 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 3 µa @ 2 v | 4.7 v | 80 옴 | |||||||||||||
 | MBR30H100CT-E3/4W | - | | 4435 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MBR30 | Schottky | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 15a | 820 MV @ 15 a | 5 µa @ 100 v | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
| VS-121NQ045PBF | 21.7955 | | 2332 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시 섀시 | D-67 하프 7 | 121NQ045 | Schottky | D-67 하프 7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 20 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 650 mV @ 120 a | 10 ma @ 45 v | 120a | 5200pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||
| MMSZ4708-E3-08 | 0.2700 | | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ4708 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 na @ 16.7 v | 22 v | ||||||||||||||
 | SB350-E3/73 | - | | 6998 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | SB350 | Schottky | Do-201ad | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 680 mV @ 3 a | 500 µa @ 50 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||
| V8P8-M3/87A | 0.2652 | | 2721 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | v8p8 | Schottky | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 80 v | 660 mV @ 8 a | 700 µa @ 80 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 4a | - | |||||||||||
 | v7nm103-m3/i | 0.5600 | | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면, 마운트 측면 | 2-vdfn | v7nm103 | Schottky | DFN3820A | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 14,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 720 MV @ 7 a | 160 µa @ 100 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 2.3a | 770pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
 | 30cpq060 | - | | 1992 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 30cpq | Schottky | TO-247AC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 15a | 600 mV @ 15 a | 800 µa @ 60 v | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
| BZT55B4V3-GS18 | 0.0433 | | 5196 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZT55 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SOD-80 변형 | BZT55B4V3 | 500MW | SOD-80 Quadromelf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 1 v | 4.3 v | 90 옴 | ||||||||||||
| BZT55C68-GS18 | 0.0283 | | 3168 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZT55 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SOD-80 변형 | BZT55C68 | 500MW | SOD-80 Quadromelf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 51 v | 68 v | 200 옴 |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)