RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

다이오드 (29505)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
VS-11DQ03	-	RFQ	5936	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	11dq03	Schottky		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		550 mV @ 1 a		1 ma @ 30 v	-40 ° C ~ 150 ° C	1.1a	-
AZ23C30-HE3_A-08	-	RFQ	5378	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, AZ23	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			300MW	SOT-23-3	다운로드				112-AZ23C30-HE3_A-08TR	귀 99	8541.10.0050	1	1 양극 양극 공통							50 na @ 21 v				30 v	80 옴
vs-50wq03fntrl-m3	0.3226	RFQ	9026	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	50WQ03	Schottky		D-PAK (TO-252AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vs50wq03fntrlm3	귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		460 mV @ 5 a		3 ma @ 30 v	-40 ° C ~ 150 ° C	5.5A	590pf @ 5V, 1MHz
VI10150CHM3/4W	-	RFQ	5221	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, TMBS®	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	VI10150	Schottky		TO-262AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	150 v	5a	750 mV @ 5 a		100 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SB560-E3/54	0.5900	RFQ	129	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SB560	Schottky		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,400		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		650 mV @ 5 a		500 µa @ 60 v	-65 ° C ~ 150 ° C	5a	-
MBRB2560CThe3/45	-	RFQ	3581	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB25	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	60 v	15a	750 mV @ 15 a		1 ma @ 60 v	-65 ° C ~ 150 ° C
1N4944GPHE3/73	-	RFQ	5508	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4944	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	1 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
VS-41HFR100	8.9776	RFQ	6442	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	41HFR100	표준, 극성 역		do-203ab (Do-5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100		짐		1000 v		1.3 v @ 125 a		9 ma @ 1000 v	-65 ° C ~ 190 ° C	40a	-
UF4005-E3S/73	-	RFQ	3720	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	UF4005	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드		1 (무제한)		112-UF4005-E3S/73TR	귀 99	8541.10.0080	6,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	17pf @ 4V, 1MHz
SD103N10S10PV	-	RFQ	2137	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는			스터드 스터드	DO-205AC, DO-30, 스터드	SD103	기준		DO-205AC (DO-30)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*sd103n10s10pv	귀 99	8541.10.0080	25		짐		1000 v		2.23 V @ 345 a	1 µs	35 ma @ 1000 v	-40 ° C ~ 125 ° C	110A	-
BZT52C47-HE3-18	0.0378	RFQ	1202	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZT52	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	BZT52C47		410 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000								100 na @ 35 v				47 v	70 옴
v5nl63-m3/i	0.4400	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, TMBS®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면, 마운트 측면	2-vdfn	v5nl63	Schottky		DFN3820A	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지				14,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		580 mV @ 5 a		80 @ 60 v	-40 ° C ~ 150 ° C	2.4a	840pf @ 4V, 1MHz
TZM5225F-GS18	-	RFQ	6800	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	TZM5225		500MW	SOD-80 최소값	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	10,000						1.1 v @ 200 ma		50 µa @ 1 v				3 v	1600 옴
vs-15awl06fntrl-m3	0.6181	RFQ	3056	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	15awl06	기준		D-PAK (TO-252AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vs15awl06fntrlm3	귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.05 V @ 15 a	120 ns	10 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	15a	-
VS-30CTH02FP-N3	1.6038	RFQ	1370	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	30cth02	기준		TO-220 팩 풀	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vs30cth02fpn3	귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	15a	1.05 V @ 15 a		10 µa @ 200 v	175 ° C (°)
MMBD914-E3-18	0.2000	RFQ	20	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBD914	기준		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		100 v		1 V @ 10 ma	4 ns	5 µa @ 75 v	150 ° C (°)	200ma	4pf @ 0V, 1MHz
vs-mbr3035wtpbf	-	RFQ	3573	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-247-3	MBR30	Schottky		TO-247AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	25		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	35 v	15a	760 mV @ 30 a		1 ma @ 35 v	-65 ° C ~ 150 ° C
VS-ETU1506ST-M3	0.7542	RFQ	5851	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	ETU1506	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSETU1506STRM3	귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.07 V @ 15 a	210 ns	15 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	15a	-
VB20100S-M3/4W	0.7209	RFQ	4545	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	VB20100	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		900 mV @ 20 a		500 µa @ 100 v	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
EGP10FHM3/73	-	RFQ	8309	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	EGP10	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		300 v		1.25 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 300 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
BYW84-TAP	0.5346	RFQ	8064	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	SOD-64,, 방향	BYW84	눈사태		SOD-64	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	12,500		짐		600 v		1 V @ 3 a	7.5 µs	1 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	60pf @ 4V, 1MHz
VS-1N3672A	-	RFQ	2398	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	DO-203AA, DO-4, 스터드	1N3672	기준		DO-203AA (DO-4)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100		짐		900 v		1.35 V @ 12 a		700 µa @ 900 v	-65 ° C ~ 200 ° C	12a	-
VF20150C-E3/4W	1.9500	RFQ	895	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TMBS®	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	VF20150	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	150 v	10A	1.2 v @ 10 a		150 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MBRB2060CThe3_B/I	0.8250	RFQ	1896	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB2060	Schottky		TO-263AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	60 v	10A	800 mV @ 10 a		150 µa @ 60 v	-65 ° C ~ 150 ° C
BAV20W-E3-08	0.2800	RFQ	12	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123	BAV20	기준		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 150 v	150 ° C (°)	250ma	1.5pf @ 0v, 1MHz
VSKD250-20	-	RFQ	9642	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	3-MAGN-A-PAK ™	VSKD250	기준		Magn-A-Pak®	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2		짐	1 연결 연결 시리즈	2000 v	250A			50 ma @ 2000 v
BYWB29-200-E3/81	1.3700	RFQ	954	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	bywb29	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.3 V @ 20 a	25 ns	10 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 150 ° C	8a	-
1N5399GP-E3/73	0.6000	RFQ	11	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	컷 컷 (CT)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N5399	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000		짐		1000 v		1.4 V @ 1.5 a	2 µs	5 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5A	15pf @ 4V, 1MHz
UH3BHE3_A/H	0.2640	RFQ	7741	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	uh3	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1.05 V @ 3 a	40 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
EGF1DHE3_A/H	-	RFQ	3413	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, Superectifier®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214BA	EGF1	기준		DO-214BA (GF1)	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8541.10.0080	1,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1 V @ 1 a	50 ns	2 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²