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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
VS-10ETS10STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-10ets10strlpbf -
RFQ
ECAD 9799 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 10ets10 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs10ets10strlpbf 귀 99 8541.10.0080 800 1000 v 1.1 v @ 10 a 500 µa @ 1000 v -40 ° C ~ 150 ° C 10A -
VS-25ETS10STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-25ets10strl-m3 1.2022
RFQ
ECAD 9850 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 25ETS10 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 1000 v 1.14 V @ 25 a 100 @ 1000 v -40 ° C ~ 150 ° C 25A -
VFT3045CBP-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VFT3045CBP-M3/4W 1.9400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 vft3045 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 570 mV @ 15 a 2 ma @ 45 v 200 ° C (()
EGP10D-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10D-M3/73 -
RFQ
ECAD 6391 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 EGP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 1 a 50 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 22pf @ 4V, 1MHz
MBRF15H60CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF15H60CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 1318 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF15 Schottky ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 7.5A 730 MV @ 7.5 a 50 µa @ 60 v -65 ° C ~ 175 ° C
FEPF16AT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fepf16at-e3/45 -
RFQ
ECAD 3251 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 FEPF16 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 8a 950 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
SBLB1030HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLB1030HE3/45 -
RFQ
ECAD 1901 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SBLB1030 Schottky TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 600 mV @ 10 a 1 ma @ 30 v -40 ° C ~ 125 ° C 10A -
VS-1N3673A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-1n3673a 6.7300
RFQ
ECAD 5168 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N3673 기준 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1000 v 1.35 V @ 12 a 600 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 200 ° C 12a -
VS-25F80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25F80 6.8300
RFQ
ECAD 7894 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 25F80 기준 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 800 v 1.3 v @ 78 a 12 ma @ 800 v -65 ° C ~ 175 ° C 25A -
V10P45HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10p45hm3_a/h 0.9900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn v10p45 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 570 mV @ 10 a 800 µa @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C 10A -
VS-40HF10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40HF10 6.5300
RFQ
ECAD 79 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 40HF10 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 100 v 1.3 v @ 125 a 9 ma @ 100 v -65 ° C ~ 190 ° C 40a -
VS-HFA06PB120-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA06PB120-N3 5.8800
RFQ
ECAD 2371 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 HFA06 기준 TO-247AC ac 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs-hfa06pb120-n3gi 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 3 v @ 6 a 80 ns 5 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A -
VS-41HF60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-41HF60 6.5672
RFQ
ECAD 6926 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 41HF60 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 600 v 1.3 v @ 125 a 9 ma @ 600 v -65 ° C ~ 190 ° C 40a -
VS-11DQ03 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-11DQ03 -
RFQ
ECAD 5936 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 11dq03 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 1 a 1 ma @ 30 v -40 ° C ~ 150 ° C 1.1a -
AZ23C30-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C30-HE3_A-08 -
RFQ
ECAD 5378 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, AZ23 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 다운로드 112-AZ23C30-HE3_A-08TR 귀 99 8541.10.0050 1 1 양극 양극 공통 50 na @ 21 v 30 v 80 옴
VS-50WQ03FNTRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-50wq03fntrl-m3 0.3226
RFQ
ECAD 9026 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 50WQ03 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs50wq03fntrlm3 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 460 mV @ 5 a 3 ma @ 30 v -40 ° C ~ 150 ° C 5.5A 590pf @ 5V, 1MHz
VI10150CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI10150CHM3/4W -
RFQ
ECAD 5221 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TMBS® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA VI10150 Schottky TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 5a 750 mV @ 5 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
SB560-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB560-E3/54 0.5900
RFQ
ECAD 129 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SB560 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 650 mV @ 5 a 500 µa @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C 5a -
MBRB2560CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB2560CThe3/45 -
RFQ
ECAD 3581 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB25 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 15a 750 mV @ 15 a 1 ma @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C
1N4944GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4944GPHE3/73 -
RFQ
ECAD 5508 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4944 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 1 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
VS-41HFR100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-41HFR100 8.9776
RFQ
ECAD 6442 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 41HFR100 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1000 v 1.3 v @ 125 a 9 ma @ 1000 v -65 ° C ~ 190 ° C 40a -
UF4005-E3S/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF4005-E3S/73 -
RFQ
ECAD 3720 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF4005 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 112-UF4005-E3S/73TR 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17pf @ 4V, 1MHz
SD103N10S10PV Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD103N10S10PV -
RFQ
ECAD 2137 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 스터드 스터드 DO-205AC, DO-30, 스터드 SD103 기준 DO-205AC (DO-30) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *sd103n10s10pv 귀 99 8541.10.0080 25 1000 v 2.23 V @ 345 a 1 µs 35 ma @ 1000 v -40 ° C ~ 125 ° C 110A -
BZT52C47-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C47-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 1202 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZT52 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52C47 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 35 v 47 v 70 옴
V5NL63-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v5nl63-m3/i 0.4400
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면, 마운트 측면 2-vdfn v5nl63 Schottky DFN3820A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 580 mV @ 5 a 80 @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C 2.4a 840pf @ 4V, 1MHz
TZM5225F-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5225F-GS18 -
RFQ
ECAD 6800 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5225 500MW SOD-80 최소값 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 50 µa @ 1 v 3 v 1600 옴
VS-15AWL06FNTRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-15awl06fntrl-m3 0.6181
RFQ
ECAD 3056 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 15awl06 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs15awl06fntrlm3 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.05 V @ 15 a 120 ns 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
VS-30CTH02FP-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTH02FP-N3 1.6038
RFQ
ECAD 1370 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 30cth02 기준 TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs30cth02fpn3 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 15a 1.05 V @ 15 a 10 µa @ 200 v 175 ° C (°)
MMBD914-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBD914-E3-18 0.2000
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD914 기준 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1 V @ 10 ma 4 ns 5 µa @ 75 v 150 ° C (°) 200ma 4pf @ 0V, 1MHz
VS-MBR3035WTPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbr3035wtpbf -
RFQ
ECAD 3573 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR30 Schottky TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 15a 760 mV @ 30 a 1 ma @ 35 v -65 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고