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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SE40PB-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE40PB-M3/87A 0.2228
RFQ
ECAD 5148 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SE40 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 100 v 1.05 V @ 4 a 2.2 µs 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 2.4a 28pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5234B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5234B-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 5255 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5234 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 5 µa @ 4 v 6.2 v 7 옴
EGL41B-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGL41B-E3/96 0.5100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-213ab, melf (유리) EGL41 기준 do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
SBL1030CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sbl1030ct-e3/45 -
RFQ
ECAD 8257 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 SBL1030 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 5a 550 mV @ 5 a 500 µa @ 30 v -40 ° C ~ 125 ° C
BZX84C16-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C16-E3-08 0.2300
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX84 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C16 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 50 NA @ 11.2 v 16 v 40
BZG03C160-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C160-M3-18 0.1815
RFQ
ECAD 4473 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG03C-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 4.06% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03C160 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 120 v 160 v 350 옴
VS-150SQ040 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-150SQ040 -
RFQ
ECAD 6049 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AR, 4 방향 150SQ040 Schottky DO-204AR 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) VS150SQ040 귀 99 8541.10.0080 300 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 540 mV @ 15 a 1.75 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a 900pf @ 5V, 1MHz
BZG03B130TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B130tr3 -
RFQ
ECAD 7210 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG03B 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03 1.25 w DO-214AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 100 v 130 v 300 옴
BZG03B18-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B18-HM3-08 0.2310
RFQ
ECAD 7283 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG03B-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03B18 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 13 v 18 v 15 옴
VS-MBRD320TRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbrd320trlpbf -
RFQ
ECAD 9842 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MBRD3 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsmbrd320trlpbf 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 600 mV @ 3 a 200 µa @ 20 v -40 ° C ~ 150 ° C 3A 189pf @ 5V, 1MHz
MBRB1090CT-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1090CT-E3/4W 0.5996
RFQ
ECAD 4110 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB1090 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 5a 850 mV @ 5 a 100 µa @ 90 v -65 ° C ~ 150 ° C
MBRF10H100-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF10H100-E3/45 1.6100
RFQ
ECAD 899 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 MBRF10 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 770 MV @ 10 a 4.5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 10A -
VT60L45PW-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT60L45PW-M3/4W -
RFQ
ECAD 5477 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 VT60L45 Schottky TO-3PW 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 30A 570 mV @ 30 a 7 ma @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C
RGP30J-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP30J-E3/54 1.1700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 RGP30 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 3 a 250 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
1N4249GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4249GP-E3/54 0.4900
RFQ
ECAD 7006 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4249 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 1000 v 1.2 v @ 1 a 1 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 160 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
S1PJHM3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1PJHM3/85A 0.0754
RFQ
ECAD 2935 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA S1p 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 600 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 6pf @ 4V, 1MHz
BZX384B5V6-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B5V6-G3-18 0.0445
RFQ
ECAD 3618 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX384-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384B5V6 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 µa @ 2 v 5.6 v 40
VLZ10A-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ10A-GS08 -
RFQ
ECAD 2946 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ10 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 40 µa @ 8.66 v 9.36 v 8 옴
UGB5JTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ugb5jthe3/45 -
RFQ
ECAD 6325 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB UGB5 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.75 V @ 5 a 50 ns 30 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
BZX384C6V2-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C6V2-HE3-18 0.2600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384C6V2 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
BZD27C3V9P-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C3V9P-M3-18 0.1650
RFQ
ECAD 6184 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZD27-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27C3V9 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 50 µa @ 1 v 3.9 v 8 옴
ZPY3V9-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division zpy3v9 9 0.3700
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 zpy3v9 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 25,000 3.9 v 4 옴
VS-309U250 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-309U250 -
RFQ
ECAD 1383 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 스터드 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 309U250 기준 DO-205AB (DO-9) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS309U250 귀 99 8541.10.0080 12 2500 v 1.46 V @ 942 a -40 ° C ~ 180 ° C 300A -
VS-MBRB1535CTPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbrb1535ctpbf -
RFQ
ECAD 1851 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB15 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 7.5A 840 mV @ 15 a 100 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
VS-80-7881 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80-7881 -
RFQ
ECAD 4703 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 80-7881 - 112-VS-80-7881 1
SGL41-20-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SGL41-20-E3/96 0.7400
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AB, MELF SGL41 Schottky GL41 (DO-213AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 1 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A 110pf @ 4V, 1MHz
BZT52C18-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C18-E3-08 0.2700
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT52 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52C18 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 14 v 18 v 18 옴
VS-30CTQ040SHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ040SHM3 1.2877
RFQ
ECAD 1013 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 30CTQ040 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 15a 620 MV @ 15 a 2 ma @ 40 v -55 ° C ~ 175 ° C
VS-21DQ04TB Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-21DQ04TB -
RFQ
ECAD 5463 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 21dq04 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) VS21DQ04TB 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 650 mV @ 4 a 500 µa @ 40 v -40 ° C ~ 150 ° C 2A 130pf @ 5V, 1MHz
BZT52C6V2-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C6V2-HE3-08 0.0378
RFQ
ECAD 7102 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZT52 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52C6V2 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 2 v 6.2 v 4.8 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고