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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f
1N6479HE3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N6479HE3/97 -
RFQ
ECAD 5259 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N6479 기준 do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1N6479HE3_A/I 귀 99 8541.10.0080 5,000 100 v 1.1 v @ 1 a 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
MBRB7H50-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB7H50-E3/81 -
RFQ
ECAD 2446 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB7 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 730 MV @ 7.5 a 50 @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 7.5A -
IRKD91/14A Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKD91/14A -
RFQ
ECAD 3279 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 Add-A-Pak (3) IRKD91 기준 Add-a-Pak® 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 1 연결 연결 시리즈 1400 v 100A 10 ma @ 1400 v
V25PN60-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division V25PN60-M3/86A 1.0200
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn v25pn60 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 590 mV @ 25 a 6 ma @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C 6.4a -
V15PM10-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v15pm10-m3/i 0.3795
RFQ
ECAD 4328 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn v15pm10 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 750 mV @ 15 a 400 µa @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C 15a -
BAS85-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS85-GS08 0.4000
RFQ
ECAD 33 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BAS85 Schottky SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 2,500 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v 125 ° C (°) 200ma 10pf @ 1v, 1MHz
SS12P2L-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS12P2L-M3/86A 0.9300
RFQ
ECAD 865 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS12P2 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 560 mV @ 12 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 12a 930pf @ 4V, 1MHz
VS-40HF160 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40HF160 11.5100
RFQ
ECAD 1997 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 40HF160 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1600 v 1.5 V @ 125 a 4.5 ma @ 1600 v -65 ° C ~ 160 ° C 40a -
60APU02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 60APU02 -
RFQ
ECAD 5558 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 60APU02 기준 TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.08 V @ 60 a 35 ns 50 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 60a -
60EPU04 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 60epu04 -
RFQ
ECAD 6563 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-2 60epu04 기준 TO-247AC ac 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 60 a 85 ns 50 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 60a -
SS24HE3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS24HE3/5BT -
RFQ
ECAD 3743 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SS24 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 40 v -65 ° C ~ 125 ° C 2A -
V2FL45-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v2fl45-m3/i 0.0759
RFQ
ECAD 3546 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab v2fl45 Schottky DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 560 mV @ 2 a 570 µa @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C 2A 270pf @ 4V, 1MHz
UGB10FCTHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division ugb10fcthe3_a/i -
RFQ
ECAD 8791 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 TO-263AB 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-ugb10fcthe3_a/itr 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 300 v 5a 1.3 V @ 5 a 50 ns 10 µa @ 300 v -40 ° C ~ 150 ° C
RGF1AHE3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGF1EHE3/67A -
RFQ
ECAD 2888 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214BA RGF1 기준 DO-214BA (GF1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8.5pf @ 4V, 1MHz
MBR10H150CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR10H150CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 9544 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR10 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 5a 880 mV @ 5 a 5 µa @ 150 v -65 ° C ~ 175 ° C
VS-20CTQ040STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTQ040STRLPBF -
RFQ
ECAD 5490 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20ctq040 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs20ctq040strlpbf 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 20A 760 mV @ 20 a 2 ma @ 40 v 175 ° C (°)
VS-32CTQ025STRLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-32CTQ025STRLHM3 1.4113
RFQ
ECAD 1609 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 32ctq025 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 25 v 15a 490 mV @ 15 a 1.75 ma @ 25 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-20ETF12STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20ETF12STRR-M3 1.6055
RFQ
ECAD 2219 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20etf12 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 1.31 V @ 20 a 400 ns 100 µa @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C 20A -
BY299P-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY299P-E3/73 -
RFQ
ECAD 1444 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 by299 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 3 a 500 ns 10 µa @ 800 v -50 ° C ~ 125 ° C 2A 28pf @ 4V, 1MHz
BY251GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY251GPHE3/73 -
RFQ
ECAD 4245 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 by251 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 200 v 1.1 v @ 3 a 3 µs 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A 40pf @ 4V, 1MHz
MBRF20100CT-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF20100CT-E3/4W 1.7900
RFQ
ECAD 2551 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF20100 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 800 mV @ 10 a 100 @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C
6TQ045S Vishay General Semiconductor - Diodes Division 6TQ045 -
RFQ
ECAD 5159 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 6TQ045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 600 mV @ 6 a 800 µa @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C 6A -
1N5622GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5622GP-E3/73 -
RFQ
ECAD 6816 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 1N5622 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 1000 v 1.2 v @ 1 a 2 µs 500 NA @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 12v, 1MHz
VSSAF5L45HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division vssaf5l45hm3_a/h 0.4800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TMBS®, Slimsma ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 SAF5L45 Schottky DO-221AC (Slimsma) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 560 mV @ 5 a 650 µa @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C 5a 740pf @ 4V, 1MHz
1N4937GP-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4937GP-M3/73 -
RFQ
ECAD 4986 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4937 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
S5M-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division S5M-E3/57T 0.4500
RFQ
ECAD 121 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S5M 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 1000 v 1.15 V @ 5 a 2.5 µs 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 40pf @ 4V, 1MHz
SE20FJ-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE20FJ-M3/I 0.0891
RFQ
ECAD 4288 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SE20 기준 DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 600 v 1.1 v @ 2 a 920 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.7a 13pf @ 4V, 1MHz
HFA25TB60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA25TB60 -
RFQ
ECAD 3269 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 HFA25 기준 TO-220AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 25 a 75 ns 20 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 25A -
BYS459B-1500E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYS459B-1500E3/45 -
RFQ
ECAD 5311 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB bys459 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1500 v 1.3 V @ 6.5 a 350 ns 250 µa @ 1500 v -55 ° C ~ 150 ° C 6.5A -
SRP300G-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SRP300G-E3/73 -
RFQ
ECAD 4437 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SRP300 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 3 a 150 ns 10 µa @ 400 v -50 ° C ~ 125 ° C 3A 28pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고